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GWM100-01X1-SLSAM

GWM100-01X1-SLSAM

僅供參考

型號 GWM100-01X1-SLSAM
PNEDA編號 GWM100-01X1-SLSAM
描述 MOSFET 6N-CH 100V 90A ISOPLUS
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 8,082
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

GWM100-01X1-SLSAM資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號GWM100-01X1-SLSAM
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
GWM100-01X1-SLSAM, GWM100-01X1-SLSAM數據表 (總頁數: 6, 大小: 622.05 KB)
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GWM100-01X1-SLSAM規格

制造商IXYS
系列-
FET類型6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)90A
Rds On(Max)@ Id,Vgs8.5mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs90nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大-
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱17-SMD, Flat Leads
供應商設備包裝ISOPLUS-DIL™

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

17mOhm @ 11.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

70nC @ 10V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 6A, 10V, 46mOhm @ 4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

21.6nC @ 5V, 28nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

110mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2.2nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

155pF @ 20V

功率-最大

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工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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43mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

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