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NTMD2C02R2G

NTMD2C02R2G

僅供參考

型號 NTMD2C02R2G
PNEDA編號 NTMD2C02R2G
描述 MOSFET N/P-CH 20V 8SOIC
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,256
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 20 - 一月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NTMD2C02R2G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NTMD2C02R2G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
NTMD2C02R2G, NTMD2C02R2G數據表 (總頁數: 12, 大小: 194.8 KB)
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NTMD2C02R2G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N and P-Channel
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)5.2A, 3.4A
Rds On(Max)@ Id,Vgs43mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs20nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1100pF @ 10V
功率-最大2W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOIC

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Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

30mOhm @ 6.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 20µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.9nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

730pF @ 10V

功率-最大

1.4W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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漏極至源極電壓(Vdss)

12V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

80mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

800mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

800mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

22A, 30A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.2mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1037pF @ 15V

功率-最大

3.6W, 4.3W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

ON Semiconductor

系列

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

35V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

17mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.6V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

19nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

960pF @ 20V

功率-最大

2.5W

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

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漏極至源極電壓(Vdss)

12V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

32.5mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.3nC @ 4V

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