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HN1C03F-B(TE85L,F)

HN1C03F-B(TE85L,F)

僅供參考

型號 HN1C03F-B(TE85L,F)
PNEDA編號 HN1C03F-B-TE85L-F
描述 TRANS 2NPN 20V 0.3A SM6
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 3,042
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

HN1C03F-B(TE85L資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號HN1C03F-B(TE85L,F)
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列

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HN1C03F-B(TE85L規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
晶體管類型2 NPN (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)300mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)20V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic100mV @ 3mA, 30mA
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce350 @ 4mA, 2V
功率-最大300mW
頻率-過渡30MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-74, SOT-457
供應商設備包裝SM6

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 1mA, 6V

功率-最大

300mW

頻率-過渡

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工作溫度

150°C (TJ)

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包裝/箱

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 2mA, 5V

功率-最大

200mW

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 100µA, 1mA

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 1mA, 5V

功率-最大

350mW

頻率-過渡

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.6V @ 500µA, 350mA

當前-集電極截止(最大值)

50µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

功率-最大

-

頻率-過渡

-

工作溫度

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當前-集電極(Ic)(最大值)

200mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 1mA, 6V

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