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IRF5852TRPBF

IRF5852TRPBF

僅供參考

型號 IRF5852TRPBF
PNEDA編號 IRF5852TRPBF
描述 MOSFET 2N-CH 20V 2.7A 6-TSOP
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 7,974
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF5852TRPBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF5852TRPBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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IRF5852TRPBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2.7A
Rds On(Max)@ Id,Vgs90mOhm @ 2.7A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.25V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs6nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds400pF @ 15V
功率-最大960mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供應商設備包裝6-TSOP

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

30A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.5mOhm @ 8A, 10V, 17mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 10V, 85nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1900pF @ 25V, 4600pF @ 25V

功率-最大

34W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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PowerPAK® SO-8 Dual

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Infineon Technologies

制造商

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系列

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

FET類型

2 P-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate, 4.5V Drive

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

140mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 6.3µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2.9nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

294pF @ 15V

功率-最大

500mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Standard

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

21A (Ta), 87A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.6mOhm @ 21A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

62nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4150pF @ 20V

功率-最大

2.1W (Ta), 33W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

28mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

740pF @ 15V

功率-最大

900mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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