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IRF9952

IRF9952

僅供參考

型號 IRF9952
PNEDA編號 IRF9952
描述 MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 2,988
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF9952資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF9952
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
IRF9952, IRF9952數據表 (總頁數: 10, 大小: 287.61 KB)
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IRF9952規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N and P-Channel
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)3.5A, 2.3A
Rds On(Max)@ Id,Vgs100mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs14nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds190pF @ 15V
功率-最大2W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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4.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

40mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.9nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

600pF @ 10V

功率-最大

1.5W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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功率-最大

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FET類型

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

10.6V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

500Ohm @ 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 1µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3pF @ 5V

功率-最大

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.9A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

145mOhm @ 2.8A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.6nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

350pF @ 10V

功率-最大

3W

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

80mOhm @ 3.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

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工作溫度

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