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IRG4RC10SDTRPBFBTMA1

IRG4RC10SDTRPBFBTMA1

僅供參考

型號 IRG4RC10SDTRPBFBTMA1
PNEDA編號 IRG4RC10SDTRPBFBTMA1
描述 IGBT 600V 14A 38W DPAK
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 5,760
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 21 - 三月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRG4RC10SDTRPBFBTMA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRG4RC10SDTRPBFBTMA1
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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IRG4RC10SDTRPBFBTMA1規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFRED®
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)14A
電流-集電極脈沖(Icm)18A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic1.8V @ 15V, 8A
功率-最大38W
開關能量310µJ (on), 3.28mJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用15nC
25°C時的Td(開/關)76ns/815ns
測試條件480V, 8A, 100Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)28ns
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝D-PAK (TO-252AA)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 10A

功率-最大

-

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

65nC

25°C時的Td(開/關)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

60A

電流-集電極脈沖(Icm)

120A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 30A

功率-最大

260W

開關能量

382µJ (on), 293µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

149nC

25°C時的Td(開/關)

46ns/146ns

測試條件

400V, 30A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

140ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

8.5A

電流-集電極脈沖(Icm)

34A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.6V @ 15V, 5A

功率-最大

38W

開關能量

140µJ (on), 120µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

15nC

25°C時的Td(開/關)

40ns/87ns

測試條件

480V, 5A, 100Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

28ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

320A

電流-集電極脈沖(Icm)

700A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.25V @ 15V, 100A

功率-最大

1000W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

560nC

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

-

功率-最大

-

開關能量

-

輸入類型

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門禁費用

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25°C時的Td(開/關)

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