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IRLU3110ZPBF

IRLU3110ZPBF

僅供參考

型號 IRLU3110ZPBF
PNEDA編號 IRLU3110ZPBF
描述 MOSFET N-CH 100V 42A IPAK
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 17,688
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRLU3110ZPBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRLU3110ZPBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IRLU3110ZPBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)42A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs14mOhm @ 38A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 100µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs48nC @ 4.5V
Vgs(最大)±16V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds3980pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)140W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝IPAK (TO-251)
包裝/箱TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

30A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

95mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

71nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3000pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

190W (Tc)

工作溫度

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

650V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

22A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

139mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

64nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2880pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

140W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.8A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

65mOhm @ 3.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

563pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.08W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

-

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-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

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Vgs(th)(最大)@ ID

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