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IXFH70N15

IXFH70N15

僅供參考

型號 IXFH70N15
PNEDA編號 IXFH70N15
描述 MOSFET N-CH 150V 70A TO-247
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 2,268
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 3 - 二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXFH70N15資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXFH70N15
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXFH70N15, IXFH70N15數據表 (總頁數: 2, 大小: 108.2 KB)
PDFIXFH70N15數據表 封面
IXFH70N15數據表 頁面 2

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IXFH70N15規格

制造商IXYS
系列HiPerFET™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)150V
電流-25°C時的連續漏極(Id)70A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs28mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 4mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs180nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds3600pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)300W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-247AD (IXFH)
包裝/箱TO-247-3

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.7A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

45mOhm @ 3.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

35nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

660pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

23A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

250mOhm @ 11.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

130nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2950pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

310W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-247AD

包裝/箱

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.5A (Ta), 8A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

23mOhm @ 6.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

450pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.9W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

11.7mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9.2nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

562pF @ 15V

FET功能

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功耗(最大值)

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