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J112-D26Z

J112-D26Z

僅供參考

型號 J112-D26Z
PNEDA編號 J112-D26Z
描述 JFET N-CH 35V 625MW TO92
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,590
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

J112-D26Z資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號J112-D26Z
類別半導體晶體管晶體管-JFET
數據表
J112-D26Z, J112-D26Z數據表 (總頁數: 7, 大小: 156.22 KB)
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J112-D26Z規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)35V
漏極至源極電壓(Vdss)-
當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)5mA @ 15V
電流消耗(Id)-最大-
電壓-截止(VGS關閉)@ ID1V @ 1µA
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
電阻-RDS(On)50 Ohms
功率-最大625mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝TO-92-3

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

15V

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

14.5mA @ 5V

電流消耗(Id)-最大

50mA

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

600mV @ 100µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

10pF @ 5V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

300mW

工作溫度

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安裝類型

Through Hole

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

12mA @ 5V

電流消耗(Id)-最大

50mA

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

0V @ 10µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

9pF @ 5V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

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電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

35V

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

25mA @ 20V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

10pF @ 12V (VGS)

電阻-RDS(On)

60 Ohms

功率-最大

310mW

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-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

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FET類型

N-Channel

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

25V

漏極至源極電壓(Vdss)

25V

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

20mA @ 5V

電流消耗(Id)-最大

50mA

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

600mV @ 100µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6pF @ 5V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

400mW

工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

-

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

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