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JANTXV1N1186R

JANTXV1N1186R

僅供參考

型號 JANTXV1N1186R
PNEDA編號 JANTXV1N1186R
描述 DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 6,930
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

JANTXV1N1186R資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號JANTXV1N1186R
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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JANTXV1N1186R規格

制造商Microsemi Corporation
系列Military, MIL-PRF-19500/297
二極管類型Standard, Reverse Polarity
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)35A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.4V @ 110A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 200V
電容@ Vr,F-
安裝類型Chassis, Stud Mount
包裝/箱DO-203AB, DO-5, Stud
供應商設備包裝DO-5
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C

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反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

400V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

200ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 400V

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-204AL, DO-41, Axial

供應商設備包裝

DO-204AL (DO-41)

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

5.5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

770mV @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 100V

電容@ Vr,F

183pF @ 5V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

2000V

電流-平均整流(Io)

500mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

3V @ 500mA

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 2000V

電容@ Vr,F

30pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AC, SMA

供應商設備包裝

DO-214AC (SMAE)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

920mV @ 1.5A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

1.2µs

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 600V

電容@ Vr,F

37pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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