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JTDB75

JTDB75

僅供參考

型號 JTDB75
PNEDA編號 JTDB75
描述 RF TRANS NPN 55V 1.215GHZ 55AW
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 5,382
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 3 - 二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

JTDB75資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號JTDB75
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF

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JTDB75規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)55V
頻率-過渡960MHz ~ 1.215GHz
噪聲系數(dB Typ @ f)-
增益7dB ~ 8.2dB
功率-最大220W
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce20 @ 1A, 5V
當前-集電極(Ic)(最大值)8A
工作溫度200°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱55AW
供應商設備包裝55AW

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1.6dB @ 0.4GHz

增益

13dB @ 0.4GHz

功率-最大

200mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 10mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

70mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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225mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 4mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供應商設備包裝

SOT-23-3 (TO-236)

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噪聲系數(dB Typ @ f)

0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

增益

22dB

功率-最大

450mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 15mA, 8V

當前-集電極(Ic)(最大值)

65mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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12dB

功率-最大

200mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 20mA, 8V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

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