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MJD50RLG

MJD50RLG

僅供參考

型號 MJD50RLG
PNEDA編號 MJD50RLG
描述 TRANS NPN 400V 1A DPAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,676
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 22 - 二月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MJD50RLG資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MJD50RLG
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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MJD50RLG規格

制造商ON Semiconductor
系列*
晶體管類型-
當前-集電極(Ic)(最大值)-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)-
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic-
當前-集電極截止(最大值)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce-
功率-最大-
頻率-過渡-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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ON Semiconductor

系列

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

150V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

50µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 400mA, 10V

功率-最大

25W

頻率-過渡

5MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-3

供應商設備包裝

TO-220-3

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Diodes Incorporated

制造商

Diodes Incorporated

系列

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

1.5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

70V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

260mV @ 200mA, 1.5A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 100mA, 5V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

200MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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供應商設備包裝

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 125mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

300µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

15 @ 1A, 4V

功率-最大

2W

頻率-過渡

3MHz

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-3

供應商設備包裝

TO-220AB

MJL21193G

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

16A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

250V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

4V @ 3.2A, 16A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

25 @ 8A, 5V

功率-最大

200W

頻率-過渡

4MHz

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-264-3, TO-264AA

供應商設備包裝

TO-264

ZXT11N20DFTA

Diodes Incorporated

制造商

Diodes Incorporated

系列

-

晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

2.5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

130mV @ 250mA, 2.5A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 100mA, 2V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

160MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供應商設備包裝

SOT-23-3

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