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MMBF5460LT1G

MMBF5460LT1G

僅供參考

型號 MMBF5460LT1G
PNEDA編號 MMBF5460LT1G
描述 JFET P-CH 40V 0.225W SOT23
制造商 ON Semiconductor
單價
1 ---------- $0.2318
500 ---------- $0.2209
1,000 ---------- $0.2101
2,500 ---------- $0.1992
5,000 ---------- $0.1902
10,000 ---------- $0.1811
庫存 462
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 20 - 十二月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MMBF5460LT1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MMBF5460LT1G
類別半導體晶體管晶體管-JFET
數據表
MMBF5460LT1G, MMBF5460LT1G數據表 (總頁數: 5, 大小: 60.27 KB)
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MMBF5460LT1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型P-Channel
電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)40V
漏極至源極電壓(Vdss)-
當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)1mA @ 15V
電流消耗(Id)-最大-
電壓-截止(VGS關閉)@ ID750mV @ 1µA
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds7pF @ 15V
電阻-RDS(On)-
功率-最大225mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23-3 (TO-236)

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40V

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

2mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

500mV @ 1µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6pF @ 10V (VGS)

電阻-RDS(On)

100 Ohms

功率-最大

400mW

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

-

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

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40V

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

50mA @ 20V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

4V @ 1nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

14pF @ 20V

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

900µA @ 20V

電流消耗(Id)-最大

-

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800mV @ 10nA

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-

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