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MMBTH10-7-F

MMBTH10-7-F

僅供參考

型號 MMBTH10-7-F
PNEDA編號 MMBTH10-7-F
描述 RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 27,750
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MMBTH10-7-F資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MMBTH10-7-F
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
MMBTH10-7-F, MMBTH10-7-F數據表 (總頁數: 3, 大小: 551.32 KB)
PDFMMBTH10-7數據表 封面
MMBTH10-7數據表 頁面 2 MMBTH10-7數據表 頁面 3

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MMBTH10-7-F規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)25V
頻率-過渡650MHz
噪聲系數(dB Typ @ f)-
增益-
功率-最大300mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce60 @ 4mA, 10V
當前-集電極(Ic)(最大值)50mA
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23-3

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3.5dB @ 450MHz

增益

25dB

功率-最大

200mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 5mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30mA

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

3-SMD, No Lead

供應商設備包裝

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0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

增益

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功率-最大

250mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 10mA, 8V

當前-集電極(Ic)(最大值)

35mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供應商設備包裝

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-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

頻率-過渡

-

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

-

功率-最大

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

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噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

11dB

功率-最大

8W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 100mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

750mA

工作溫度

200°C (TJ)

安裝類型

Chassis, Stud Mount

包裝/箱

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

65V

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噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

7dB

功率-最大

940W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10 @ 5A, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

24A

工作溫度

200°C (TJ)

安裝類型

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