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MRF6S19100MBR1

MRF6S19100MBR1

僅供參考

型號 MRF6S19100MBR1
PNEDA編號 MRF6S19100MBR1
描述 FET RF 68V 1.99GHZ TO272-4
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 3,436
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 31 - 四月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MRF6S19100MBR1資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MRF6S19100MBR1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-RF
數據表
MRF6S19100MBR1, MRF6S19100MBR1數據表 (總頁數: 16, 大小: 986.24 KB)
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MRF6S19100MBR1規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型LDMOS
頻率1.99GHz
增益14.5dB
電壓-測試28V
額定電流(安培)-
噪聲系數-
當前-測試950mA
功率-輸出22W
電壓-額定68V
包裝/箱TO-272-4
供應商設備包裝TO-272 WB-4

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電壓-測試

28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

250mA

功率-輸出

30W

電壓-額定

84V

包裝/箱

440166

供應商設備包裝

440166

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STMicroelectronics

制造商

STMicroelectronics

系列

-

晶體管類型

N-Channel

頻率

30MHz

增益

23.5dB

電壓-測試

50V

額定電流(安培)

40A

噪聲系數

-

當前-測試

250mA

功率-輸出

300W

電壓-額定

125V

包裝/箱

M177

供應商設備包裝

M177

制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

LDMOS

頻率

2.12GHz

增益

15.5dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

610mA

功率-輸出

14W

電壓-額定

68V

包裝/箱

TO-270AB

供應商設備包裝

TO-270 WB-4

制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

LDMOS

頻率

2.11GHz ~ 2.17GHz

增益

15.9dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

950mA

功率-輸出

23W

電壓-額定

68V

包裝/箱

SOT-957A

供應商設備包裝

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制造商

Cree/Wolfspeed

系列

-

晶體管類型

LDMOS

頻率

2.17GHz

增益

18dB

電壓-測試

30V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

1.2A

功率-輸出

32W

電壓-額定

65V

包裝/箱

2-Flatpack, Fin Leads, Flanged

供應商設備包裝

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