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NE851M33-T3-A

NE851M33-T3-A

僅供參考

型號 NE851M33-T3-A
PNEDA編號 NE851M33-T3-A
描述 RF TRANS NPN 5.5V 4.5GHZ 3SMINI
制造商 CEL
單價 請求報價
庫存 2,322
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NE851M33-T3-A資源

品牌 CEL
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NE851M33-T3-A
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
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NE851M33-T3-A規格

制造商CEL
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)5.5V
頻率-過渡4.5GHz
噪聲系數(dB Typ @ f)1.9dB ~ 2.5dB @ 2GHz
增益-
功率-最大130mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce100 @ 5mA, 1V
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱3-SMD, Flat Leads
供應商設備包裝3-SuperMiniMold (M33)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

6V

頻率-過渡

11.5GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.2dB @ 1GHz

增益

12dB

功率-最大

700mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 30mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供應商設備包裝

S-Mini

PN5179_D26Z

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

頻率-過渡

2GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

5dB @ 200MHz

增益

15dB

功率-最大

350mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

25 @ 3mA, 1V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

供應商設備包裝

TO-92-3

BFR840L3RHESDE6327XTSA1

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Infineon Technologies

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

2.6V

頻率-過渡

75GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

0.5dB @ 450MHz

增益

27dB

功率-最大

75mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

150 @ 10mA, 1.8V

當前-集電極(Ic)(最大值)

35mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-101, SOT-883

供應商設備包裝

PG-TSLP-3

制造商

CEL

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

5V

頻率-過渡

12GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.5dB ~ 2.5dB @ 2GHz

增益

-

功率-最大

125mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

75 @ 10mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

35V

頻率-過渡

-

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

13dB

功率-最大

150W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

15 @ 5A, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

20A

工作溫度

-

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

211-11, Style 2

供應商設備包裝

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