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NGB8204NT4

NGB8204NT4

僅供參考

型號 NGB8204NT4
PNEDA編號 NGB8204NT4
描述 IGBT 430V 18A 115W D2PAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,642
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 23 - 一月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NGB8204NT4資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NGB8204NT4
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
NGB8204NT4, NGB8204NT4數據表 (總頁數: 8, 大小: 150.27 KB)
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NGB8204NT4規格

制造商ON Semiconductor
系列-
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)430V
當前-集電極(Ic)(最大值)18A
電流-集電極脈沖(Icm)50A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.5V @ 4V, 15A
功率-最大115W
開關能量-
輸入類型Logic
門禁費用-
25°C時的Td(開/關)-
測試條件-
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包裝D2PAK

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電流-集電極脈沖(Icm)

160A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.6V @ 15V, 40A

功率-最大

468W

開關能量

1mJ (on), 1.32mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

158nC

25°C時的Td(開/關)

18ns/152ns

測試條件

600V, 40A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

488ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

TO-247-3

制造商

IXYS

系列

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IGBT類型

PT

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

75A

電流-集電極脈沖(Icm)

150A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.7V @ 15V, 40A

功率-最大

200W

開關能量

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輸入類型

Standard

門禁費用

116nC

25°C時的Td(開/關)

25ns/100ns

測試條件

480V, 40A, 4.7Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

3.5ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

-

功率-最大

-

開關能量

-

輸入類型

-

門禁費用

-

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

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Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 35A

功率-最大

-

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

210nC

25°C時的Td(開/關)

35ns/190ns

測試條件

600V, 35A, 5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

-

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PT

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

190A

電流-集電極脈沖(Icm)

380A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.2V @ 15V, 70A

功率-最大

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門禁費用

150nC

25°C時的Td(開/關)

30ns/90ns

測試條件

360V, 70A, 2Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

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