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NTD14N03R-1G

NTD14N03R-1G

僅供參考

型號 NTD14N03R-1G
PNEDA編號 NTD14N03R-1G
描述 MOSFET N-CH 25V 2.5A IPAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,464
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 20 - 一月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NTD14N03R-1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NTD14N03R-1G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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NTD14N03R-1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)25V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2.5A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs95mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs1.8nC @ 5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds115pF @ 20V
FET功能-
功耗(最大值)1.04W (Ta), 20.8W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝I-PAK
包裝/箱TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

8V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.6A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.2V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

78mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

800mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

650pF @ 4V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 2.78W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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供應商設備包裝

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包裝/箱

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

600A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.3mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

590nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

40000pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

830W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

650V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

12A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

299mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

45nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1250pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

90W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

137mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.3nC @ 5V

Vgs(最大)

±15V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

320pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

8W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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FET功能

-

功耗(最大值)

330mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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