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NTMFD4C86NT3G

NTMFD4C86NT3G

僅供參考

型號 NTMFD4C86NT3G
PNEDA編號 NTMFD4C86NT3G
描述 MOSFET 2N-CH 30V 8DFN
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,488
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NTMFD4C86NT3G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NTMFD4C86NT3G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
NTMFD4C86NT3G, NTMFD4C86NT3G數據表 (總頁數: 12, 大小: 131.54 KB)
PDFNTMFD4C86NT1G數據表 封面
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NTMFD4C86NT3G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)11.3A, 18.1A
Rds On(Max)@ Id,Vgs5.4mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs22.2nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1153pF @ 15V
功率-最大1.1W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-PowerTDFN
供應商設備包裝8-DFN (5x6)

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

650mOhm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

16pF @ 15V

功率-最大

220mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

13A, 18A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10mOhm @ 13A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.7V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

24nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1605pF @ 15V

功率-最大

1W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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漏極至源極電壓(Vdss)

8V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

380mV @ 1µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2.5pF @ 5V

功率-最大

500mW

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

17mOhm @ 12A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 600µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

74nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

1.4W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Standard

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

60mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

880pF @ 20V

功率-最大

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