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NVMFS5C646NLAFT3G

NVMFS5C646NLAFT3G

僅供參考

型號 NVMFS5C646NLAFT3G
PNEDA編號 NVMFS5C646NLAFT3G
描述 MOSFET N-CH 60V 20A 93A 5DFN
制造商 ON Semiconductor
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庫存 5,112
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NVMFS5C646NLAFT3G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NVMFS5C646NLAFT3G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
NVMFS5C646NLAFT3G, NVMFS5C646NLAFT3G數據表 (總頁數: 7, 大小: 161.29 KB)
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NVMFS5C646NLAFT3G規格

制造商ON Semiconductor
系列Automotive, AEC-Q101
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)20A (Ta), 93A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs4.7mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs33.7nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2164pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)3.7W (Ta), 79W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝5-DFN (5x6) (8-SOFL)
包裝/箱8-PowerTDFN, 5 Leads

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650V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

75A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

27.4mOhm @ 35A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 7.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

259nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7690pF @ 400V

FET功能

-

功耗(最大值)

595W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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供應商設備包裝

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系列

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

45V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.6A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

190mOhm @ 1.6A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2.3nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

150pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

320mW (Ta)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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制造商

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系列

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FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

80mOhm @ 2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

298pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

500mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.3A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 8V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

64mOhm @ 500mA, 8V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2.7nC @ 4.5V

Vgs(最大)

10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

347pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

500mW (Ta)

工作溫度

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130mOhm @ 17A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

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