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S29GL01GT13TFNV10

S29GL01GT13TFNV10

僅供參考

型號 S29GL01GT13TFNV10
PNEDA編號 S29GL01GT13TFNV10
描述 IC FLASH 1G PARALLEL
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,790
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 8 - 十一月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

S29GL01GT13TFNV10資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號S29GL01GT13TFNV10
類別半導體內存IC內存

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S29GL01GT13TFNV10規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列GL-T
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NOR
內存大小1Gb (128M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁60ns
訪問時間130ns
電壓-供電1.65V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 125°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
供應商設備包裝56-TSOP

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

15ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)

供應商設備包裝

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制造商

Microchip Technology

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EPROM

技術

EPROM - OTP

內存大小

2Mb (256K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

90ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

32-TFSOP (0.488", 12.40mm Width)

供應商設備包裝

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制造商

Micron Technology Inc.

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內存類型

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內存格式

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技術

DRAM

內存大小

256Mb (16M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

0°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NAND

內存大小

1Tb (128G x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

333MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.5V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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內存大小

32Kb (4K x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

20MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

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