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SH8M13GZETB

SH8M13GZETB

僅供參考

型號 SH8M13GZETB
PNEDA編號 SH8M13GZETB
描述 MIDDLE POWER MOSFET SERIES (DUAL
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,452
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 15 - 四月 20 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SH8M13GZETB資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SH8M13GZETB
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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SH8M13GZETB規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
FET類型N and P-Channel
FET功能-
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)6A, 7A
Rds On(Max)@ Id,Vgs29mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs18nC @ 5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1200pF @ 10V
功率-最大2W
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOP

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.1A, 3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

70mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

630pF @ 24V

功率-最大

2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

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供應商設備包裝

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

1200V (1.2kV)

電流-25°C時的連續漏極(Id)

60A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

175mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 10mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

748nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

20600pF @ 25V

功率-最大

1250W

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

260mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.8Ohm @ 200mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

23.6pF @ 10V

功率-最大

285mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Nexperia

制造商

Nexperia USA Inc.

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

350mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.6Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.8nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

50pF @ 10V

功率-最大

330mW

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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