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SI1023X-T1-E3

SI1023X-T1-E3

僅供參考

型號 SI1023X-T1-E3
PNEDA編號 SI1023X-T1-E3
描述 MOSFET 2P-CH 20V 0.37A SOT563F
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 8,640
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI1023X-T1-E3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI1023X-T1-E3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
SI1023X-T1-E3, SI1023X-T1-E3數據表 (總頁數: 7, 大小: 140.72 KB)
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SI1023X-T1-E3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)370mA
Rds On(Max)@ Id,Vgs1.2Ohm @ 350mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID450mV @ 250µA (Min)
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs1.5nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大250mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝SC-89-6

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

40mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.3nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

458pF @ 15V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

145mOhm @ 1.2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.3nC @ 4.5V

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Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 250µA

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0.6nC @ 4.5V

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Vgs(th)(最大)@ ID

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