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SI1029X-T1-E3

SI1029X-T1-E3

僅供參考

型號 SI1029X-T1-E3
PNEDA編號 SI1029X-T1-E3
描述 MOSFET N/P-CH 60V SOT563F
制造商 Vishay Siliconix
單價
1 ---------- $6.1683
250 ---------- $5.8792
500 ---------- $5.5900
1,000 ---------- $5.3009
2,500 ---------- $5.0599
5,000 ---------- $4.8190
庫存 3,955
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI1029X-T1-E3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI1029X-T1-E3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
SI1029X-T1-E3, SI1029X-T1-E3數據表 (總頁數: 10, 大小: 160.7 KB)
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SI1029X-T1-E3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型N and P-Channel
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)305mA, 190mA
Rds On(Max)@ Id,Vgs1.4Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs0.75nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds30pF @ 25V
功率-最大250mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝SC-89-6

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200mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.2Ohm @ 200mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.4nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

115pF @ 10V

功率-最大

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

500Ohm @ 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 1µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3pF @ 5V

功率-最大

500mW

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漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7Ohm @ 1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

110pF @ 25V

功率-最大

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

120mOhm @ 34A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 10mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

616nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

17400pF @ 25V

功率-最大

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

34A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

40mOhm @ 6A, 10V, 19mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 10V, 15nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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