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SI4816BDY-T1-GE3

SI4816BDY-T1-GE3

僅供參考

型號 SI4816BDY-T1-GE3
PNEDA編號 SI4816BDY-T1-GE3
描述 MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8-SOIC
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 22,818
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI4816BDY-T1-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI4816BDY-T1-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
SI4816BDY-T1-GE3, SI4816BDY-T1-GE3數據表 (總頁數: 12, 大小: 194.15 KB)
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SI4816BDY-T1-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列LITTLE FOOT®
FET類型2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)5.8A, 8.2A
Rds On(Max)@ Id,Vgs18.5mOhm @ 6.8A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs10nC @ 5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大1W, 1.25W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

400mOhm @ 600mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.74nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

11.2mOhm @ 17A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 28µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

53nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4020pF @ 25V

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

22mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

27nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1010pF @ 10V

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

30mOhm @ 4.7A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

39nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1700pF @ 15V

功率-最大

1W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Surface Mount

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