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SIZ980DT-T1-GE3

SIZ980DT-T1-GE3

僅供參考

型號 SIZ980DT-T1-GE3
PNEDA編號 SIZ980DT-T1-GE3
描述 MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 1,400
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 22 - 一月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SIZ980DT-T1-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SIZ980DT-T1-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
SIZ980DT-T1-GE3, SIZ980DT-T1-GE3數據表 (總頁數: 14, 大小: 232.48 KB)
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SIZ980DT-T1-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型2 N-Channel (Dual), Schottky
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)20A (Tc), 60A (Tc)
Rds On(Max)@ Id,Vgs6.7mOhm @ 15A, 10V, 1.6mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs8.1nC @ 4.5V, 35nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds930pF @ 15V, 4600pF @ 15V
功率-最大20W, 66W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-PowerWDFN
供應商設備包裝8-PowerPair®

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

115mA, 130mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

13.5Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

90mOhm @ 3.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11.2nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

330pF @ 25V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

80mOhm @ 3.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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功率-最大

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.1A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

33mOhm @ 4.6A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

1W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Surface Mount

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