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STFW45N65M5

STFW45N65M5

僅供參考

型號 STFW45N65M5
PNEDA編號 STFW45N65M5
描述 MOSFET N-CH 650V 35A TO-3PF
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 2,772
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STFW45N65M5資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STFW45N65M5
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
STFW45N65M5, STFW45N65M5數據表 (總頁數: 18, 大小: 1,268.71 KB)
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STFW45N65M5規格

制造商STMicroelectronics
系列MDmesh™ V
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)650V
電流-25°C時的連續漏極(Id)35A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs78mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs82nC @ 10V
Vgs(最大)±25V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds3470pF @ 100V
FET功能-
功耗(最大值)57W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝ISOWATT-218FX
包裝/箱ISOWATT218FX

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

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工作溫度

150°C (TJ)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

420mOhm @ 3.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 300µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

31.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

870pF @ 100V

FET功能

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功耗(最大值)

31.2W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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制造商

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

650V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

15A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

220mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

31nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1240pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

110W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

23A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

73mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

35nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1290pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.75W (Ta), 100W (Tc)

工作溫度

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155mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

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功耗(最大值)

2W (Ta), 25W (Tc)

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