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STS4DNF60L

STS4DNF60L

僅供參考

型號 STS4DNF60L
PNEDA編號 STS4DNF60L
描述 MOSFET 2N-CH 60V 4A 8-SOIC
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 59,064
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 23 - 十一月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STS4DNF60L資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STS4DNF60L
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
STS4DNF60L, STS4DNF60L數據表 (總頁數: 12, 大小: 590.5 KB)
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STS4DNF60L規格

制造商STMicroelectronics
系列STripFET™
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4A
Rds On(Max)@ Id,Vgs55mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs15nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1030pF @ 25V
功率-最大2W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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3A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

120mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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30A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.3mOhm @ 9.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

38nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1835pF @ 20V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET類型

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

59mOhm @ 3.6A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

23nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

29mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1200pF @ 10V

功率-最大

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