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STS8C5H30L

STS8C5H30L

僅供參考

型號 STS8C5H30L
PNEDA編號 STS8C5H30L
描述 MOSFET N/P-CH 30V 8A/5.4A 8SOIC
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 8,046
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 7 - 三月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STS8C5H30L資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STS8C5H30L
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
STS8C5H30L, STS8C5H30L數據表 (總頁數: 18, 大小: 849.98 KB)
PDFSTS8C5H30L數據表 封面
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STS8C5H30L規格

制造商STMicroelectronics
系列STripFET™ III
FET類型N and P-Channel
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)8A, 5.4A
Rds On(Max)@ Id,Vgs22mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs10nC @ 5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds857pF @ 25V
功率-最大2W
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

60mOhm @ 4.7A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

1A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.9A, 2.1A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

60mOhm @ 3.4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

830mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Surface Mount

包裝/箱

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

12V, 20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9.5A, 8.7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

17mOhm @ 11.8A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

32nC @ 8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1454pF @ 6V

功率-最大

2.3W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9.9A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

19mOhm @ 3.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

700mV @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

23.6nC @ 4.5V

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