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TN0106N3-G

TN0106N3-G

僅供參考

型號 TN0106N3-G
PNEDA編號 TN0106N3-G
描述 MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3
制造商 Microchip Technology
單價 請求報價
庫存 12,474
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TN0106N3-G資源

品牌 Microchip Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TN0106N3-G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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TN0106N3-G規格

制造商Microchip Technology
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)350mA (Tj)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs3Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 500µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds60pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)1W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-92-3
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

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40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

160A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.6mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

167nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

11600pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

283W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

58A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

15V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

90mOhm @ 29A, 12V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 2.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

9000pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

730W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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N-Channel

技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.5Ohm @ 2.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

490pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

35W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

36A (Ta), 235A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.5mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

91nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6660pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.8W (Ta), 167W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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Vgs(th)(最大)@ ID

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FET功能

-

功耗(最大值)

2W (Ta), 37W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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