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US6M2TR

US6M2TR

僅供參考

型號 US6M2TR
PNEDA編號 US6M2TR
描述 MOSFET N/P-CH 30V/20V TUMT6
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 282,840
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

US6M2TR資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號US6M2TR
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
US6M2TR, US6M2TR數據表 (總頁數: 4, 大小: 61.09 KB)
PDFUS6M2TR數據表 封面
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US6M2TR規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
FET類型N and P-Channel
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)30V, 20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)1.5A, 1A
Rds On(Max)@ Id,Vgs240mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs2.2nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds80pF @ 10V
功率-最大1W
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-SMD, Flat Leads
供應商設備包裝TUMT6

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

56mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

800pF @ 10V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

9A, 5.7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

50nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2120pF @ 20V

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1.5W

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2 P-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

33mOhm @ 6.2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

35nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1700pF @ 16V

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750mW

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

35.5mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

445pF @ 15V

功率-最大

2.7W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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