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VBT2045BP-E3/4W

VBT2045BP-E3/4W

僅供參考

型號 VBT2045BP-E3/4W
PNEDA編號 VBT2045BP-E3-4W
描述 DIODE SCHOTTKY 45V 20A TO263AB
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 9,024
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VBT2045BP-E3/4W資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VBT2045BP-E3/4W
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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VBT2045BP-E3/4W規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列TMBS®
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)45V
電流-平均整流(Io)20A (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果660mV @ 20A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr2mA @ 45V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包裝TO-263AB
工作溫度-結點200°C (Max)

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速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢復時間(trr)

0ns

當前-反向泄漏@ Vr

130µA @ 650V

電容@ Vr,F

670pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

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包裝/箱

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供應商設備包裝

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

20V

電流-平均整流(Io)

8A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

570mV @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 30V

電容@ Vr,F

330pF @ 4V, 1MHz

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

850mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

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800V

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

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電容@ Vr,F

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