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VS-50MT060WHTAPBF

VS-50MT060WHTAPBF

僅供參考

型號 VS-50MT060WHTAPBF
PNEDA編號 VS-50MT060WHTAPBF
描述 IGBT 600V 114A 658W MTP
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
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庫存 6,216
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 7 - 三月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VS-50MT060WHTAPBF資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VS-50MT060WHTAPBF
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊
數據表
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VS-50MT060WHTAPBF規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
IGBT類型-
配置Half Bridge
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)114A
功率-最大658W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic3.2V @ 15V, 100A
當前-集電極截止(最大值)400µA
輸入電容(Cies)@ Vce7.1nF @ 30V
輸入Standard
NTC熱敏電阻No
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱12-MTP Module
供應商設備包裝MTP

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3V @ 15V, 150A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

23nF @ 10V

輸入

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NTC熱敏電阻

No

工作溫度

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輸入電容(Cies)@ Vce

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.6V @ 15V, 75A

當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

5.1nF @ 25V

輸入

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