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ZXMD63N03XTA

ZXMD63N03XTA

僅供參考

型號 ZXMD63N03XTA
PNEDA編號 ZXMD63N03XTA
描述 MOSFET 2N-CH 30V 2.3A 8-MSOP
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 6,264
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ZXMD63N03XTA資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ZXMD63N03XTA
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
ZXMD63N03XTA, ZXMD63N03XTA數據表 (總頁數: 8, 大小: 294.75 KB)
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ZXMD63N03XTA規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2.3A
Rds On(Max)@ Id,Vgs135mOhm @ 1.7A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA (Min)
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs8nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds290pF @ 25V
功率-最大1.04W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
供應商設備包裝8-MSOP

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

120A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.5mOhm @ 60A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

153nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4530pF @ 25V

功率-最大

138W

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

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Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

8V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

90mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

450mV @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

1.1W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

350mA, 200mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.4Ohm @ 350mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.68nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

50pF @ 15V

功率-最大

445mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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制造商

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系列

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FET類型

N and P-Channel

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9.1A, 6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 6.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12.4nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

631pF @ 15V

功率-最大

2.5W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

21mOhm @ 8.2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

39nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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