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ZXMD63N03XTA

ZXMD63N03XTA

僅供參考

型號 ZXMD63N03XTA
PNEDA編號 ZXMD63N03XTA
描述 MOSFET 2N-CH 30V 2.3A 8-MSOP
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 6,264
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 23 - 十一月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ZXMD63N03XTA資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ZXMD63N03XTA
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
ZXMD63N03XTA, ZXMD63N03XTA數據表 (總頁數: 8, 大小: 294.75 KB)
PDFZXMD63N03XTC數據表 封面
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ZXMD63N03XTA規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2.3A
Rds On(Max)@ Id,Vgs135mOhm @ 1.7A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA (Min)
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs8nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds290pF @ 25V
功率-最大1.04W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
供應商設備包裝8-MSOP

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漏極至源極電壓(Vdss)

75V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

120A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.5mOhm @ 60A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

153nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4530pF @ 25V

功率-最大

138W

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

65A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.5mOhm @ 9.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1500pF @ 25V

功率-最大

60W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

200mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5Ohm @ 100mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

13.5pF @ 15V

功率-最大

125mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

Infineon Technologies

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A, 11A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

15.5mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.35V @ 25µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.6nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

766pF @ 15V

功率-最大

1.5W, 2.4W

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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NX3008CBKS,115

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

350mA, 200mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.4Ohm @ 350mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.68nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

50pF @ 15V

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