內存IC

型號	描述	庫存
MT41J128M8JP-15E IT:G TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR3 內存大小: 1Gb (128M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 667MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.425V ~ 1.575V 工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 78-TFBGA 供應商設備包裝: 78-FBGA (8x11.5)	庫存5,796
MT41J1G4THD-15E:D Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR3 內存大小: 4Gb (1G x 4) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 667MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.425V ~ 1.575V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 78-TFBGA 供應商設備包裝: 78-FBGA (9x11.5)	庫存6,408
MT41J256M16HA-093:E Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR3 內存大小: 4Gb (256M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 1066MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.425V ~ 1.575V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 96-TFBGA 供應商設備包裝: 96-FBGA (9x14)	庫存39,275
MT41J256M16HA-093:E TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR3 內存大小: 4Gb (256M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 1066MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.425V ~ 1.575V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 96-TFBGA 供應商設備包裝: 96-FBGA (9x14)	庫存3,510
MT41J256M16HA-093G:E Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR3 內存大小: 4Gb (256M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 1066MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.425V ~ 1.575V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 96-TFBGA 供應商設備包裝: 96-FBGA (9x14)	庫存35,316
MT41J256M16HA-093G:E TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR3 內存大小: 4Gb (256M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 1066MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.425V ~ 1.575V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 96-TFBGA 供應商設備包裝: 96-FBGA (9x14)	庫存8,946
MT41J256M16HA-093 J:E Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR3 內存大小: 4Gb (256M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 1066MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.425V ~ 1.575V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 96-TFBGA 供應商設備包裝: 96-FBGA (8x14)	庫存5,958
MT41J256M16HA-107:E Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR3 內存大小: 4Gb (256M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 933MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.425V ~ 1.575V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 96-TFBGA 供應商設備包裝: 96-FBGA (9x14)	庫存7,452
MT41J256M16HA-107:E TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR3 內存大小: 4Gb (256M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 933MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.425V ~ 1.575V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 96-TFBGA 供應商設備包裝: 96-FBGA (9x14)	庫存7,002
MT41J256M16HA-125:E Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR3 內存大小: 4Gb (256M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 800MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 13.75ns 電壓-供電: 1.425V ~ 1.575V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 96-TFBGA 供應商設備包裝: 96-FBGA (9x14)	庫存17
MT41J256M16HA-125:E TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR3 內存大小: 4Gb (256M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 800MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 13.75ns 電壓-供電: 1.425V ~ 1.575V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 96-TFBGA 供應商設備包裝: 96-FBGA (9x14)	庫存7,092
MT41J256M16LY-091G:N Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 4G PARALLEL 1GHZ 96FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR3 內存大小: 4Gb (256M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 1GHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.425V ~ 1.575V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 96-TFBGA 供應商設備包裝: 96-FBGA (7.5x13.5)	庫存15,613
MT41J256M16LY-091G:N TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 4G PARALLEL 1GHZ 96FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR3 內存大小: 4Gb (256M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 1GHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.425V ~ 1.575V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 96-TFBGA 供應商設備包裝: 96-FBGA (7.5x13.5)	庫存3,168
MT41J256M16RE-15E IT:D Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR3 內存大小: 4Gb (256M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 667MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 13.5ns 電壓-供電: 1.425V ~ 1.575V 工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 96-TFBGA 供應商設備包裝: 96-FBGA (10x14)	庫存5,112
MT41J256M4HX-15E:D TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR3 內存大小: 1Gb (256M x 4) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 667MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.425V ~ 1.575V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 78-FBGA 供應商設備包裝: 78-FBGA (9.5x11.5)	庫存5,148
MT41J256M4JP-125:G Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR3 內存大小: 1Gb (256M x 4) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 800MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.425V ~ 1.575V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 78-TFBGA 供應商設備包裝: 78-FBGA (8x11.5)	庫存3,852
MT41J256M4JP-15E:G Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR3 內存大小: 1Gb (256M x 4) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 667MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.425V ~ 1.575V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 78-TFBGA 供應商設備包裝: 78-FBGA (8x11.5)	庫存3,672
MT41J256M8DA-093:K Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR3 內存大小: 2Gb (256M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 1066MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.425V ~ 1.575V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 78-TFBGA 供應商設備包裝: 78-FBGA (8x10.5)	庫存3,635
MT41J256M8DA-093:K TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR3 內存大小: 2Gb (256M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 1066MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.425V ~ 1.575V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 78-TFBGA 供應商設備包裝: 78-FBGA (8x10.5)	庫存6,426
MT41J256M8DA-107:K Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR3 內存大小: 2Gb (256M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 933MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.425V ~ 1.575V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 78-TFBGA 供應商設備包裝: 78-FBGA (8x10.5)	庫存8,820
MT41J256M8DA-107:K TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR3 內存大小: 2Gb (256M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 933MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.425V ~ 1.575V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 78-TFBGA 供應商設備包裝: 78-FBGA (8x10.5)	庫存6,264
MT41J256M8DA-125:K Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR3 內存大小: 2Gb (256M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 800MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 13.75ns 電壓-供電: 1.425V ~ 1.575V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 78-TFBGA 供應商設備包裝: 78-FBGA (8x10.5)	庫存3,014
MT41J256M8DA-125:K TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR3 內存大小: 2Gb (256M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 800MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 13.75ns 電壓-供電: 1.425V ~ 1.575V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 78-TFBGA 供應商設備包裝: 78-FBGA (8x10.5)	庫存5,274
MT41J256M8HX-125:D Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR3 內存大小: 2Gb (256M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 800MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 13.75ns 電壓-供電: 1.425V ~ 1.575V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 78-TFBGA 供應商設備包裝: 78-FBGA (9x11.5)	庫存3,132
MT41J256M8HX-15E AAT:D Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR3 內存大小: 2Gb (256M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 667MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 13.5ns 電壓-供電: 1.425V ~ 1.575V 工作溫度: -40°C ~ 105°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 78-TFBGA 供應商設備包裝: 78-FBGA (9x11.5)	庫存7,902
MT41J256M8HX-15E AIT:D Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR3 內存大小: 2Gb (256M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 667MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 13.5ns 電壓-供電: 1.425V ~ 1.575V 工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 78-TFBGA 供應商設備包裝: 78-FBGA (9x11.5)	庫存6,516
MT41J256M8HX-15E:D Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR3 內存大小: 2Gb (256M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 667MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 13.5ns 電壓-供電: 1.425V ~ 1.575V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 78-TFBGA 供應商設備包裝: 78-FBGA (9x11.5)	庫存32,896
MT41J256M8HX-15E:D TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR3 內存大小: 2Gb (256M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 667MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 13.5ns 電壓-供電: 1.425V ~ 1.575V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 78-TFBGA 供應商設備包裝: 78-FBGA (9x11.5)	庫存2,628
MT41J256M8HX-15E IT:D Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR3 內存大小: 2Gb (256M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 667MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 13.5ns 電壓-供電: 1.425V ~ 1.575V 工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 78-TFBGA 供應商設備包裝: 78-FBGA (9x11.5)	庫存4,140
MT41J256M8HX-15E IT:D TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR3 內存大小: 2Gb (256M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 667MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 13.5ns 電壓-供電: 1.425V ~ 1.575V 工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 78-TFBGA 供應商設備包裝: 78-FBGA (9x11.5)	庫存4,716

MT41J128M8JP-15E IT:G TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR3
內存大小: 1Gb (128M x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 667MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: -
電壓-供電: 1.425V ~ 1.575V
工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 78-TFBGA
供應商設備包裝: 78-FBGA (8x11.5)

庫存5,796

MT41J1G4THD-15E:D

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR3
內存大小: 4Gb (1G x 4)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 667MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: -
電壓-供電: 1.425V ~ 1.575V
工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 78-TFBGA
供應商設備包裝: 78-FBGA (9x11.5)

庫存6,408

MT41J256M16HA-093:E

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR3
內存大小: 4Gb (256M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 1066MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 20ns
電壓-供電: 1.425V ~ 1.575V
工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 96-TFBGA
供應商設備包裝: 96-FBGA (9x14)

庫存39,275

MT41J256M16HA-093:E TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR3
內存大小: 4Gb (256M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 1066MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 20ns
電壓-供電: 1.425V ~ 1.575V
工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 96-TFBGA
供應商設備包裝: 96-FBGA (9x14)

庫存3,510

MT41J256M16HA-093G:E

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR3
內存大小: 4Gb (256M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 1066MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 20ns
電壓-供電: 1.425V ~ 1.575V
工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 96-TFBGA
供應商設備包裝: 96-FBGA (9x14)

庫存35,316

MT41J256M16HA-093G:E TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR3
內存大小: 4Gb (256M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 1066MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 20ns
電壓-供電: 1.425V ~ 1.575V
工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 96-TFBGA
供應商設備包裝: 96-FBGA (9x14)

庫存8,946

MT41J256M16HA-093 J:E

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR3
內存大小: 4Gb (256M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 1066MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 20ns
電壓-供電: 1.425V ~ 1.575V
工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 96-TFBGA
供應商設備包裝: 96-FBGA (8x14)

庫存5,958

MT41J256M16HA-107:E

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR3
內存大小: 4Gb (256M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 933MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 20ns
電壓-供電: 1.425V ~ 1.575V
工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 96-TFBGA
供應商設備包裝: 96-FBGA (9x14)

庫存7,452

MT41J256M16HA-107:E TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR3
內存大小: 4Gb (256M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 933MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 20ns
電壓-供電: 1.425V ~ 1.575V
工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 96-TFBGA
供應商設備包裝: 96-FBGA (9x14)

庫存7,002

MT41J256M16HA-125:E

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR3
內存大小: 4Gb (256M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 800MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 13.75ns
電壓-供電: 1.425V ~ 1.575V
工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 96-TFBGA
供應商設備包裝: 96-FBGA (9x14)

庫存17

MT41J256M16HA-125:E TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR3
內存大小: 4Gb (256M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 800MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 13.75ns
電壓-供電: 1.425V ~ 1.575V
工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 96-TFBGA
供應商設備包裝: 96-FBGA (9x14)

庫存7,092

MT41J256M16LY-091G:N

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 4G PARALLEL 1GHZ 96FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR3
內存大小: 4Gb (256M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 1GHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: -
電壓-供電: 1.425V ~ 1.575V
工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 96-TFBGA
供應商設備包裝: 96-FBGA (7.5x13.5)

庫存15,613

MT41J256M16LY-091G:N TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 4G PARALLEL 1GHZ 96FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR3
內存大小: 4Gb (256M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 1GHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: -
電壓-供電: 1.425V ~ 1.575V
工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 96-TFBGA
供應商設備包裝: 96-FBGA (7.5x13.5)

庫存3,168

MT41J256M16RE-15E IT:D

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR3
內存大小: 4Gb (256M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 667MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 13.5ns
電壓-供電: 1.425V ~ 1.575V
工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 96-TFBGA
供應商設備包裝: 96-FBGA (10x14)

庫存5,112

MT41J256M4HX-15E:D TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR3
內存大小: 1Gb (256M x 4)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 667MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: -
電壓-供電: 1.425V ~ 1.575V
工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 78-FBGA
供應商設備包裝: 78-FBGA (9.5x11.5)

庫存5,148

MT41J256M4JP-125:G

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR3
內存大小: 1Gb (256M x 4)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 800MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: -
電壓-供電: 1.425V ~ 1.575V
工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 78-TFBGA
供應商設備包裝: 78-FBGA (8x11.5)

庫存3,852

MT41J256M4JP-15E:G

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR3
內存大小: 1Gb (256M x 4)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 667MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: -
電壓-供電: 1.425V ~ 1.575V
工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 78-TFBGA
供應商設備包裝: 78-FBGA (8x11.5)

庫存3,672

MT41J256M8DA-093:K

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR3
內存大小: 2Gb (256M x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 1066MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 20ns
電壓-供電: 1.425V ~ 1.575V
工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 78-TFBGA
供應商設備包裝: 78-FBGA (8x10.5)

庫存3,635

MT41J256M8DA-093:K TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR3
內存大小: 2Gb (256M x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 1066MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 20ns
電壓-供電: 1.425V ~ 1.575V
工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 78-TFBGA
供應商設備包裝: 78-FBGA (8x10.5)

庫存6,426

MT41J256M8DA-107:K

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR3
內存大小: 2Gb (256M x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 933MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 20ns
電壓-供電: 1.425V ~ 1.575V
工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 78-TFBGA
供應商設備包裝: 78-FBGA (8x10.5)

庫存8,820

MT41J256M8DA-107:K TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR3
內存大小: 2Gb (256M x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 933MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 20ns
電壓-供電: 1.425V ~ 1.575V
工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 78-TFBGA
供應商設備包裝: 78-FBGA (8x10.5)

庫存6,264

MT41J256M8DA-125:K

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR3
內存大小: 2Gb (256M x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 800MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 13.75ns
電壓-供電: 1.425V ~ 1.575V
工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 78-TFBGA
供應商設備包裝: 78-FBGA (8x10.5)

庫存3,014

MT41J256M8DA-125:K TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR3
內存大小: 2Gb (256M x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 800MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 13.75ns
電壓-供電: 1.425V ~ 1.575V
工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 78-TFBGA
供應商設備包裝: 78-FBGA (8x10.5)

庫存5,274

MT41J256M8HX-125:D

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR3
內存大小: 2Gb (256M x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 800MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 13.75ns
電壓-供電: 1.425V ~ 1.575V
工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 78-TFBGA
供應商設備包裝: 78-FBGA (9x11.5)

庫存3,132

MT41J256M8HX-15E AAT:D

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR3
內存大小: 2Gb (256M x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 667MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 13.5ns
電壓-供電: 1.425V ~ 1.575V
工作溫度: -40°C ~ 105°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 78-TFBGA
供應商設備包裝: 78-FBGA (9x11.5)

庫存7,902

MT41J256M8HX-15E AIT:D

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR3
內存大小: 2Gb (256M x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 667MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 13.5ns
電壓-供電: 1.425V ~ 1.575V
工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 78-TFBGA
供應商設備包裝: 78-FBGA (9x11.5)

庫存6,516

MT41J256M8HX-15E:D

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR3
內存大小: 2Gb (256M x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 667MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 13.5ns
電壓-供電: 1.425V ~ 1.575V
工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 78-TFBGA
供應商設備包裝: 78-FBGA (9x11.5)

庫存32,896

MT41J256M8HX-15E:D TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR3
內存大小: 2Gb (256M x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 667MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 13.5ns
電壓-供電: 1.425V ~ 1.575V
工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 78-TFBGA
供應商設備包裝: 78-FBGA (9x11.5)

庫存2,628

MT41J256M8HX-15E IT:D

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR3
內存大小: 2Gb (256M x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 667MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 13.5ns
電壓-供電: 1.425V ~ 1.575V
工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 78-TFBGA
供應商設備包裝: 78-FBGA (9x11.5)

庫存4,140

MT41J256M8HX-15E IT:D TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR3
內存大小: 2Gb (256M x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 667MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 13.5ns
電壓-供電: 1.425V ~ 1.575V
工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 78-TFBGA
供應商設備包裝: 78-FBGA (9x11.5)

庫存4,716

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