內存IC

MT46V64M8TG-6T L:F TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

• 制造商: Micron Technology Inc.
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR
• 內存大小: 512Mb (64M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 167MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 700ps
• 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 66-TSOP

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MT46V64M8TG-75:D

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

• 制造商: Micron Technology Inc.
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR
• 內存大小: 512Mb (64M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 133MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 750ps
• 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 66-TSOP

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Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

• 制造商: Micron Technology Inc.
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR
• 內存大小: 512Mb (64M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 133MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 750ps
• 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 66-TSOP

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MT46V64M8TG-75E:D

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

• 制造商: Micron Technology Inc.
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR
• 內存大小: 512Mb (64M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 133MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 750ps
• 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 66-TSOP

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Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

• 制造商: Micron Technology Inc.
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR
• 內存大小: 512Mb (64M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 133MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 750ps
• 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 66-TSOP

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MT46V64M8TG-75 IT:D

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

• 制造商: Micron Technology Inc.
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR
• 內存大小: 512Mb (64M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 133MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 750ps
• 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 66-TSOP

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Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

• 制造商: Micron Technology Inc.
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR
• 內存大小: 512Mb (64M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 133MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 750ps
• 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 66-TSOP

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MT46V64M8TG-75 L:D TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

• 制造商: Micron Technology Inc.
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR
• 內存大小: 512Mb (64M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 133MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 750ps
• 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 66-TSOP

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MT46V64M8TG-75Z:D

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

• 制造商: Micron Technology Inc.
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR
• 內存大小: 512Mb (64M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 133MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 750ps
• 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 66-TSOP

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MT46V64M8TG-75Z:D TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

• 制造商: Micron Technology Inc.
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR
• 內存大小: 512Mb (64M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 133MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 750ps
• 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 66-TSOP

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MT46V8M16P-5B:D TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP

• 制造商: Micron Technology Inc.
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR
• 內存大小: 128Mb (8M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 200MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 700ps
• 電壓-供電: 2.5V ~ 2.7V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 66-TSOP

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MT46V8M16P-6T:D TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP

• 制造商: Micron Technology Inc.
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR
• 內存大小: 128Mb (8M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 167MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 700ps
• 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 66-TSOP

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MT46V8M16P-6TIT:DTR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP

• 制造商: Micron Technology Inc.
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR
• 內存大小: 128Mb (8M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 167MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 700ps
• 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 66-TSOP

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MT46V8M16P-6T L:D TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP

• 制造商: Micron Technology Inc.
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR
• 內存大小: 128Mb (8M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 167MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 700ps
• 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 66-TSOP

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MT46V8M16P-75:D

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP

• 制造商: Micron Technology Inc.
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR
• 內存大小: 128Mb (8M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 133MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 750ps
• 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 66-TSOP

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MT46V8M16P-75:D TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP

• 制造商: Micron Technology Inc.
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR
• 內存大小: 128Mb (8M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 133MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 750ps
• 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 66-TSOP

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MT46V8M16TG-6T:D TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP

• 制造商: Micron Technology Inc.
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR
• 內存大小: 128Mb (8M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 167MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 700ps
• 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 66-TSOP

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MT46V8M16TG-6T IT:D TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP

• 制造商: Micron Technology Inc.
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR
• 內存大小: 128Mb (8M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 167MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 700ps
• 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 66-TSOP

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MT46V8M16TG-6T L:D TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP

• 制造商: Micron Technology Inc.
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR
• 內存大小: 128Mb (8M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 167MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 700ps
• 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 66-TSOP

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MT46V8M16TG-75:D

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP

• 制造商: Micron Technology Inc.
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR
• 內存大小: 128Mb (8M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 133MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 750ps
• 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 66-TSOP

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MT46V8M16TG-75:D TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP

• 制造商: Micron Technology Inc.
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR
• 內存大小: 128Mb (8M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 133MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 750ps
• 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 66-TSOP

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MT47H128M16PK-25E IT:C

Alliance Memory, Inc.

內存

IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

• 制造商: Alliance Memory, Inc.
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR2
• 內存大小: 2Gb (128M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 400MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 400ps
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 84-TFBGA
• 供應商設備包裝: 84-FBGA (9x12.5)

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MT47H128M16PK-25E IT:C

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

• 制造商: Micron Technology Inc.
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR2
• 內存大小: 2Gb (128M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 400MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 400ps
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 84-TFBGA
• 供應商設備包裝: 84-FBGA (9x12.5)

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MT47H128M16PK-25E IT:CTR

Alliance Memory, Inc.

內存

IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

• 制造商: Alliance Memory, Inc.
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR2
• 內存大小: 2Gb (128M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 400MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 400ps
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 84-TFBGA
• 供應商設備包裝: 84-FBGA (9x12.5)

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MT47H128M16RT-187E:C

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

• 制造商: Micron Technology Inc.
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR2
• 內存大小: 2Gb (128M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 533MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 350ps
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 84-TFBGA
• 供應商設備包裝: 84-FBGA (9x12.5)

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MT47H128M16RT-187E:C TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

• 制造商: Micron Technology Inc.
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR2
• 內存大小: 2Gb (128M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 533MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 350ps
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 84-TFBGA
• 供應商設備包裝: 84-FBGA (9x12.5)

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MT47H128M16RT-25E AAT:C

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

• 制造商: Micron Technology Inc.
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR2
• 內存大小: 2Gb (128M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 400MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 400ps
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: -40°C ~ 105°C (TC)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 84-TFBGA
• 供應商設備包裝: 84-FBGA (9x12.5)

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MT47H128M16RT-25E AAT:C TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

• 制造商: Micron Technology Inc.
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR2
• 內存大小: 2Gb (128M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 400MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 400ps
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: -40°C ~ 105°C (TC)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 84-TFBGA
• 供應商設備包裝: 84-FBGA (9x12.5)

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MT47H128M16RT-25E AIT:C

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

• 制造商: Micron Technology Inc.
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR2
• 內存大小: 2Gb (128M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 400MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 400ps
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 84-TFBGA
• 供應商設備包裝: 84-FBGA (9x12.5)

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MT47H128M16RT-25E AIT:C TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

• 制造商: Micron Technology Inc.
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR2
• 內存大小: 2Gb (128M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 400MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 400ps
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 84-TFBGA
• 供應商設備包裝: 84-FBGA (9x12.5)

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