內存IC

型號	描述	庫存
MT47H128M8BT-37E:A Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR2 內存大小: 1Gb (128M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 267MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 400ps 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 92-VFBGA 供應商設備包裝: 92-FBGA (11x19)	庫存6,282
MT47H128M8BT-37E L:A Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR2 內存大小: 1Gb (128M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 267MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 400ps 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 92-VFBGA 供應商設備包裝: 92-FBGA (11x19)	庫存2,016
MT47H128M8BT-3 L:A Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR2 內存大小: 1Gb (128M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 333MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 450ps 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 92-VFBGA 供應商設備包裝: 92-FBGA (11x19)	庫存4,032
MT47H128M8BT-5E:A Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR2 內存大小: 1Gb (128M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 200MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 600ps 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 92-VFBGA 供應商設備包裝: 92-FBGA (11x19)	庫存4,122
MT47H128M8BT-5E L:A Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR2 內存大小: 1Gb (128M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 200MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 600ps 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 92-VFBGA 供應商設備包裝: 92-FBGA (11x19)	庫存3,762
MT47H128M8CF-187E:H Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR2 內存大小: 1Gb (128M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 533MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 350ps 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-TFBGA 供應商設備包裝: 60-FBGA (8x10)	庫存6,858
MT47H128M8CF-187E:H TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR2 內存大小: 1Gb (128M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 533MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 350ps 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-TFBGA 供應商設備包裝: 60-FBGA (8x10)	庫存7,128
MT47H128M8CF-25E AIT:H Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR2 內存大小: 1Gb (128M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 400ps 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-TFBGA 供應商設備包裝: 60-FBGA (8x10)	庫存8,766
MT47H128M8CF-25E AIT:H TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR2 內存大小: 1Gb (128M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 400ps 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-TFBGA 供應商設備包裝: 60-FBGA (8x10)	庫存3,490
MT47H128M8CF-25E:H Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR2 內存大小: 1Gb (128M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 400ps 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-TFBGA 供應商設備包裝: 60-FBGA (8x10)	庫存70,785
MT47H128M8CF-25E:H TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR2 內存大小: 1Gb (128M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 400ps 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-TFBGA 供應商設備包裝: 60-FBGA (8x10)	庫存7,668
MT47H128M8CF-25E IT:H Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR2 內存大小: 1Gb (128M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 400ps 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-TFBGA 供應商設備包裝: 60-FBGA (8x10)	庫存56,149
MT47H128M8CF-25E IT:H TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR2 內存大小: 1Gb (128M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 400ps 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-TFBGA 供應商設備包裝: 60-FBGA (8x10)	庫存3,186
MT47H128M8CF-25E:M Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 1G PARALLEL 400MHZ 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR2 內存大小: 1Gb (128M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 400ps 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-TFBGA 供應商設備包裝: 60-FBGA (8x10)	庫存2,646
MT47H128M8CF-25:H Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR2 內存大小: 1Gb (128M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 400ps 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-TFBGA 供應商設備包裝: 60-FBGA (8x10)	庫存11,152
MT47H128M8CF-25:H TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR2 內存大小: 1Gb (128M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 400ps 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-TFBGA 供應商設備包裝: 60-FBGA (8x10)	庫存6,858
MT47H128M8CF-3 AAT:H Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR2 內存大小: 1Gb (128M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 333MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 450ps 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: -40°C ~ 105°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-TFBGA 供應商設備包裝: 60-FBGA (8x10)	庫存3,240
MT47H128M8CF-3 AAT:H TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR2 內存大小: 1Gb (128M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 333MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 450ps 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: -40°C ~ 105°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-TFBGA 供應商設備包裝: 60-FBGA (8x10)	庫存5,436
MT47H128M8CF-3 AIT:H Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR2 內存大小: 1Gb (128M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 333MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 450ps 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-TFBGA 供應商設備包裝: 60-FBGA (8x10)	庫存4,500
MT47H128M8CF-3 AIT:H TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR2 內存大小: 1Gb (128M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 333MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 450ps 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-TFBGA 供應商設備包裝: 60-FBGA (8x10)	庫存3,096
MT47H128M8CF-3:H Alliance Memory, Inc.	內存 IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA 制造商: Alliance Memory, Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR2 內存大小: 1Gb (128M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 333MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 450ps 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-TFBGA 供應商設備包裝: 60-FBGA (8x10)	庫存57,537
MT47H128M8CF-3:H Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR2 內存大小: 1Gb (128M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 333MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 450ps 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-TFBGA 供應商設備包裝: 60-FBGA (8x10)	庫存3,947
MT47H128M8CF-3:H TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR2 內存大小: 1Gb (128M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 333MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 450ps 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-TFBGA 供應商設備包裝: 60-FBGA (10x18)	庫存6,174
MT47H128M8CF-3 IT:H Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR2 內存大小: 1Gb (128M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 333MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 450ps 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-TFBGA 供應商設備包裝: 60-FBGA (8x10)	庫存70,132
MT47H128M8CF-3 IT:H TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR2 內存大小: 1Gb (128M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 333MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 450ps 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-TFBGA 供應商設備包裝: 60-FBGA (8x10)	庫存3,438
MT47H128M8CF-3 L:H Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR2 內存大小: 1Gb (128M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 333MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 450ps 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-TFBGA 供應商設備包裝: 60-FBGA (8x10)	庫存7,416
MT47H128M8CF-3 L:H TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR2 內存大小: 1Gb (128M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 333MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 450ps 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-TFBGA 供應商設備包裝: 60-FBGA (8x10)	庫存7,218
MT47H128M8HQ-187E:E TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR2 內存大小: 1Gb (128M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 533MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 350ps 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-FBGA 供應商設備包裝: 60-FBGA (8x11.5)	庫存3,562
MT47H128M8HQ-3:E TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR2 內存大小: 1Gb (128M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 333MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 450ps 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-FBGA 供應商設備包裝: 60-FBGA (8x11.5)	庫存7,254
MT47H128M8HQ-3:G TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR2 內存大小: 1Gb (128M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 333MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 450ps 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-FBGA 供應商設備包裝: 60-FBGA (8x11.5)	庫存8,514

MT47H128M8BT-37E:A

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR2
內存大小: 1Gb (128M x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 267MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 400ps
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 92-VFBGA
供應商設備包裝: 92-FBGA (11x19)

庫存6,282

MT47H128M8BT-37E L:A

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR2
內存大小: 1Gb (128M x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 267MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 400ps
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 92-VFBGA
供應商設備包裝: 92-FBGA (11x19)

庫存2,016

MT47H128M8BT-3 L:A

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR2
內存大小: 1Gb (128M x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 333MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 450ps
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 92-VFBGA
供應商設備包裝: 92-FBGA (11x19)

庫存4,032

MT47H128M8BT-5E:A

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR2
內存大小: 1Gb (128M x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 200MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 600ps
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 92-VFBGA
供應商設備包裝: 92-FBGA (11x19)

庫存4,122

MT47H128M8BT-5E L:A

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR2
內存大小: 1Gb (128M x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 200MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 600ps
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 92-VFBGA
供應商設備包裝: 92-FBGA (11x19)

庫存3,762

MT47H128M8CF-187E:H

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR2
內存大小: 1Gb (128M x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 533MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 350ps
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-TFBGA
供應商設備包裝: 60-FBGA (8x10)

庫存6,858

MT47H128M8CF-187E:H TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR2
內存大小: 1Gb (128M x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 533MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 350ps
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-TFBGA
供應商設備包裝: 60-FBGA (8x10)

庫存7,128

MT47H128M8CF-25E AIT:H

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR2
內存大小: 1Gb (128M x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 400MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 400ps
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-TFBGA
供應商設備包裝: 60-FBGA (8x10)

庫存8,766

MT47H128M8CF-25E AIT:H TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR2
內存大小: 1Gb (128M x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 400MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 400ps
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-TFBGA
供應商設備包裝: 60-FBGA (8x10)

庫存3,490

MT47H128M8CF-25E:H

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR2
內存大小: 1Gb (128M x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 400MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 400ps
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-TFBGA
供應商設備包裝: 60-FBGA (8x10)

庫存70,785

MT47H128M8CF-25E:H TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR2
內存大小: 1Gb (128M x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 400MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 400ps
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-TFBGA
供應商設備包裝: 60-FBGA (8x10)

庫存7,668

MT47H128M8CF-25E IT:H

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR2
內存大小: 1Gb (128M x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 400MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 400ps
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-TFBGA
供應商設備包裝: 60-FBGA (8x10)

庫存56,149

MT47H128M8CF-25E IT:H TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR2
內存大小: 1Gb (128M x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 400MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 400ps
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-TFBGA
供應商設備包裝: 60-FBGA (8x10)

庫存3,186

MT47H128M8CF-25E:M

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 400MHZ

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR2
內存大小: 1Gb (128M x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 400MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 400ps
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-TFBGA
供應商設備包裝: 60-FBGA (8x10)

庫存2,646

MT47H128M8CF-25:H

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR2
內存大小: 1Gb (128M x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 400MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 400ps
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-TFBGA
供應商設備包裝: 60-FBGA (8x10)

庫存11,152

MT47H128M8CF-25:H TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR2
內存大小: 1Gb (128M x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 400MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 400ps
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-TFBGA
供應商設備包裝: 60-FBGA (8x10)

庫存6,858

MT47H128M8CF-3 AAT:H

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR2
內存大小: 1Gb (128M x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 333MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 450ps
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: -40°C ~ 105°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-TFBGA
供應商設備包裝: 60-FBGA (8x10)

庫存3,240

MT47H128M8CF-3 AAT:H TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR2
內存大小: 1Gb (128M x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 333MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 450ps
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: -40°C ~ 105°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-TFBGA
供應商設備包裝: 60-FBGA (8x10)

庫存5,436

MT47H128M8CF-3 AIT:H

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR2
內存大小: 1Gb (128M x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 333MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 450ps
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-TFBGA
供應商設備包裝: 60-FBGA (8x10)

庫存4,500

MT47H128M8CF-3 AIT:H TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR2
內存大小: 1Gb (128M x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 333MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 450ps
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-TFBGA
供應商設備包裝: 60-FBGA (8x10)

庫存3,096

MT47H128M8CF-3:H

Alliance Memory, Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

制造商: Alliance Memory, Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR2
內存大小: 1Gb (128M x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 333MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 450ps
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-TFBGA
供應商設備包裝: 60-FBGA (8x10)

庫存57,537

MT47H128M8CF-3:H

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR2
內存大小: 1Gb (128M x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 333MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 450ps
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-TFBGA
供應商設備包裝: 60-FBGA (8x10)

庫存3,947

MT47H128M8CF-3:H TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR2
內存大小: 1Gb (128M x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 333MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 450ps
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-TFBGA
供應商設備包裝: 60-FBGA (10x18)

庫存6,174

MT47H128M8CF-3 IT:H

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR2
內存大小: 1Gb (128M x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 333MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 450ps
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-TFBGA
供應商設備包裝: 60-FBGA (8x10)

庫存70,132

MT47H128M8CF-3 IT:H TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR2
內存大小: 1Gb (128M x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 333MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 450ps
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-TFBGA
供應商設備包裝: 60-FBGA (8x10)

庫存3,438

MT47H128M8CF-3 L:H

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR2
內存大小: 1Gb (128M x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 333MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 450ps
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-TFBGA
供應商設備包裝: 60-FBGA (8x10)

庫存7,416

MT47H128M8CF-3 L:H TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR2
內存大小: 1Gb (128M x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 333MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 450ps
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-TFBGA
供應商設備包裝: 60-FBGA (8x10)

庫存7,218

MT47H128M8HQ-187E:E TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR2
內存大小: 1Gb (128M x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 533MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 350ps
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-FBGA
供應商設備包裝: 60-FBGA (8x11.5)

庫存3,562

MT47H128M8HQ-3:E TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR2
內存大小: 1Gb (128M x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 333MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 450ps
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-FBGA
供應商設備包裝: 60-FBGA (8x11.5)

庫存7,254

MT47H128M8HQ-3:G TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR2
內存大小: 1Gb (128M x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 333MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 450ps
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-FBGA
供應商設備包裝: 60-FBGA (8x11.5)

庫存8,514

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