內存IC

型號	描述	庫存
MT47H256M4BT-37E:A Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR2 內存大小: 1Gb (256M x 4) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 267MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 400ps 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 92-VFBGA 供應商設備包裝: 92-FBGA (11x19)	庫存4,824
MT47H256M4BT-3:A Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR2 內存大小: 1Gb (256M x 4) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 333MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 450ps 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 92-VFBGA 供應商設備包裝: 92-FBGA (11x19)	庫存4,428
MT47H256M4BT-5E:A Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR2 內存大小: 1Gb (256M x 4) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 200MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 600ps 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 92-VFBGA 供應商設備包裝: 92-FBGA (11x19)	庫存4,950
MT47H256M4CF-25E:H Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR2 內存大小: 1Gb (256M x 4) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 400ps 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-TFBGA 供應商設備包裝: 60-FBGA (8x10)	庫存3,472
MT47H256M4CF-25E:H TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR2 內存大小: 1Gb (256M x 4) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 400ps 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-TFBGA 供應商設備包裝: 60-FBGA (8x10)	庫存8,514
MT47H256M4CF-25:H Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR2 內存大小: 1Gb (256M x 4) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 400ps 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-TFBGA 供應商設備包裝: 60-FBGA (8x10)	庫存2,502
MT47H256M4CF-3:H Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR2 內存大小: 1Gb (256M x 4) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 333MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 450ps 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-TFBGA 供應商設備包裝: 60-FBGA (8x10)	庫存2,214
MT47H256M4CF-3:H TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR2 內存大小: 1Gb (256M x 4) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 333MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 450ps 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-TFBGA 供應商設備包裝: 60-FBGA (8x10)	庫存4,986
MT47H256M4CF-3 IT:H Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR2 內存大小: 1Gb (256M x 4) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 333MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 450ps 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-TFBGA 供應商設備包裝: 60-FBGA (8x10)	庫存5,202
MT47H256M4HQ-187E:E TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR2 內存大小: 1Gb (256M x 4) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 533MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 350ps 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-FBGA 供應商設備包裝: 60-FBGA (8x11.5)	庫存3,508
MT47H256M4HQ-3:E TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR2 內存大小: 1Gb (256M x 4) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 333MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 450ps 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-FBGA 供應商設備包裝: 60-FBGA (8x11.5)	庫存5,544
MT47H256M4HQ-5E:E TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR2 內存大小: 1Gb (256M x 4) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 200MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 600ps 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-FBGA 供應商設備包裝: 60-FBGA (8x11.5)	庫存2,538
MT47H256M4SH-25E:M Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR2 內存大小: 1Gb (256M x 4) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 400ps 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-TFBGA 供應商設備包裝: 60-FBGA (8x10)	庫存8,082
MT47H256M4SH-25E:M TR Micron Technology Inc.	內存 IC SDRAM DDR2 1G 60FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR2 內存大小: 1Gb (256M x 4) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 400ps 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-TFBGA 供應商設備包裝: 60-FBGA (8x10)	庫存8,982
MT47H256M8EB-187E:C Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR2 內存大小: 2Gb (256M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 533MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 350ps 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-TFBGA 供應商設備包裝: 60-FBGA (9x11.5)	庫存7,416
MT47H256M8EB-187E:C TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR2 內存大小: 2Gb (256M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 533MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 350ps 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-TFBGA 供應商設備包裝: 60-FBGA (9x11.5)	庫存7,704
MT47H256M8EB-25E AIT:C Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR2 內存大小: 2Gb (256M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 400ps 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-TFBGA 供應商設備包裝: 60-FBGA (9x11.5)	庫存7,848
MT47H256M8EB-25E AIT:C TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR2 內存大小: 2Gb (256M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 400ps 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-TFBGA 供應商設備包裝: 60-FBGA (9x11.5)	庫存12,270
MT47H256M8EB-25E:C Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR2 內存大小: 2Gb (256M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 400ps 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-TFBGA 供應商設備包裝: 60-FBGA (9x11.5)	庫存11,349
MT47H256M8EB-25E:C TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR2 內存大小: 2Gb (256M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 400ps 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-TFBGA 供應商設備包裝: 60-FBGA (9x11.5)	庫存6,930
MT47H256M8EB-25E IT:C Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR2 內存大小: 2Gb (256M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 400ps 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-TFBGA 供應商設備包裝: 60-FBGA (9x11.5)	庫存14,514
MT47H256M8EB-25E IT:C TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR2 內存大小: 2Gb (256M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 400ps 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-TFBGA 供應商設備包裝: 60-FBGA (9x11.5)	庫存19,020
MT47H256M8EB-25E XIT:C Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR2 內存大小: 2Gb (256M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 400ps 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-TFBGA 供應商設備包裝: 60-FBGA (9x11.5)	庫存8,964
MT47H256M8EB-25E XIT:C TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR2 內存大小: 2Gb (256M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 400ps 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-TFBGA 供應商設備包裝: 60-FBGA (9x11.5)	庫存4,230
MT47H256M8EB-3:C Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR2 內存大小: 2Gb (256M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 333MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 450ps 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-TFBGA 供應商設備包裝: 60-FBGA (9x11.5)	庫存1,427
MT47H256M8EB-3:C TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR2 內存大小: 2Gb (256M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 333MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 450ps 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-TFBGA 供應商設備包裝: 60-FBGA (9x11.5)	庫存5,436
MT47H256M8THN-25E:H Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR2 內存大小: 2Gb (256M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 400ps 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 63-TFBGA 供應商設備包裝: 63-FBGA (8x10)	庫存18,570
MT47H256M8THN-25E:H TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR2 內存大小: 2Gb (256M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 400ps 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 63-TFBGA 供應商設備包裝: 63-FBGA (8x10)	庫存6,408
MT47H256M8THN-25E IT:H Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR2 內存大小: 2Gb (256M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 400ps 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 63-TFBGA 供應商設備包裝: 63-FBGA (8x10)	庫存4,626
MT47H256M8THN-25E:M Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR2 內存大小: 2Gb (256M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 400ps 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 63-TFBGA 供應商設備包裝: 63-FBGA (8x10)	庫存6,570

MT47H256M4BT-37E:A

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR2
內存大小: 1Gb (256M x 4)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 267MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 400ps
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 92-VFBGA
供應商設備包裝: 92-FBGA (11x19)

庫存4,824

MT47H256M4BT-3:A

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR2
內存大小: 1Gb (256M x 4)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 333MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 450ps
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 92-VFBGA
供應商設備包裝: 92-FBGA (11x19)

庫存4,428

MT47H256M4BT-5E:A

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR2
內存大小: 1Gb (256M x 4)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 200MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 600ps
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 92-VFBGA
供應商設備包裝: 92-FBGA (11x19)

庫存4,950

MT47H256M4CF-25E:H

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR2
內存大小: 1Gb (256M x 4)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 400MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 400ps
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-TFBGA
供應商設備包裝: 60-FBGA (8x10)

庫存3,472

MT47H256M4CF-25E:H TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR2
內存大小: 1Gb (256M x 4)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 400MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 400ps
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-TFBGA
供應商設備包裝: 60-FBGA (8x10)

庫存8,514

MT47H256M4CF-25:H

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR2
內存大小: 1Gb (256M x 4)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 400MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 400ps
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-TFBGA
供應商設備包裝: 60-FBGA (8x10)

庫存2,502

MT47H256M4CF-3:H

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR2
內存大小: 1Gb (256M x 4)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 333MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 450ps
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-TFBGA
供應商設備包裝: 60-FBGA (8x10)

庫存2,214

MT47H256M4CF-3:H TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR2
內存大小: 1Gb (256M x 4)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 333MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 450ps
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-TFBGA
供應商設備包裝: 60-FBGA (8x10)

庫存4,986

MT47H256M4CF-3 IT:H

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR2
內存大小: 1Gb (256M x 4)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 333MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 450ps
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-TFBGA
供應商設備包裝: 60-FBGA (8x10)

庫存5,202

MT47H256M4HQ-187E:E TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR2
內存大小: 1Gb (256M x 4)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 533MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 350ps
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-FBGA
供應商設備包裝: 60-FBGA (8x11.5)

庫存3,508

MT47H256M4HQ-3:E TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR2
內存大小: 1Gb (256M x 4)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 333MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 450ps
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-FBGA
供應商設備包裝: 60-FBGA (8x11.5)

庫存5,544

MT47H256M4HQ-5E:E TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR2
內存大小: 1Gb (256M x 4)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 200MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 600ps
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-FBGA
供應商設備包裝: 60-FBGA (8x11.5)

庫存2,538

MT47H256M4SH-25E:M

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR2
內存大小: 1Gb (256M x 4)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 400MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 400ps
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-TFBGA
供應商設備包裝: 60-FBGA (8x10)

庫存8,082

MT47H256M4SH-25E:M TR

Micron Technology Inc.

內存

IC SDRAM DDR2 1G 60FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR2
內存大小: 1Gb (256M x 4)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 400MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 400ps
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-TFBGA
供應商設備包裝: 60-FBGA (8x10)

庫存8,982

MT47H256M8EB-187E:C

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR2
內存大小: 2Gb (256M x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 533MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 350ps
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-TFBGA
供應商設備包裝: 60-FBGA (9x11.5)

庫存7,416

MT47H256M8EB-187E:C TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR2
內存大小: 2Gb (256M x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 533MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 350ps
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-TFBGA
供應商設備包裝: 60-FBGA (9x11.5)

庫存7,704

MT47H256M8EB-25E AIT:C

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR2
內存大小: 2Gb (256M x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 400MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 400ps
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-TFBGA
供應商設備包裝: 60-FBGA (9x11.5)

庫存7,848

MT47H256M8EB-25E AIT:C TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR2
內存大小: 2Gb (256M x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 400MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 400ps
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-TFBGA
供應商設備包裝: 60-FBGA (9x11.5)

庫存12,270

MT47H256M8EB-25E:C

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR2
內存大小: 2Gb (256M x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 400MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 400ps
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-TFBGA
供應商設備包裝: 60-FBGA (9x11.5)

庫存11,349

MT47H256M8EB-25E:C TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR2
內存大小: 2Gb (256M x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 400MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 400ps
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-TFBGA
供應商設備包裝: 60-FBGA (9x11.5)

庫存6,930

MT47H256M8EB-25E IT:C

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR2
內存大小: 2Gb (256M x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 400MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 400ps
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-TFBGA
供應商設備包裝: 60-FBGA (9x11.5)

庫存14,514

MT47H256M8EB-25E IT:C TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR2
內存大小: 2Gb (256M x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 400MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 400ps
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-TFBGA
供應商設備包裝: 60-FBGA (9x11.5)

庫存19,020

MT47H256M8EB-25E XIT:C

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR2
內存大小: 2Gb (256M x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 400MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 400ps
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-TFBGA
供應商設備包裝: 60-FBGA (9x11.5)

庫存8,964

MT47H256M8EB-25E XIT:C TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR2
內存大小: 2Gb (256M x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 400MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 400ps
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-TFBGA
供應商設備包裝: 60-FBGA (9x11.5)

庫存4,230

MT47H256M8EB-3:C

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR2
內存大小: 2Gb (256M x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 333MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 450ps
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-TFBGA
供應商設備包裝: 60-FBGA (9x11.5)

庫存1,427

MT47H256M8EB-3:C TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR2
內存大小: 2Gb (256M x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 333MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 450ps
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-TFBGA
供應商設備包裝: 60-FBGA (9x11.5)

庫存5,436

MT47H256M8THN-25E:H

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR2
內存大小: 2Gb (256M x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 400MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 400ps
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 63-TFBGA
供應商設備包裝: 63-FBGA (8x10)

庫存18,570

MT47H256M8THN-25E:H TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR2
內存大小: 2Gb (256M x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 400MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 400ps
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 63-TFBGA
供應商設備包裝: 63-FBGA (8x10)

庫存6,408

MT47H256M8THN-25E IT:H

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR2
內存大小: 2Gb (256M x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 400MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 400ps
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 63-TFBGA
供應商設備包裝: 63-FBGA (8x10)

庫存4,626

MT47H256M8THN-25E:M

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR2
內存大小: 2Gb (256M x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 400MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 400ps
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 63-TFBGA
供應商設備包裝: 63-FBGA (8x10)

庫存6,570

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