內存IC

型號	描述	庫存
MT47H64M8SH-25E AIT:H Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR2 內存大小: 512Mb (64M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 400ps 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-TFBGA 供應商設備包裝: 60-FBGA (10x18)	庫存7,236
MT47H64M8SH-25E AIT:H TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR2 內存大小: 512Mb (64M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 400ps 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-TFBGA 供應商設備包裝: 60-FBGA (10x18)	庫存2,016
MT47H64M8SH-25E:H Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR2 內存大小: 512Mb (64M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 400ps 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-TFBGA 供應商設備包裝: 60-FBGA (8x10)	庫存78,323
MT47H64M8SH-25E:H TR Micron Technology Inc.	內存 IC SDRAM DDR2 512M 60FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR2 內存大小: 512M (64M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 400ps 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-TFBGA 供應商設備包裝: 60-FBGA (8x10)	庫存4,860
MT47H64M8SH-25E IT:H Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR2 內存大小: 512Mb (64M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 400ps 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-TFBGA 供應商設備包裝: 60-FBGA (8x10)	庫存2,232
MT47H64M8SH-25E IT:H TR Micron Technology Inc.	內存 IC SDRAM DDR2 512M 60FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR2 內存大小: 512M (64M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 400ps 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-TFBGA 供應商設備包裝: 60-FBGA (8x10)	庫存5,706
MT47R128M8CF-25:H Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR2 內存大小: 1Gb (128M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 400ps 電壓-供電: 1.55V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-TFBGA 供應商設備包裝: 60-FBGA (8x10)	庫存4,536
MT47R128M8CF-3:H Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR2 內存大小: 1Gb (128M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 333MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 450ps 電壓-供電: 1.55V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-TFBGA 供應商設備包裝: 60-FBGA (8x10)	庫存7,830
MT47R256M4CF-25E:H Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR2 內存大小: 1Gb (256M x 4) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 400ps 電壓-供電: 1.55V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-TFBGA 供應商設備包裝: 60-FBGA (8x10)	庫存3,132
MT47R256M4CF-3:H Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR2 內存大小: 1Gb (256M x 4) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 333MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 450ps 電壓-供電: 1.55V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-TFBGA 供應商設備包裝: 60-FBGA (8x10)	庫存5,904
MT47R256M8EB-25E:C Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR2 內存大小: 2Gb (256M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 400ps 電壓-供電: 1.55V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-FBGA 供應商設備包裝: 60-FBGA (9x11.5)	庫存3,636
MT47R512M4EB-25E:C Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR2 內存大小: 2Gb (512M x 4) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 400ps 電壓-供電: 1.55V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-TFBGA 供應商設備包裝: 60-FBGA (9x11.5)	庫存2,772
MT47R64M16HR-25E:H Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR2 內存大小: 1Gb (64M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 400ps 電壓-供電: 1.55V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 84-TFBGA 供應商設備包裝: 84-FBGA (8x12.5)	庫存4,140
MT47R64M16HR-25:H Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR2 內存大小: 1Gb (64M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 400ps 電壓-供電: 1.55V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 84-TFBGA 供應商設備包裝: 84-FBGA (8x12.5)	庫存3,150
MT47R64M16HR-3:H Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR2 內存大小: 1Gb (64M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 333MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 450ps 電壓-供電: 1.55V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 84-TFBGA 供應商設備包裝: 84-FBGA (8x12.5)	庫存2,088
MT48H16M16LFBF-6:H Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPSDR 內存大小: 256Mb (16M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 166MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 5ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 54-VFBGA 供應商設備包裝: 54-VFBGA (8x9)	庫存5,004
MT48H16M16LFBF-6 IT:H Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPSDR 內存大小: 256Mb (16M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 166MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 5ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 54-VFBGA 供應商設備包裝: 54-VFBGA (8x9)	庫存3,366
MT48H16M16LFBF-75 AT:G TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPSDR 內存大小: 256Mb (16M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 133MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 5.4ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V 工作溫度: -40°C ~ 105°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 54-VFBGA 供應商設備包裝: 54-VFBGA (8x9)	庫存4,896
MT48H16M16LFBF-75:G TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPSDR 內存大小: 256Mb (16M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 133MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 5.4ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 54-VFBGA 供應商設備包裝: 54-VFBGA (8x9)	庫存8,496
MT48H16M16LFBF-75:H Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPSDR 內存大小: 256Mb (16M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 133MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 5.4ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 54-VFBGA 供應商設備包裝: 54-VFBGA (8x9)	庫存7,416
MT48H16M16LFBF-75 IT:G TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPSDR 內存大小: 256Mb (16M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 133MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 5.4ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 54-VFBGA 供應商設備包裝: 54-VFBGA (8x9)	庫存8,316
MT48H16M16LFBF-75 IT:H Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPSDR 內存大小: 256Mb (16M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 133MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 5.4ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 54-VFBGA 供應商設備包裝: 54-VFBGA (8x9)	庫存3,544
MT48H16M16LFBF-75 IT:H TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPSDR 內存大小: 256Mb (16M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 133MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 5.4ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 54-VFBGA 供應商設備包裝: 54-VFBGA (8x9)	庫存4,536
MT48H16M32L2B5-10 Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPSDR 內存大小: 512Mb (16M x 32) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 100MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 7.5ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 90-VFBGA 供應商設備包裝: 90-VFBGA (8x13)	庫存8,532
MT48H16M32L2B5-10 IT Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPSDR 內存大小: 512Mb (16M x 32) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 100MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 7.5ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 90-VFBGA 供應商設備包裝: 90-VFBGA (8x13)	庫存4,086
MT48H16M32L2B5-10 IT TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPSDR 內存大小: 512Mb (16M x 32) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 100MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 7.5ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 90-VFBGA 供應商設備包裝: 90-VFBGA (8x13)	庫存4,230
MT48H16M32L2B5-10 TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPSDR 內存大小: 512Mb (16M x 32) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 100MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 7.5ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 90-VFBGA 供應商設備包裝: 90-VFBGA (8x13)	庫存5,760
MT48H16M32L2B5-8 Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPSDR 內存大小: 512Mb (16M x 32) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 125MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 7.5ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 90-VFBGA 供應商設備包裝: 90-VFBGA (8x13)	庫存5,976
MT48H16M32L2B5-8 IT Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPSDR 內存大小: 512Mb (16M x 32) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 125MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 7.5ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 90-VFBGA 供應商設備包裝: 90-VFBGA (8x13)	庫存7,686
MT48H16M32L2B5-8 IT TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPSDR 內存大小: 512Mb (16M x 32) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 125MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 7.5ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 90-VFBGA 供應商設備包裝: 90-VFBGA (8x13)	庫存3,492

MT47H64M8SH-25E AIT:H

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR2
內存大小: 512Mb (64M x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 400MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 400ps
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-TFBGA
供應商設備包裝: 60-FBGA (10x18)

庫存7,236

MT47H64M8SH-25E AIT:H TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR2
內存大小: 512Mb (64M x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 400MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 400ps
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-TFBGA
供應商設備包裝: 60-FBGA (10x18)

庫存2,016

MT47H64M8SH-25E:H

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR2
內存大小: 512Mb (64M x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 400MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 400ps
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-TFBGA
供應商設備包裝: 60-FBGA (8x10)

庫存78,323

MT47H64M8SH-25E:H TR

Micron Technology Inc.

內存

IC SDRAM DDR2 512M 60FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR2
內存大小: 512M (64M x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 400MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 400ps
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-TFBGA
供應商設備包裝: 60-FBGA (8x10)

庫存4,860

MT47H64M8SH-25E IT:H

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR2
內存大小: 512Mb (64M x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 400MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 400ps
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-TFBGA
供應商設備包裝: 60-FBGA (8x10)

庫存2,232

MT47H64M8SH-25E IT:H TR

Micron Technology Inc.

內存

IC SDRAM DDR2 512M 60FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR2
內存大小: 512M (64M x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 400MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 400ps
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-TFBGA
供應商設備包裝: 60-FBGA (8x10)

庫存5,706

MT47R128M8CF-25:H

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR2
內存大小: 1Gb (128M x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 400MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 400ps
電壓-供電: 1.55V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-TFBGA
供應商設備包裝: 60-FBGA (8x10)

庫存4,536

MT47R128M8CF-3:H

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR2
內存大小: 1Gb (128M x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 333MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 450ps
電壓-供電: 1.55V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-TFBGA
供應商設備包裝: 60-FBGA (8x10)

庫存7,830

MT47R256M4CF-25E:H

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR2
內存大小: 1Gb (256M x 4)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 400MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 400ps
電壓-供電: 1.55V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-TFBGA
供應商設備包裝: 60-FBGA (8x10)

庫存3,132

MT47R256M4CF-3:H

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR2
內存大小: 1Gb (256M x 4)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 333MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 450ps
電壓-供電: 1.55V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-TFBGA
供應商設備包裝: 60-FBGA (8x10)

庫存5,904

MT47R256M8EB-25E:C

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR2
內存大小: 2Gb (256M x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 400MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 400ps
電壓-供電: 1.55V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-FBGA
供應商設備包裝: 60-FBGA (9x11.5)

庫存3,636

MT47R512M4EB-25E:C

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR2
內存大小: 2Gb (512M x 4)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 400MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 400ps
電壓-供電: 1.55V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-TFBGA
供應商設備包裝: 60-FBGA (9x11.5)

庫存2,772

MT47R64M16HR-25E:H

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR2
內存大小: 1Gb (64M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 400MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 400ps
電壓-供電: 1.55V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 84-TFBGA
供應商設備包裝: 84-FBGA (8x12.5)

庫存4,140

MT47R64M16HR-25:H

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR2
內存大小: 1Gb (64M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 400MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 400ps
電壓-供電: 1.55V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 84-TFBGA
供應商設備包裝: 84-FBGA (8x12.5)

庫存3,150

MT47R64M16HR-3:H

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR2
內存大小: 1Gb (64M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 333MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 450ps
電壓-供電: 1.55V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 84-TFBGA
供應商設備包裝: 84-FBGA (8x12.5)

庫存2,088

MT48H16M16LFBF-6:H

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPSDR
內存大小: 256Mb (16M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 166MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 5ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 54-VFBGA
供應商設備包裝: 54-VFBGA (8x9)

庫存5,004

MT48H16M16LFBF-6 IT:H

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPSDR
內存大小: 256Mb (16M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 166MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 5ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 54-VFBGA
供應商設備包裝: 54-VFBGA (8x9)

庫存3,366

MT48H16M16LFBF-75 AT:G TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPSDR
內存大小: 256Mb (16M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 133MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 5.4ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
工作溫度: -40°C ~ 105°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 54-VFBGA
供應商設備包裝: 54-VFBGA (8x9)

庫存4,896

MT48H16M16LFBF-75:G TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPSDR
內存大小: 256Mb (16M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 133MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 5.4ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 54-VFBGA
供應商設備包裝: 54-VFBGA (8x9)

庫存8,496

MT48H16M16LFBF-75:H

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPSDR
內存大小: 256Mb (16M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 133MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 5.4ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 54-VFBGA
供應商設備包裝: 54-VFBGA (8x9)

庫存7,416

MT48H16M16LFBF-75 IT:G TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPSDR
內存大小: 256Mb (16M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 133MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 5.4ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 54-VFBGA
供應商設備包裝: 54-VFBGA (8x9)

庫存8,316

MT48H16M16LFBF-75 IT:H

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPSDR
內存大小: 256Mb (16M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 133MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 5.4ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 54-VFBGA
供應商設備包裝: 54-VFBGA (8x9)

庫存3,544

MT48H16M16LFBF-75 IT:H TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPSDR
內存大小: 256Mb (16M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 133MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 5.4ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 54-VFBGA
供應商設備包裝: 54-VFBGA (8x9)

庫存4,536

MT48H16M32L2B5-10

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPSDR
內存大小: 512Mb (16M x 32)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 100MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 7.5ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 90-VFBGA
供應商設備包裝: 90-VFBGA (8x13)

庫存8,532

MT48H16M32L2B5-10 IT

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPSDR
內存大小: 512Mb (16M x 32)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 100MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 7.5ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 90-VFBGA
供應商設備包裝: 90-VFBGA (8x13)

庫存4,086

MT48H16M32L2B5-10 IT TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPSDR
內存大小: 512Mb (16M x 32)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 100MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 7.5ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 90-VFBGA
供應商設備包裝: 90-VFBGA (8x13)

庫存4,230

MT48H16M32L2B5-10 TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPSDR
內存大小: 512Mb (16M x 32)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 100MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 7.5ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 90-VFBGA
供應商設備包裝: 90-VFBGA (8x13)

庫存5,760

MT48H16M32L2B5-8

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPSDR
內存大小: 512Mb (16M x 32)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 125MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 7.5ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 90-VFBGA
供應商設備包裝: 90-VFBGA (8x13)

庫存5,976

MT48H16M32L2B5-8 IT

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPSDR
內存大小: 512Mb (16M x 32)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 125MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 7.5ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 90-VFBGA
供應商設備包裝: 90-VFBGA (8x13)

庫存7,686

MT48H16M32L2B5-8 IT TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPSDR
內存大小: 512Mb (16M x 32)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 125MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 7.5ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 90-VFBGA
供應商設備包裝: 90-VFBGA (8x13)

庫存3,492

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