內存IC

型號	描述	庫存
MT48H16M32L2B5-8 TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPSDR 內存大小: 512Mb (16M x 32) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 125MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 7.5ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 90-VFBGA 供應商設備包裝: 90-VFBGA (8x13)	庫存5,058
MT48H16M32L2F5-10 Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPSDR 內存大小: 512Mb (16M x 32) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 100MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 7.5ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 90-VFBGA 供應商設備包裝: 90-VFBGA (8x13)	庫存4,554
MT48H16M32L2F5-10 IT Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPSDR 內存大小: 512Mb (16M x 32) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 100MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 7.5ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 90-VFBGA 供應商設備包裝: 90-VFBGA (8x13)	庫存3,078
MT48H16M32L2F5-10 IT TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPSDR 內存大小: 512Mb (16M x 32) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 100MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 7.5ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 90-VFBGA 供應商設備包裝: 90-VFBGA (8x13)	庫存2,682
MT48H16M32L2F5-10 TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPSDR 內存大小: 512Mb (16M x 32) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 100MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 7.5ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 90-VFBGA 供應商設備包裝: 90-VFBGA (8x13)	庫存8,694
MT48H16M32L2F5-8 Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPSDR 內存大小: 512Mb (16M x 32) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 125MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 7.5ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 90-VFBGA 供應商設備包裝: 90-VFBGA (8x13)	庫存3,454
MT48H16M32L2F5-8 IT Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPSDR 內存大小: 512Mb (16M x 32) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 125MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 7.5ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 90-VFBGA 供應商設備包裝: 90-VFBGA (8x13)	庫存7,164
MT48H16M32L2F5-8 IT TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPSDR 內存大小: 512Mb (16M x 32) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 125MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 7.5ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 90-VFBGA 供應商設備包裝: 90-VFBGA (8x13)	庫存2,502
MT48H16M32L2F5-8 TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPSDR 內存大小: 512Mb (16M x 32) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 125MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 7.5ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 90-VFBGA 供應商設備包裝: 90-VFBGA (8x13)	庫存5,148
MT48H16M32LFB5-6 AAT:C TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPSDR 內存大小: 512Mb (16M x 32) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 166MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 5ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V 工作溫度: -40°C ~ 105°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 90-VFBGA 供應商設備包裝: 90-VFBGA (8x13)	庫存7,488
MT48H16M32LFB5-6 IT:C Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPSDR 內存大小: 512Mb (16M x 32) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 166MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 5ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 90-VFBGA 供應商設備包裝: 90-VFBGA (8x13)	庫存7,434
MT48H16M32LFB5-6 IT:C TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPSDR 內存大小: 512Mb (16M x 32) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 166MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 5ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 90-VFBGA 供應商設備包裝: 90-VFBGA (8x13)	庫存83,454
MT48H16M32LFB5-75 IT:C Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPSDR 內存大小: 512Mb (16M x 32) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 133MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 5.4ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 90-VFBGA 供應商設備包裝: 90-VFBGA (8x13)	庫存6,282
MT48H16M32LFB5-75 IT:C TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPSDR 內存大小: 512Mb (16M x 32) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 133MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 5.4ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 90-VFBGA 供應商設備包裝: 90-VFBGA (8x13)	庫存6,858
MT48H16M32LFCM-6:B TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPSDR 內存大小: 512Mb (16M x 32) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 166MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 5ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 90-VFBGA 供應商設備包裝: 90-VFBGA (10x13)	庫存4,572
MT48H16M32LFCM-6 IT:B Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPSDR 內存大小: 512Mb (16M x 32) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 166MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 5ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 90-VFBGA 供應商設備包裝: 90-VFBGA (10x13)	庫存3,186
MT48H16M32LFCM-6 IT:B TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPSDR 內存大小: 512Mb (16M x 32) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 166MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 5ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 90-VFBGA 供應商設備包裝: 90-VFBGA (10x13)	庫存5,256
MT48H16M32LFCM-6 L IT:B Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPSDR 內存大小: 512Mb (16M x 32) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 166MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 5ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 90-VFBGA 供應商設備包裝: 90-VFBGA (10x13)	庫存4,032
MT48H16M32LFCM-6 L IT:B TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPSDR 內存大小: 512Mb (16M x 32) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 166MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 5ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 90-VFBGA 供應商設備包裝: 90-VFBGA (10x13)	庫存4,032
MT48H16M32LFCM-75:A TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPSDR 內存大小: 512Mb (16M x 32) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 133MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 5.4ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 90-VFBGA 供應商設備包裝: 90-VFBGA (10x13)	庫存7,992
MT48H16M32LFCM-75:B TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPSDR 內存大小: 512Mb (16M x 32) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 133MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 5.4ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 90-VFBGA 供應商設備包裝: 90-VFBGA (10x13)	庫存7,974
MT48H16M32LFCM-75 IT:A TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPSDR 內存大小: 512Mb (16M x 32) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 133MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 5.4ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 90-VFBGA 供應商設備包裝: 90-VFBGA (10x13)	庫存8,424
MT48H16M32LFCM-75 IT:B TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPSDR 內存大小: 512Mb (16M x 32) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 133MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 5.4ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 90-VFBGA 供應商設備包裝: 90-VFBGA (10x13)	庫存3,744
MT48H32M16LFB4-6 AAT:C Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 512M PARALLEL 54VFBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: Automotive, AEC-Q100 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPSDR 內存大小: 512Mb (32M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 166MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 5ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V 工作溫度: -40°C ~ 105°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 54-VFBGA 供應商設備包裝: 54-VFBGA (8x8)	庫存5,292
MT48H32M16LFB4-6 AAT:C TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 512M PARALLEL 54VFBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: Automotive, AEC-Q100 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPSDR 內存大小: 512Mb (32M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 166MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 5ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V 工作溫度: -40°C ~ 105°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 54-VFBGA 供應商設備包裝: 54-VFBGA (8x8)	庫存8,910
MT48H32M16LFB4-6 AT:C Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 512M PARALLEL 54VFBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: Automotive, AEC-Q100 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPSDR 內存大小: 512Mb (32M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 166MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 5ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 54-VFBGA 供應商設備包裝: 54-VFBGA (8x8)	庫存6,624
MT48H32M16LFB4-6 AT:C TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 512M PARALLEL 54VFBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: Automotive, AEC-Q100 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPSDR 內存大小: 512Mb (32M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 166MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 5ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 54-VFBGA 供應商設備包裝: 54-VFBGA (8x8)	庫存3,042
MT48H32M16LFB4-6 IT:C Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 512M PARALLEL 54VFBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPSDR 內存大小: 512Mb (32M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 166MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 5ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 54-VFBGA 供應商設備包裝: 54-VFBGA (8x8)	庫存7,254
MT48H32M16LFB4-6 IT:C TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 512M PARALLEL 54VFBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPSDR 內存大小: 512Mb (32M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 166MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 5ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 54-VFBGA 供應商設備包裝: 54-VFBGA (8x8)	庫存6,948
MT48H32M16LFB4-75B IT:C Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 512M PARALLEL 54VFBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPSDR 內存大小: 512Mb (32M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 133MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 5.4ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 54-VFBGA 供應商設備包裝: 54-VFBGA (8x8)	庫存5,778

MT48H16M32L2B5-8 TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPSDR
內存大小: 512Mb (16M x 32)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 125MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 7.5ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 90-VFBGA
供應商設備包裝: 90-VFBGA (8x13)

庫存5,058

MT48H16M32L2F5-10

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPSDR
內存大小: 512Mb (16M x 32)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 100MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 7.5ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 90-VFBGA
供應商設備包裝: 90-VFBGA (8x13)

庫存4,554

MT48H16M32L2F5-10 IT

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPSDR
內存大小: 512Mb (16M x 32)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 100MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 7.5ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 90-VFBGA
供應商設備包裝: 90-VFBGA (8x13)

庫存3,078

MT48H16M32L2F5-10 IT TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPSDR
內存大小: 512Mb (16M x 32)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 100MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 7.5ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 90-VFBGA
供應商設備包裝: 90-VFBGA (8x13)

庫存2,682

MT48H16M32L2F5-10 TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPSDR
內存大小: 512Mb (16M x 32)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 100MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 7.5ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 90-VFBGA
供應商設備包裝: 90-VFBGA (8x13)

庫存8,694

MT48H16M32L2F5-8

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPSDR
內存大小: 512Mb (16M x 32)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 125MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 7.5ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 90-VFBGA
供應商設備包裝: 90-VFBGA (8x13)

庫存3,454

MT48H16M32L2F5-8 IT

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPSDR
內存大小: 512Mb (16M x 32)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 125MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 7.5ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 90-VFBGA
供應商設備包裝: 90-VFBGA (8x13)

庫存7,164

MT48H16M32L2F5-8 IT TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPSDR
內存大小: 512Mb (16M x 32)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 125MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 7.5ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 90-VFBGA
供應商設備包裝: 90-VFBGA (8x13)

庫存2,502

MT48H16M32L2F5-8 TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPSDR
內存大小: 512Mb (16M x 32)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 125MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 7.5ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 90-VFBGA
供應商設備包裝: 90-VFBGA (8x13)

庫存5,148

MT48H16M32LFB5-6 AAT:C TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPSDR
內存大小: 512Mb (16M x 32)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 166MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 5ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
工作溫度: -40°C ~ 105°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 90-VFBGA
供應商設備包裝: 90-VFBGA (8x13)

庫存7,488

MT48H16M32LFB5-6 IT:C

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPSDR
內存大小: 512Mb (16M x 32)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 166MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 5ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 90-VFBGA
供應商設備包裝: 90-VFBGA (8x13)

庫存7,434

MT48H16M32LFB5-6 IT:C TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPSDR
內存大小: 512Mb (16M x 32)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 166MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 5ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 90-VFBGA
供應商設備包裝: 90-VFBGA (8x13)

庫存83,454

MT48H16M32LFB5-75 IT:C

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPSDR
內存大小: 512Mb (16M x 32)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 133MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 5.4ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 90-VFBGA
供應商設備包裝: 90-VFBGA (8x13)

庫存6,282

MT48H16M32LFB5-75 IT:C TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPSDR
內存大小: 512Mb (16M x 32)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 133MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 5.4ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 90-VFBGA
供應商設備包裝: 90-VFBGA (8x13)

庫存6,858

MT48H16M32LFCM-6:B TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPSDR
內存大小: 512Mb (16M x 32)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 166MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 5ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 90-VFBGA
供應商設備包裝: 90-VFBGA (10x13)

庫存4,572

MT48H16M32LFCM-6 IT:B

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPSDR
內存大小: 512Mb (16M x 32)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 166MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 5ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 90-VFBGA
供應商設備包裝: 90-VFBGA (10x13)

庫存3,186

MT48H16M32LFCM-6 IT:B TR

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPSDR
內存大小: 512Mb (16M x 32)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 166MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 5ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 90-VFBGA
供應商設備包裝: 90-VFBGA (10x13)

庫存5,256

MT48H16M32LFCM-6 L IT:B

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPSDR
內存大小: 512Mb (16M x 32)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 166MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 5ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 90-VFBGA
供應商設備包裝: 90-VFBGA (10x13)

庫存4,032

MT48H16M32LFCM-6 L IT:B TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPSDR
內存大小: 512Mb (16M x 32)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 166MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 5ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
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安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 90-VFBGA
供應商設備包裝: 90-VFBGA (10x13)

庫存4,032

MT48H16M32LFCM-75:A TR

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPSDR
內存大小: 512Mb (16M x 32)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 133MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 5.4ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 90-VFBGA
供應商設備包裝: 90-VFBGA (10x13)

庫存7,992

MT48H16M32LFCM-75:B TR

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPSDR
內存大小: 512Mb (16M x 32)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 133MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 5.4ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 90-VFBGA
供應商設備包裝: 90-VFBGA (10x13)

庫存7,974

MT48H16M32LFCM-75 IT:A TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPSDR
內存大小: 512Mb (16M x 32)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 133MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 5.4ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 90-VFBGA
供應商設備包裝: 90-VFBGA (10x13)

庫存8,424

MT48H16M32LFCM-75 IT:B TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPSDR
內存大小: 512Mb (16M x 32)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 133MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 5.4ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 90-VFBGA
供應商設備包裝: 90-VFBGA (10x13)

庫存3,744

MT48H32M16LFB4-6 AAT:C

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 512M PARALLEL 54VFBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: Automotive, AEC-Q100
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPSDR
內存大小: 512Mb (32M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 166MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 5ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
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安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 54-VFBGA
供應商設備包裝: 54-VFBGA (8x8)

庫存5,292

MT48H32M16LFB4-6 AAT:C TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 54VFBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: Automotive, AEC-Q100
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPSDR
內存大小: 512Mb (32M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 166MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 5ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
工作溫度: -40°C ~ 105°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 54-VFBGA
供應商設備包裝: 54-VFBGA (8x8)

庫存8,910

MT48H32M16LFB4-6 AT:C

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 54VFBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: Automotive, AEC-Q100
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPSDR
內存大小: 512Mb (32M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 166MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 5ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 54-VFBGA
供應商設備包裝: 54-VFBGA (8x8)

庫存6,624

MT48H32M16LFB4-6 AT:C TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 54VFBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: Automotive, AEC-Q100
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPSDR
內存大小: 512Mb (32M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 166MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 5ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 54-VFBGA
供應商設備包裝: 54-VFBGA (8x8)

庫存3,042

MT48H32M16LFB4-6 IT:C

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 54VFBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPSDR
內存大小: 512Mb (32M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 166MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 5ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 54-VFBGA
供應商設備包裝: 54-VFBGA (8x8)

庫存7,254

MT48H32M16LFB4-6 IT:C TR

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 512M PARALLEL 54VFBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPSDR
內存大小: 512Mb (32M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 166MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 5ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 54-VFBGA
供應商設備包裝: 54-VFBGA (8x8)

庫存6,948

MT48H32M16LFB4-75B IT:C

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 512M PARALLEL 54VFBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPSDR
內存大小: 512Mb (32M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 133MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 5.4ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 54-VFBGA
供應商設備包裝: 54-VFBGA (8x8)

庫存5,778

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