內存IC

型號	描述	庫存
MT48H4M32LFB5-6 IT:K Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPSDR 內存大小: 128Mb (4M x 32) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 166MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 5ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 90-VFBGA 供應商設備包裝: 90-VFBGA (8x13)	庫存4,860
MT48H4M32LFB5-6:K Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPSDR 內存大小: 128Mb (4M x 32) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 166MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 5ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 90-VFBGA 供應商設備包裝: 90-VFBGA (8x13)	庫存2,988
MT48H4M32LFB5-75 AT:K Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPSDR 內存大小: 128Mb (4M x 32) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 133MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 5.4ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V 工作溫度: -40°C ~ 105°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 90-VFBGA 供應商設備包裝: 90-VFBGA (8x13)	庫存4,788
MT48H4M32LFB5-75 IT:K Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPSDR 內存大小: 128Mb (4M x 32) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 133MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 5.4ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 90-VFBGA 供應商設備包裝: 90-VFBGA (8x13)	庫存6,354
MT48H4M32LFB5-75:K Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPSDR 內存大小: 128Mb (4M x 32) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 133MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 5.4ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 90-VFBGA 供應商設備包裝: 90-VFBGA (8x13)	庫存6,354
MT48H8M16LFB4-10 Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPSDR 內存大小: 128Mb (8M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 104MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 7ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 54-VFBGA 供應商設備包裝: 54-VFBGA (8x8)	庫存8,694
MT48H8M16LFB4-6 IT:K Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPSDR 內存大小: 128Mb (8M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 166MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 5ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 54-VFBGA 供應商設備包裝: 54-VFBGA (8x8)	庫存8,694
MT48H8M16LFB4-6 IT:K TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPSDR 內存大小: 128Mb (8M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 166MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 5ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 54-VFBGA 供應商設備包裝: 54-VFBGA (8x8)	庫存2,088
MT48H8M16LFB4-6:K Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPSDR 內存大小: 128Mb (8M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 166MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 5ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 54-VFBGA 供應商設備包裝: 54-VFBGA (8x8)	庫存2,808
MT48H8M16LFB4-6:K TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPSDR 內存大小: 128Mb (8M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 166MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 5ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 54-VFBGA 供應商設備包裝: 54-VFBGA (8x8)	庫存2,574
MT48H8M16LFB4-75 IT:K Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPSDR 內存大小: 128Mb (8M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 133MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 5.4ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 54-VFBGA 供應商設備包裝: 54-VFBGA (8x8)	庫存4,104
MT48H8M16LFB4-75 IT:K TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPSDR 內存大小: 128Mb (8M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 133MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 5.4ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 54-VFBGA 供應商設備包裝: 54-VFBGA (8x8)	庫存2,088
MT48H8M16LFB4-75:K Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPSDR 內存大小: 128Mb (8M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 133MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 5.4ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 54-VFBGA 供應商設備包裝: 54-VFBGA (8x8)	庫存4,086
MT48H8M16LFB4-75:K TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPSDR 內存大小: 128Mb (8M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 133MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 5.4ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 54-VFBGA 供應商設備包裝: 54-VFBGA (8x8)	庫存6,642
MT48H8M16LFB4-8 IT:J Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPSDR 內存大小: 128Mb (8M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 125MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 7ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 54-VFBGA 供應商設備包裝: 54-VFBGA (8x8)	庫存5,040
MT48H8M16LFB4-8 IT:J TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPSDR 內存大小: 128Mb (8M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 125MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 7ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 54-VFBGA 供應商設備包裝: 54-VFBGA (8x8)	庫存3,690
MT48H8M16LFB4-8 IT TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPSDR 內存大小: 128Mb (8M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 125MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 7ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 54-VFBGA 供應商設備包裝: 54-VFBGA (8x8)	庫存7,218
MT48H8M16LFB4-8:J Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPSDR 內存大小: 128Mb (8M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 125MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 7ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 54-VFBGA 供應商設備包裝: 54-VFBGA (8x8)	庫存7,128
MT48H8M16LFB4-8:J TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPSDR 內存大小: 128Mb (8M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 125MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 7ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 54-VFBGA 供應商設備包裝: 54-VFBGA (8x8)	庫存7,632
MT48H8M16LFB4-8 TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPSDR 內存大小: 128Mb (8M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 125MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 7ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 54-VFBGA 供應商設備包裝: 54-VFBGA (8x8)	庫存7,398
MT48H8M16LFF4-10 Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPSDR 內存大小: 128Mb (8M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 104MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 7ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 54-VFBGA 供應商設備包裝: 54-VFBGA (8x8)	庫存2,052
MT48H8M16LFF4-10 IT Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPSDR 內存大小: 128Mb (8M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 104MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 7ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 54-VFBGA 供應商設備包裝: 54-VFBGA (8x8)	庫存8,928
MT48H8M16LFF4-8 Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPSDR 內存大小: 128Mb (8M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 125MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 6ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 54-VFBGA 供應商設備包裝: 54-VFBGA (8x8)	庫存7,884
MT48H8M16LFF4-8 IT Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPSDR 內存大小: 128Mb (8M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 125MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 6ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 54-VFBGA 供應商設備包裝: 54-VFBGA (8x8)	庫存8,856
MT48H8M32LFB5-10 Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPSDR 內存大小: 256Mb (8M x 32) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 100MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 7ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 90-VFBGA 供應商設備包裝: 90-VFBGA (8x13)	庫存3,924
MT48H8M32LFB5-10 IT Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPSDR 內存大小: 256Mb (8M x 32) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 100MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 7ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 90-VFBGA 供應商設備包裝: 90-VFBGA (8x13)	庫存3,096
MT48H8M32LFB5-10 IT TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPSDR 內存大小: 256Mb (8M x 32) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 100MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 7ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 90-VFBGA 供應商設備包裝: 90-VFBGA (8x13)	庫存7,200
MT48H8M32LFB5-10 TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPSDR 內存大小: 256Mb (8M x 32) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 100MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 7ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 90-VFBGA 供應商設備包裝: 90-VFBGA (8x13)	庫存6,948
MT48H8M32LFB5-6:H Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPSDR 內存大小: 256Mb (8M x 32) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 166MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 5ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 90-VFBGA 供應商設備包裝: 90-VFBGA (8x13)	庫存8,046
MT48H8M32LFB5-6:H TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPSDR 內存大小: 256Mb (8M x 32) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 166MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 5ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 90-VFBGA 供應商設備包裝: 90-VFBGA (8x13)	庫存8,874

MT48H4M32LFB5-6 IT:K

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPSDR
內存大小: 128Mb (4M x 32)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 166MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 5ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 90-VFBGA
供應商設備包裝: 90-VFBGA (8x13)

庫存4,860

MT48H4M32LFB5-6:K

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPSDR
內存大小: 128Mb (4M x 32)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 166MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 5ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 90-VFBGA
供應商設備包裝: 90-VFBGA (8x13)

庫存2,988

MT48H4M32LFB5-75 AT:K

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPSDR
內存大小: 128Mb (4M x 32)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 133MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 5.4ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
工作溫度: -40°C ~ 105°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 90-VFBGA
供應商設備包裝: 90-VFBGA (8x13)

庫存4,788

MT48H4M32LFB5-75 IT:K

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPSDR
內存大小: 128Mb (4M x 32)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 133MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 5.4ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 90-VFBGA
供應商設備包裝: 90-VFBGA (8x13)

庫存6,354

MT48H4M32LFB5-75:K

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPSDR
內存大小: 128Mb (4M x 32)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 133MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 5.4ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 90-VFBGA
供應商設備包裝: 90-VFBGA (8x13)

庫存6,354

MT48H8M16LFB4-10

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPSDR
內存大小: 128Mb (8M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 104MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 7ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 54-VFBGA
供應商設備包裝: 54-VFBGA (8x8)

庫存8,694

MT48H8M16LFB4-6 IT:K

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPSDR
內存大小: 128Mb (8M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 166MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 5ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 54-VFBGA
供應商設備包裝: 54-VFBGA (8x8)

庫存8,694

MT48H8M16LFB4-6 IT:K TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPSDR
內存大小: 128Mb (8M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 166MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 5ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 54-VFBGA
供應商設備包裝: 54-VFBGA (8x8)

庫存2,088

MT48H8M16LFB4-6:K

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPSDR
內存大小: 128Mb (8M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 166MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 5ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 54-VFBGA
供應商設備包裝: 54-VFBGA (8x8)

庫存2,808

MT48H8M16LFB4-6:K TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPSDR
內存大小: 128Mb (8M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 166MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 5ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 54-VFBGA
供應商設備包裝: 54-VFBGA (8x8)

庫存2,574

MT48H8M16LFB4-75 IT:K

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPSDR
內存大小: 128Mb (8M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 133MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 5.4ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 54-VFBGA
供應商設備包裝: 54-VFBGA (8x8)

庫存4,104

MT48H8M16LFB4-75 IT:K TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPSDR
內存大小: 128Mb (8M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 133MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 5.4ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 54-VFBGA
供應商設備包裝: 54-VFBGA (8x8)

庫存2,088

MT48H8M16LFB4-75:K

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPSDR
內存大小: 128Mb (8M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 133MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 5.4ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 54-VFBGA
供應商設備包裝: 54-VFBGA (8x8)

庫存4,086

MT48H8M16LFB4-75:K TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPSDR
內存大小: 128Mb (8M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 133MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 5.4ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 54-VFBGA
供應商設備包裝: 54-VFBGA (8x8)

庫存6,642

MT48H8M16LFB4-8 IT:J

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPSDR
內存大小: 128Mb (8M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 125MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 7ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 54-VFBGA
供應商設備包裝: 54-VFBGA (8x8)

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MT48H8M16LFB4-8 IT:J TR

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPSDR
內存大小: 128Mb (8M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 125MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 7ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 54-VFBGA
供應商設備包裝: 54-VFBGA (8x8)

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MT48H8M16LFB4-8 IT TR

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPSDR
內存大小: 128Mb (8M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 125MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 7ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 54-VFBGA
供應商設備包裝: 54-VFBGA (8x8)

庫存7,218

MT48H8M16LFB4-8:J

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IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPSDR
內存大小: 128Mb (8M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 125MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 7ns
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MT48H8M16LFB4-8:J TR

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IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPSDR
內存大小: 128Mb (8M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 125MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 7ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 54-VFBGA
供應商設備包裝: 54-VFBGA (8x8)

庫存7,632

MT48H8M16LFB4-8 TR

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPSDR
內存大小: 128Mb (8M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 125MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 7ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 54-VFBGA
供應商設備包裝: 54-VFBGA (8x8)

庫存7,398

MT48H8M16LFF4-10

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPSDR
內存大小: 128Mb (8M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 104MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 7ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 54-VFBGA
供應商設備包裝: 54-VFBGA (8x8)

庫存2,052

MT48H8M16LFF4-10 IT

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPSDR
內存大小: 128Mb (8M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 104MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 7ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 54-VFBGA
供應商設備包裝: 54-VFBGA (8x8)

庫存8,928

MT48H8M16LFF4-8

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPSDR
內存大小: 128Mb (8M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 125MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 6ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 54-VFBGA
供應商設備包裝: 54-VFBGA (8x8)

庫存7,884

MT48H8M16LFF4-8 IT

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPSDR
內存大小: 128Mb (8M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 125MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 6ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 54-VFBGA
供應商設備包裝: 54-VFBGA (8x8)

庫存8,856

MT48H8M32LFB5-10

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPSDR
內存大小: 256Mb (8M x 32)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 100MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 7ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 90-VFBGA
供應商設備包裝: 90-VFBGA (8x13)

庫存3,924

MT48H8M32LFB5-10 IT

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPSDR
內存大小: 256Mb (8M x 32)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 100MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 7ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 90-VFBGA
供應商設備包裝: 90-VFBGA (8x13)

庫存3,096

MT48H8M32LFB5-10 IT TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPSDR
內存大小: 256Mb (8M x 32)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 100MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 7ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 90-VFBGA
供應商設備包裝: 90-VFBGA (8x13)

庫存7,200

MT48H8M32LFB5-10 TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPSDR
內存大小: 256Mb (8M x 32)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 100MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 7ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 90-VFBGA
供應商設備包裝: 90-VFBGA (8x13)

庫存6,948

MT48H8M32LFB5-6:H

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPSDR
內存大小: 256Mb (8M x 32)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 166MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 5ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 90-VFBGA
供應商設備包裝: 90-VFBGA (8x13)

庫存8,046

MT48H8M32LFB5-6:H TR

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPSDR
內存大小: 256Mb (8M x 32)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 166MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 5ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 90-VFBGA
供應商設備包裝: 90-VFBGA (8x13)

庫存8,874

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