內存IC

型號	描述	庫存
71V424S10YGI IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Asynchronous 內存大小: 4Mb (512K x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: 10ns 訪問時間: 10ns 電壓-供電: 3V ~ 3.6V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝: 36-SOJ	庫存8,730
71V424S10YGI8 IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Asynchronous 內存大小: 4Mb (512K x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: 10ns 訪問時間: 10ns 電壓-供電: 3V ~ 3.6V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝: 36-SOJ	庫存3,474
71V424S12PHG IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Asynchronous 內存大小: 4Mb (512K x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: 12ns 訪問時間: 12ns 電壓-供電: 3V ~ 3.6V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝: 44-TSOP II	庫存7,686
71V424S12PHG8 IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Asynchronous 內存大小: 4Mb (512K x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: 12ns 訪問時間: 12ns 電壓-供電: 3V ~ 3.6V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝: 44-TSOP II	庫存2,052
71V424S12PHGI IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Asynchronous 內存大小: 4Mb (512K x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: 12ns 訪問時間: 12ns 電壓-供電: 3V ~ 3.6V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝: 44-TSOP II	庫存34,884
71V424S12PHGI8 IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Asynchronous 內存大小: 4Mb (512K x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: 12ns 訪問時間: 12ns 電壓-供電: 3V ~ 3.6V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝: 44-TSOP II	庫存5,868
71V424S12YG IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Asynchronous 內存大小: 4Mb (512K x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: 12ns 訪問時間: 12ns 電壓-供電: 3V ~ 3.6V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝: 36-SOJ	庫存4,716
71V424S12YG8 IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Asynchronous 內存大小: 4Mb (512K x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: 12ns 訪問時間: 12ns 電壓-供電: 3V ~ 3.6V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝: 36-SOJ	庫存5,598
71V424S12YGI IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Asynchronous 內存大小: 4Mb (512K x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: 12ns 訪問時間: 12ns 電壓-供電: 3V ~ 3.6V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝: 36-SOJ	庫存7,866
71V424S12YGI8 IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Asynchronous 內存大小: 4Mb (512K x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: 12ns 訪問時間: 12ns 電壓-供電: 3V ~ 3.6V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝: 36-SOJ	庫存8,190
71V424S15PHG IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Asynchronous 內存大小: 4Mb (512K x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 15ns 電壓-供電: 3V ~ 3.6V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝: 44-TSOP II	庫存5,040
71V424S15PHG8 IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Asynchronous 內存大小: 4Mb (512K x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 15ns 電壓-供電: 3V ~ 3.6V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝: 44-TSOP II	庫存5,688
71V424S15PHGI IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Asynchronous 內存大小: 4Mb (512K x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 15ns 電壓-供電: 3V ~ 3.6V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝: 44-TSOP II	庫存7,830
71V424S15PHGI8 IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Asynchronous 內存大小: 4Mb (512K x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 15ns 電壓-供電: 3V ~ 3.6V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝: 44-TSOP II	庫存5,724
71V424S15YG IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Asynchronous 內存大小: 4Mb (512K x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 15ns 電壓-供電: 3V ~ 3.6V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝: 36-SOJ	庫存26,418
71V424S15YG8 IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Asynchronous 內存大小: 4Mb (512K x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 15ns 電壓-供電: 3V ~ 3.6V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝: 36-SOJ	庫存4,248
71V424S15YGI IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Asynchronous 內存大小: 4Mb (512K x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 15ns 電壓-供電: 3V ~ 3.6V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝: 36-SOJ	庫存18,000
71V424S15YGI8 IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Asynchronous 內存大小: 4Mb (512K x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 15ns 電壓-供電: 3V ~ 3.6V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝: 36-SOJ	庫存3,456
71V432S5PFG IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 1M PARALLEL 100TQFP 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Synchronous, SDR 內存大小: 1Mb (32K x 32) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 100MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 5ns 電壓-供電: 3.135V ~ 3.63V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 100-LQFP 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)	庫存4,410
71V432S5PFG8 IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 1M PARALLEL 100TQFP 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Synchronous, SDR 內存大小: 1Mb (32K x 32) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 100MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 5ns 電壓-供電: 3.135V ~ 3.63V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 100-LQFP 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)	庫存7,704
71V432S5PFGI IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 1M PARALLEL 100TQFP 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Synchronous, SDR 內存大小: 1Mb (32K x 32) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 100MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 5ns 電壓-供電: 3.135V ~ 3.63V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 100-LQFP 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)	庫存4,356
71V432S5PFGI8 IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 1M PARALLEL 100TQFP 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Synchronous, SDR 內存大小: 1Mb (32K x 32) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 100MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 5ns 電壓-供電: 3.135V ~ 3.63V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 100-LQFP 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)	庫存5,058
71V432S6PFG IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 1M PARALLEL 100TQFP 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Synchronous, SDR 內存大小: 1Mb (32K x 32) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 83MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 6ns 電壓-供電: 3.135V ~ 3.63V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 100-LQFP 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)	庫存3,870
71V432S6PFG8 IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 1M PARALLEL 100TQFP 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Synchronous, SDR 內存大小: 1Mb (32K x 32) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 83MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 6ns 電壓-供電: 3.135V ~ 3.63V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 100-LQFP 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)	庫存3,222
71V432S6PFGI IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 1M PARALLEL 100TQFP 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Synchronous, SDR 內存大小: 1Mb (32K x 32) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 83MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 6ns 電壓-供電: 3.135V ~ 3.63V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 100-LQFP 供應商設備包裝: 100-TQFP	庫存2,286
71V432S6PFGI8 IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 1M PARALLEL 100TQFP 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Synchronous, SDR 內存大小: 1Mb (32K x 32) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 83MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 6ns 電壓-供電: 3.135V ~ 3.63V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 100-LQFP 供應商設備包裝: 100-TQFP	庫存3,510
71V546S100PFG IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 內存大小: 4.5Mb (128K x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 100MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 5ns 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 100-LQFP 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x20)	庫存6,252
71V546S100PFG8 IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 內存大小: 4.5Mb (128K x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 100MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 5ns 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 100-LQFP 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x20)	庫存6,966
71V546S100PFGI IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 內存大小: 4.5Mb (128K x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 100MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 5ns 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 100-LQFP 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x20)	庫存8,892
71V546S100PFGI8 IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 內存大小: 4.5Mb (128K x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 100MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 5ns 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 100-LQFP 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x20)	庫存7,344

71V424S10YGI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Asynchronous
內存大小: 4Mb (512K x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: -
寫周期-字，頁: 10ns
訪問時間: 10ns
電壓-供電: 3V ~ 3.6V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 36-SOJ

庫存8,730

71V424S10YGI8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Asynchronous
內存大小: 4Mb (512K x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: -
寫周期-字，頁: 10ns
訪問時間: 10ns
電壓-供電: 3V ~ 3.6V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 36-SOJ

庫存3,474

71V424S12PHG

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Asynchronous
內存大小: 4Mb (512K x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: -
寫周期-字，頁: 12ns
訪問時間: 12ns
電壓-供電: 3V ~ 3.6V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 44-TSOP II

庫存7,686

71V424S12PHG8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Asynchronous
內存大小: 4Mb (512K x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: -
寫周期-字，頁: 12ns
訪問時間: 12ns
電壓-供電: 3V ~ 3.6V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 44-TSOP II

庫存2,052

71V424S12PHGI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Asynchronous
內存大小: 4Mb (512K x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: -
寫周期-字，頁: 12ns
訪問時間: 12ns
電壓-供電: 3V ~ 3.6V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 44-TSOP II

庫存34,884

71V424S12PHGI8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Asynchronous
內存大小: 4Mb (512K x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: -
寫周期-字，頁: 12ns
訪問時間: 12ns
電壓-供電: 3V ~ 3.6V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 44-TSOP II

庫存5,868

71V424S12YG

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Asynchronous
內存大小: 4Mb (512K x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: -
寫周期-字，頁: 12ns
訪問時間: 12ns
電壓-供電: 3V ~ 3.6V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 36-SOJ

庫存4,716

71V424S12YG8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Asynchronous
內存大小: 4Mb (512K x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: -
寫周期-字，頁: 12ns
訪問時間: 12ns
電壓-供電: 3V ~ 3.6V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 36-SOJ

庫存5,598

71V424S12YGI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Asynchronous
內存大小: 4Mb (512K x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: -
寫周期-字，頁: 12ns
訪問時間: 12ns
電壓-供電: 3V ~ 3.6V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 36-SOJ

庫存7,866

71V424S12YGI8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Asynchronous
內存大小: 4Mb (512K x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: -
寫周期-字，頁: 12ns
訪問時間: 12ns
電壓-供電: 3V ~ 3.6V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 36-SOJ

庫存8,190

71V424S15PHG

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Asynchronous
內存大小: 4Mb (512K x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: -
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 15ns
電壓-供電: 3V ~ 3.6V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 44-TSOP II

庫存5,040

71V424S15PHG8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Asynchronous
內存大小: 4Mb (512K x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: -
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 15ns
電壓-供電: 3V ~ 3.6V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 44-TSOP II

庫存5,688

71V424S15PHGI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Asynchronous
內存大小: 4Mb (512K x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: -
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 15ns
電壓-供電: 3V ~ 3.6V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 44-TSOP II

庫存7,830

71V424S15PHGI8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Asynchronous
內存大小: 4Mb (512K x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: -
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 15ns
電壓-供電: 3V ~ 3.6V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 44-TSOP II

庫存5,724

71V424S15YG

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Asynchronous
內存大小: 4Mb (512K x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: -
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 15ns
電壓-供電: 3V ~ 3.6V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 36-SOJ

庫存26,418

71V424S15YG8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Asynchronous
內存大小: 4Mb (512K x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: -
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 15ns
電壓-供電: 3V ~ 3.6V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 36-SOJ

庫存4,248

71V424S15YGI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Asynchronous
內存大小: 4Mb (512K x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: -
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 15ns
電壓-供電: 3V ~ 3.6V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 36-SOJ

庫存18,000

71V424S15YGI8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Asynchronous
內存大小: 4Mb (512K x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: -
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 15ns
電壓-供電: 3V ~ 3.6V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 36-SOJ

庫存3,456

71V432S5PFG

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 1M PARALLEL 100TQFP

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Synchronous, SDR
內存大小: 1Mb (32K x 32)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 100MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 5ns
電壓-供電: 3.135V ~ 3.63V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 100-LQFP
供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)

庫存4,410

71V432S5PFG8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 1M PARALLEL 100TQFP

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Synchronous, SDR
內存大小: 1Mb (32K x 32)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 100MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 5ns
電壓-供電: 3.135V ~ 3.63V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 100-LQFP
供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)

庫存7,704

71V432S5PFGI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 1M PARALLEL 100TQFP

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Synchronous, SDR
內存大小: 1Mb (32K x 32)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 100MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 5ns
電壓-供電: 3.135V ~ 3.63V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 100-LQFP
供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)

庫存4,356

71V432S5PFGI8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 1M PARALLEL 100TQFP

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Synchronous, SDR
內存大小: 1Mb (32K x 32)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 100MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 5ns
電壓-供電: 3.135V ~ 3.63V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 100-LQFP
供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)

庫存5,058

71V432S6PFG

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 1M PARALLEL 100TQFP

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Synchronous, SDR
內存大小: 1Mb (32K x 32)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 83MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 6ns
電壓-供電: 3.135V ~ 3.63V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 100-LQFP
供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)

庫存3,870

71V432S6PFG8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 1M PARALLEL 100TQFP

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Synchronous, SDR
內存大小: 1Mb (32K x 32)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 83MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 6ns
電壓-供電: 3.135V ~ 3.63V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 100-LQFP
供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)

庫存3,222

71V432S6PFGI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 1M PARALLEL 100TQFP

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Synchronous, SDR
內存大小: 1Mb (32K x 32)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 83MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 6ns
電壓-供電: 3.135V ~ 3.63V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 100-LQFP
供應商設備包裝: 100-TQFP

庫存2,286

71V432S6PFGI8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 1M PARALLEL 100TQFP

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Synchronous, SDR
內存大小: 1Mb (32K x 32)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 83MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 6ns
電壓-供電: 3.135V ~ 3.63V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 100-LQFP
供應商設備包裝: 100-TQFP

庫存3,510

71V546S100PFG

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 100MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 5ns
電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 100-LQFP
供應商設備包裝: 100-TQFP (14x20)

庫存6,252

71V546S100PFG8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 100MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 5ns
電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 100-LQFP
供應商設備包裝: 100-TQFP (14x20)

庫存6,966

71V546S100PFGI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 100MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 5ns
電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 100-LQFP
供應商設備包裝: 100-TQFP (14x20)

庫存8,892

71V546S100PFGI8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 100MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 5ns
電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 100-LQFP
供應商設備包裝: 100-TQFP (14x20)

庫存7,344

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