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描述
庫存
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IS61NVP25672-250B1I
IS61NVP25672-250B1I

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 209LFBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 18Mb (256K x 72)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 250MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 2.6ns
  • 電壓-供電: 2.375V ~ 2.625V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 209-BGA
  • 供應商設備包裝: 209-LFBGA (14x22)
庫存7,308
IS61NVP25672-250B1I-TR
IS61NVP25672-250B1I-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 209LFBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 18Mb (256K x 72)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 250MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 2.6ns
  • 電壓-供電: 2.375V ~ 2.625V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 209-BGA
  • 供應商設備包裝: 209-LFBGA (14x22)
庫存5,238
IS61NVP409618B-250B3L
IS61NVP409618B-250B3L

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 72M PARALLEL 250MHZ

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 72Mb (4M x 18)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 250MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 2.8ns
  • 電壓-供電: 2.375V ~ 2.625V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 165-TBGA
  • 供應商設備包裝: 165-TFBGA (13x15)
庫存7,218
IS61NVP409618B-250B3L-TR
IS61NVP409618B-250B3L-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 72M PARALLEL 250MHZ

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 72Mb (4M x 18)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 250MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 2.8ns
  • 電壓-供電: 2.375V ~ 2.625V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 165-TBGA
  • 供應商設備包裝: 165-TFBGA (13x15)
庫存5,472
IS61NVP51236-200B3
IS61NVP51236-200B3

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 18Mb (512K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 3.1ns
  • 電壓-供電: 2.375V ~ 2.625V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 165-TBGA
  • 供應商設備包裝: 165-TFBGA (13x15)
庫存5,076
IS61NVP51236-200B3I
IS61NVP51236-200B3I

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 18Mb (512K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 3.1ns
  • 電壓-供電: 2.375V ~ 2.625V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 165-LFBGA
  • 供應商設備包裝: 165-TFBGA (13x15)
庫存7,110
IS61NVP51236-200B3I-TR
IS61NVP51236-200B3I-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 18Mb (512K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 3.1ns
  • 電壓-供電: 2.375V ~ 2.625V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 165-LFBGA
  • 供應商設備包裝: 165-TFBGA (13x15)
庫存7,848
IS61NVP51236-200B3LI
IS61NVP51236-200B3LI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 18Mb (512K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 3.1ns
  • 電壓-供電: 2.375V ~ 2.625V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 165-TBGA
  • 供應商設備包裝: 165-TFBGA (13x15)
庫存6,030
IS61NVP51236-200B3LI-TR
IS61NVP51236-200B3LI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 18Mb (512K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 3.1ns
  • 電壓-供電: 2.375V ~ 2.625V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 165-TBGA
  • 供應商設備包裝: 165-TFBGA (13x15)
庫存3,420
IS61NVP51236-200B3-TR
IS61NVP51236-200B3-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 18Mb (512K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 3.1ns
  • 電壓-供電: 2.375V ~ 2.625V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 165-TBGA
  • 供應商設備包裝: 165-TFBGA (13x15)
庫存4,518
IS61NVP51236-200TQLI
IS61NVP51236-200TQLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 18Mb (512K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 3.1ns
  • 電壓-供電: 2.375V ~ 2.625V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 100-LQFP
  • 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x20)
庫存7,920
IS61NVP51236-200TQLI-TR
IS61NVP51236-200TQLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 18Mb (512K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 3.1ns
  • 電壓-供電: 2.375V ~ 2.625V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 100-LQFP
  • 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x20)
庫存6,102
IS61NVP51236-250B3
IS61NVP51236-250B3

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 18Mb (512K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 250MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 2.6ns
  • 電壓-供電: 2.375V ~ 2.625V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 165-TBGA
  • 供應商設備包裝: 165-TFBGA (13x15)
庫存5,130
IS61NVP51236-250B3I
IS61NVP51236-250B3I

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 18Mb (512K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 250MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 2.6ns
  • 電壓-供電: 2.375V ~ 2.625V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 165-TBGA
  • 供應商設備包裝: 165-TFBGA (13x15)
庫存3,942
IS61NVP51236-250B3I-TR
IS61NVP51236-250B3I-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 18Mb (512K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 250MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 2.6ns
  • 電壓-供電: 2.375V ~ 2.625V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 165-TBGA
  • 供應商設備包裝: 165-TFBGA (13x15)
庫存8,586
IS61NVP51236-250B3-TR
IS61NVP51236-250B3-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 18Mb (512K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 250MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 2.6ns
  • 電壓-供電: 2.375V ~ 2.625V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 165-TBGA
  • 供應商設備包裝: 165-TFBGA (13x15)
庫存4,446
IS61NVP51236B-200B3I
IS61NVP51236B-200B3I

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 18Mb (512K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 3ns
  • 電壓-供電: 2.375V ~ 2.625V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 165-TBGA
  • 供應商設備包裝: 165-TFBGA (13x15)
庫存2,898
IS61NVP51236B-200B3I-TR
IS61NVP51236B-200B3I-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 18Mb (512K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 3ns
  • 電壓-供電: 2.375V ~ 2.625V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 165-TBGA
  • 供應商設備包裝: 165-TFBGA (13x15)
庫存4,212
IS61NVP51236B-200B3LI
IS61NVP51236B-200B3LI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 18Mb (512K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 3ns
  • 電壓-供電: 2.375V ~ 2.625V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 165-TBGA
  • 供應商設備包裝: 165-TFBGA (13x15)
庫存3,582
IS61NVP51236B-200B3LI-TR
IS61NVP51236B-200B3LI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 18Mb (512K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 3ns
  • 電壓-供電: 2.375V ~ 2.625V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 165-TBGA
  • 供應商設備包裝: 165-TFBGA (13x15)
庫存5,400
IS61NVP51236B-200TQLI
IS61NVP51236B-200TQLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 100LQFP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 18Mb (512K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 3ns
  • 電壓-供電: 2.375V ~ 2.625V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 100-LQFP
  • 供應商設備包裝: 100-LQFP (14x20)
庫存2,430
IS61NVP51236B-200TQLI-TR
IS61NVP51236B-200TQLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 100LQFP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 18Mb (512K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 3ns
  • 電壓-供電: 2.375V ~ 2.625V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 100-LQFP
  • 供應商設備包裝: 100-LQFP (14x20)
庫存5,886
IS61QDB21M18A-250B4LI
IS61QDB21M18A-250B4LI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 165LFBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, QUAD
  • 內存大小: 18Mb (1M x 18)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 250MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 1.71V ~ 1.89V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 165-LBGA
  • 供應商設備包裝: 165-LFBGA (13x15)
庫存6,282
IS61QDB21M18A-250M3L
IS61QDB21M18A-250M3L

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 165LFBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, QUAD
  • 內存大小: 18Mb (1M x 18)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 250MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 1.71V ~ 1.89V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 165-LBGA
  • 供應商設備包裝: 165-LFBGA (15x17)
庫存4,266
IS61QDB21M36-250M3
IS61QDB21M36-250M3

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, QUAD
  • 內存大小: 36Mb (1M x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 250MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 7.5ns
  • 電壓-供電: 1.71V ~ 1.89V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 165-LBGA
  • 供應商設備包裝: 165-LFBGA (15x17)
庫存3,580
IS61QDB21M36-250M3L
IS61QDB21M36-250M3L

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, QUAD
  • 內存大小: 36Mb (1M x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 250MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 7.5ns
  • 電壓-供電: 1.71V ~ 1.89V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 165-LBGA
  • 供應商設備包裝: 165-LFBGA (15x17)
庫存5,832
IS61QDB21M36A-250M3L
IS61QDB21M36A-250M3L

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, QUAD
  • 內存大小: 36Mb (1M x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 250MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 8.4ns
  • 電壓-供電: 1.71V ~ 1.89V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 165-LBGA
  • 供應商設備包裝: 165-LFBGA (15x17)
庫存6,804
IS61QDB21M36C-250M3
IS61QDB21M36C-250M3

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, QUAD
  • 內存大小: 36Mb (1M x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 250MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 8.4ns
  • 電壓-供電: 1.71V ~ 1.89V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 165-LBGA
  • 供應商設備包裝: 165-LFBGA (15x17)
庫存7,740
IS61QDB21M36C-250M3L
IS61QDB21M36C-250M3L

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, QUAD
  • 內存大小: 36Mb (1M x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 250MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 8.4ns
  • 電壓-供電: 1.71V ~ 1.89V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 165-LBGA
  • 供應商設備包裝: 165-LFBGA (15x17)
庫存3,024
IS61QDB22M18-250M3
IS61QDB22M18-250M3

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, QUAD
  • 內存大小: 36Mb (2M x 18)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 250MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 7.5ns
  • 電壓-供電: 1.71V ~ 1.89V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 165-LBGA
  • 供應商設備包裝: 165-LFBGA (15x17)
庫存72