晶體管

型號	描述	庫存
XP0431300L Panasonic Electronic Components	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6 制造商: Panasonic Electronic Components 系列: - 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 47kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 150MHz, 80MHz 功率-最大: 150mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: SMINI6-G1	庫存7,236
XP0431400L Panasonic Electronic Components	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6 制造商: Panasonic Electronic Components 系列: - 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 10kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 150MHz, 80MHz 功率-最大: 150mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: SMINI6-G1	庫存6,714
XP0431500L Panasonic Electronic Components	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6 制造商: Panasonic Electronic Components 系列: - 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 10kOhms 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 160 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 150MHz, 80MHz 功率-最大: 150mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: SMINI6-G1	庫存7,344
XP0431600L Panasonic Electronic Components	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6 制造商: Panasonic Electronic Components 系列: - 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7kOhms 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 160 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 150MHz, 80MHz 功率-最大: 150mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: SMINI6-G1	庫存5,580
XP0431N00L Panasonic Electronic Components	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6 制造商: Panasonic Electronic Components 系列: - 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 150MHz, 80MHz 功率-最大: 150mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: SMINI6-G1	庫存7,110
XP0438700L Panasonic Electronic Components	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6 制造商: Panasonic Electronic Components 系列: - 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 47kOhms, 1kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms, 10kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V / 30 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 150MHz, 80MHz 功率-最大: 150mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: SMINI6-G1	庫存8,676
XP0611100L Panasonic Electronic Components	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS PREBIAS DUAL PNP SMINI6 制造商: Panasonic Electronic Components 系列: - 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 10kOhms 電阻-發射極基（R2）: 10kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 35 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 80MHz 功率-最大: 150mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: SMINI6-G1	庫存8,082
XP0611300L Panasonic Electronic Components	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS PREBIAS DUAL PNP SMINI6 制造商: Panasonic Electronic Components 系列: - 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 47kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 80MHz 功率-最大: 150mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: SMINI6-G1	庫存6,012
XP0611500L Panasonic Electronic Components	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS PREBIAS DUAL PNP SMINI6 制造商: Panasonic Electronic Components 系列: - 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 10kOhms 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 160 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 80MHz 功率-最大: 150mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: SMINI6-G1	庫存3,222
XP0621000L Panasonic Electronic Components	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS PREBIAS DUAL NPN SMINI6 制造商: Panasonic Electronic Components 系列: - 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 47kOhms 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 160 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 150MHz 功率-最大: 150mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: SMINI6-G1	庫存6,444
XP0621100L Panasonic Electronic Components	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS PREBIAS DUAL NPN SMINI6 制造商: Panasonic Electronic Components 系列: - 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 10kOhms 電阻-發射極基（R2）: 10kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 35 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 150MHz 功率-最大: 150mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: SMINI6-G1	庫存6,498
XP0621200L Panasonic Electronic Components	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS PREBIAS DUAL NPN SMINI6 制造商: Panasonic Electronic Components 系列: - 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 22kOhms 電阻-發射極基（R2）: 22kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 150MHz 功率-最大: 150mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: SMINI6-G1	庫存8,118
XP0621300L Panasonic Electronic Components	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS PREBIAS DUAL NPN SMINI6 制造商: Panasonic Electronic Components 系列: - 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 47kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 150MHz 功率-最大: 150mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: SMINI6-G1	庫存25,266
XP0621400L Panasonic Electronic Components	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS PREBIAS DUAL NPN SMINI6 制造商: Panasonic Electronic Components 系列: - 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 10kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 150MHz 功率-最大: 150mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: SMINI6-G1	庫存4,176
XP0621500L Panasonic Electronic Components	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS PREBIAS DUAL NPN SMINI6 制造商: Panasonic Electronic Components 系列: - 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 10kOhms 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 160 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 150MHz 功率-最大: 150mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: SMINI6-G1	庫存5,022
XP0621600L Panasonic Electronic Components	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS PREBIAS DUAL NPN SMINI6 制造商: Panasonic Electronic Components 系列: - 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7kOhms 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 160 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 150MHz 功率-最大: 150mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: SMINI6-G1	庫存2,376
0105-50 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 65V 500MHZ 55JT 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 65V 頻率-過渡: 100MHz ~ 500MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 8.5dB ~ 10dB 功率-最大: 140W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 1A, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 7A 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: 55JT 供應商設備包裝: 55JT	庫存3,420
0204-125 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 60V 400MHZ 55JT 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V 頻率-過渡: 225MHz ~ 400MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 7dB ~ 8.5dB 功率-最大: 270W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 1A, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 16A 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: 55JT 供應商設備包裝: 55JT	庫存189
0510-50A Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS 27V 1GHZ 55AV 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 27V 頻率-過渡: 500MHz ~ 1GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 7dB 功率-最大: 50W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 500mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3.7A 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: 55AV 供應商設備包裝: 55AV	庫存8,082
0910-150M Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 65V 1GHZ 55KT 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 65V 頻率-過渡: 890MHz ~ 1GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 8.1dB ~ 8.5dB 功率-最大: 400W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: 12A 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: 55KT 供應商設備包裝: 55KT	庫存3,186
0910-60M Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 65V 1GHZ 55AW 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 65V 頻率-過渡: 890MHz ~ 1GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 8dB ~ 8.5dB 功率-最大: 180W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: 55AW 供應商設備包裝: 55AW	庫存4,986
0912-25 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 55V 1.215GHZ 55CT 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 55V 頻率-過渡: 960MHz ~ 1.215GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 8.5dB ~ 10dB 功率-最大: 125W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 300mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2.5A 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: 55CT 供應商設備包裝: 55CT	庫存5,850
0912-45 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 60V 1.215GHZ 55CT 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V 頻率-過渡: 960MHz ~ 1.215GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 8dB ~ 9dB 功率-最大: 225W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 300mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4.5A 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: 55CT 供應商設備包裝: 55CT	庫存5,634
0912-7 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 60V 1.215GHZ 55CX 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V 頻率-過渡: 960MHz ~ 1.215GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 8.5dB 功率-最大: 50W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 100mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: 55CX 供應商設備包裝: 55CX	庫存7,560
1000MA Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF POWER TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存5,364
1000MP Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 1.15GHZ 55FW 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 頻率-過渡: 1.15GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 10.8dB 功率-最大: 5.3W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 15 @ 100mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 300mA 工作溫度: - 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: 55FW 供應商設備包裝: 55FW	庫存8,208
1002MP Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS 50V 1.215GHZ 55FW-1 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 頻率-過渡: 960MHz ~ 1.215GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 8.24dB ~ 11dB 功率-最大: 7W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 100mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 250mA 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: 55FW-1 供應商設備包裝: 55FW-1	庫存7,848
1004MA Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF POWER TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存3,402
1004MP Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS 50V 1.215GHZ 55FW-1 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 頻率-過渡: 960MHz ~ 1.215GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 7dB ~ 9dB 功率-最大: 7W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 100mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 300mA 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: 55FW-1 供應商設備包裝: 55FW-1	庫存5,994
1014-12 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 50V 1.4GHZ 55LT 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 頻率-過渡: 1GHz ~ 1.4GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 6.8dB 功率-最大: 39W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 200mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 5A 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: 55LT 供應商設備包裝: 55LT	庫存7,578

XP0431300L

Panasonic Electronic Components

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6

制造商: Panasonic Electronic Components
系列: -
晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 47kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 150MHz, 80MHz
功率-最大: 150mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: SMINI6-G1

庫存7,236

XP0431400L

Panasonic Electronic Components

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6

制造商: Panasonic Electronic Components
系列: -
晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 10kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 150MHz, 80MHz
功率-最大: 150mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: SMINI6-G1

庫存6,714

XP0431500L

Panasonic Electronic Components

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6

制造商: Panasonic Electronic Components
系列: -
晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 10kOhms
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 160 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 150MHz, 80MHz
功率-最大: 150mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: SMINI6-G1

庫存7,344

XP0431600L

Panasonic Electronic Components

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6

制造商: Panasonic Electronic Components
系列: -
晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7kOhms
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 160 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 150MHz, 80MHz
功率-最大: 150mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: SMINI6-G1

庫存5,580

XP0431N00L

Panasonic Electronic Components

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6

制造商: Panasonic Electronic Components
系列: -
晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 150MHz, 80MHz
功率-最大: 150mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: SMINI6-G1

庫存7,110

XP0438700L

Panasonic Electronic Components

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6

制造商: Panasonic Electronic Components
系列: -
晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 47kOhms, 1kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47kOhms, 10kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V / 30 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 150MHz, 80MHz
功率-最大: 150mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: SMINI6-G1

庫存8,676

XP0611100L

Panasonic Electronic Components

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS PREBIAS DUAL PNP SMINI6

制造商: Panasonic Electronic Components
系列: -
晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 10kOhms
電阻-發射極基（R2）: 10kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 35 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 80MHz
功率-最大: 150mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: SMINI6-G1

庫存8,082

XP0611300L

Panasonic Electronic Components

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS PREBIAS DUAL PNP SMINI6

制造商: Panasonic Electronic Components
系列: -
晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 47kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 80MHz
功率-最大: 150mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: SMINI6-G1

庫存6,012

XP0611500L

Panasonic Electronic Components

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS PREBIAS DUAL PNP SMINI6

制造商: Panasonic Electronic Components
系列: -
晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 10kOhms
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 160 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 80MHz
功率-最大: 150mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: SMINI6-G1

庫存3,222

XP0621000L

Panasonic Electronic Components

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS PREBIAS DUAL NPN SMINI6

制造商: Panasonic Electronic Components
系列: -
晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 47kOhms
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 160 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 150MHz
功率-最大: 150mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: SMINI6-G1

庫存6,444

XP0621100L

Panasonic Electronic Components

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS PREBIAS DUAL NPN SMINI6

制造商: Panasonic Electronic Components
系列: -
晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 10kOhms
電阻-發射極基（R2）: 10kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 35 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 150MHz
功率-最大: 150mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: SMINI6-G1

庫存6,498

XP0621200L

Panasonic Electronic Components

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS PREBIAS DUAL NPN SMINI6

制造商: Panasonic Electronic Components
系列: -
晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 22kOhms
電阻-發射極基（R2）: 22kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 150MHz
功率-最大: 150mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: SMINI6-G1

庫存8,118

XP0621300L

Panasonic Electronic Components

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS PREBIAS DUAL NPN SMINI6

制造商: Panasonic Electronic Components
系列: -
晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 47kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 150MHz
功率-最大: 150mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: SMINI6-G1

庫存25,266

XP0621400L

Panasonic Electronic Components

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS PREBIAS DUAL NPN SMINI6

制造商: Panasonic Electronic Components
系列: -
晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 10kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 150MHz
功率-最大: 150mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: SMINI6-G1

庫存4,176

XP0621500L

Panasonic Electronic Components

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS PREBIAS DUAL NPN SMINI6

制造商: Panasonic Electronic Components
系列: -
晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 10kOhms
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 160 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 150MHz
功率-最大: 150mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: SMINI6-G1

庫存5,022

XP0621600L

Panasonic Electronic Components

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS PREBIAS DUAL NPN SMINI6

制造商: Panasonic Electronic Components
系列: -
晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7kOhms
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 160 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 150MHz
功率-最大: 150mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: SMINI6-G1

庫存2,376

0105-50

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 65V 500MHZ 55JT

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 65V
頻率-過渡: 100MHz ~ 500MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 8.5dB ~ 10dB
功率-最大: 140W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 1A, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 7A
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: 55JT
供應商設備包裝: 55JT

庫存3,420

0204-125

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 60V 400MHZ 55JT

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
頻率-過渡: 225MHz ~ 400MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 7dB ~ 8.5dB
功率-最大: 270W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 1A, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 16A
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: 55JT
供應商設備包裝: 55JT

庫存189

0510-50A

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS 27V 1GHZ 55AV

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 27V
頻率-過渡: 500MHz ~ 1GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 7dB
功率-最大: 50W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 500mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 3.7A
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: 55AV
供應商設備包裝: 55AV

庫存8,082

0910-150M

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 65V 1GHZ 55KT

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 65V
頻率-過渡: 890MHz ~ 1GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 8.1dB ~ 8.5dB
功率-最大: 400W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: 12A
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: 55KT
供應商設備包裝: 55KT

庫存3,186

0910-60M

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 65V 1GHZ 55AW

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 65V
頻率-過渡: 890MHz ~ 1GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 8dB ~ 8.5dB
功率-最大: 180W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: 55AW
供應商設備包裝: 55AW

庫存4,986

0912-25

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 55V 1.215GHZ 55CT

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 55V
頻率-過渡: 960MHz ~ 1.215GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 8.5dB ~ 10dB
功率-最大: 125W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 300mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 2.5A
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: 55CT
供應商設備包裝: 55CT

庫存5,850

0912-45

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 60V 1.215GHZ 55CT

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
頻率-過渡: 960MHz ~ 1.215GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 8dB ~ 9dB
功率-最大: 225W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 300mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 4.5A
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: 55CT
供應商設備包裝: 55CT

庫存5,634

0912-7

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 60V 1.215GHZ 55CX

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
頻率-過渡: 960MHz ~ 1.215GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 8.5dB
功率-最大: 50W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 100mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: 55CX
供應商設備包裝: 55CX

庫存7,560

1000MA

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF POWER TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存5,364

1000MP

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 1.15GHZ 55FW

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
頻率-過渡: 1.15GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 10.8dB
功率-最大: 5.3W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 15 @ 100mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 300mA
工作溫度: -
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: 55FW
供應商設備包裝: 55FW

庫存8,208

1002MP

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS 50V 1.215GHZ 55FW-1

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
頻率-過渡: 960MHz ~ 1.215GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 8.24dB ~ 11dB
功率-最大: 7W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 100mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 250mA
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: 55FW-1
供應商設備包裝: 55FW-1

庫存7,848

1004MA

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF POWER TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存3,402

1004MP

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS 50V 1.215GHZ 55FW-1

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
頻率-過渡: 960MHz ~ 1.215GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 7dB ~ 9dB
功率-最大: 7W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 100mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 300mA
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: 55FW-1
供應商設備包裝: 55FW-1

庫存5,994

1014-12

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 50V 1.4GHZ 55LT

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
頻率-過渡: 1GHz ~ 1.4GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 6.8dB
功率-最大: 39W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 200mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 5A
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: 55LT
供應商設備包裝: 55LT

庫存7,578

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