晶體管

型號	描述	庫存
1014-6A Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 50V 1.4GHZ 55LV 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 頻率-過渡: 1GHz ~ 1.4GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 7dB ~ 7.5dB 功率-最大: 19W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: 55LV 供應商設備包裝: 55LV	庫存4,590
1015MP Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ 55FW 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 65V 頻率-過渡: 1.025GHz ~ 1.15GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 10dB ~ 11dB 功率-最大: 50W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 100mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: 55FW 供應商設備包裝: 55FW	庫存6,354
1035MP Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ 55FW-1 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 65V 頻率-過渡: 1.025GHz ~ 1.15GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 10dB ~ 10.5dB 功率-最大: 125W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 100mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2.5A 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: 55FW-1 供應商設備包裝: 55FW-1	庫存4,644
10502 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 65V 55SM 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 65V 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 8.5dB 功率-最大: 1458W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 5A, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 40A 工作溫度: 230°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: 55SM 供應商設備包裝: 55SM	庫存7,686
1075MP Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ 55FW-1 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 65V 頻率-過渡: 1.025GHz ~ 1.15GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 7.6dB ~ 8.5dB 功率-最大: 250W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 100mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 6.5A 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: 55FW-1 供應商設備包裝: 55FW-1	庫存6,714
1090MP Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ 55FW-1 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 65V 頻率-過渡: 1.025GHz ~ 1.15GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 8.08dB ~ 8.5dB 功率-最大: 250W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 15 @ 500mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 6.5A 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: 55FW-1 供應商設備包裝: 55FW-1	庫存7,344
10A015 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 24V 2.7GHZ 55FT 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 24V 頻率-過渡: 2.7GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 9dB ~ 9.5dB 功率-最大: 6W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 100mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 750mA 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Stud Mount 包裝/箱: 55FT 供應商設備包裝: 55FT	庫存4,842
10A030 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 24V 2.5GHZ 55FT 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 24V 頻率-過渡: 2.5GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 7.8dB ~ 8.5dB 功率-最大: 13W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 200mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1.5A 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Stud Mount 包裝/箱: 55FT 供應商設備包裝: 55FT	庫存6,426
10A060 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 24V 1GHZ 55FT 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 24V 頻率-過渡: 1GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 8dB ~ 8.5dB 功率-最大: 21W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 400mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Stud Mount 包裝/箱: 55FT 供應商設備包裝: 55FT	庫存3,222
1214-110M Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 75V 1.4GHZ 55KT 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 75V 頻率-過渡: 1.2GHz ~ 1.4GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 7.4dB 功率-最大: 270W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: 55KT 供應商設備包裝: 55KT	庫存7,470
1214-150L Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 65V 1.4GHZ 55ST-1 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 65V 頻率-過渡: 1.2GHz ~ 1.4GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 7.15dB ~ 8.7dB 功率-最大: 320W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 1A, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 15A 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: 55ST-1 供應商設備包裝: 55ST-1	庫存3,096
1214-220M Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 70V 1.4GHZ 55ST 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 70V 頻率-過渡: 1.2GHz ~ 1.4GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 7.4dB 功率-最大: 700W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 1A, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 20A 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: 55ST 供應商設備包裝: 55ST	庫存7,884
1214-30 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 50V 1.4GHZ 55AW 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 頻率-過渡: 1.2GHz ~ 1.4GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 7dB 功率-最大: 88W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 500mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: 55AW 供應商設備包裝: 55AW	庫存4,914
1214-300 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 50V 1.4GHZ 55KT 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 頻率-過渡: 1.2GHz ~ 1.4GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 7dB 功率-最大: 88W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 500mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: 55KT 供應商設備包裝: 55KT	庫存5,616
1214-300M Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 50V 1.4GHZ 55ST 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 頻率-過渡: 1.2GHz ~ 1.4GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 7dB 功率-最大: 88W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 500mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: 55ST 供應商設備包裝: 55ST	庫存7,074
1214-32L Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 50V 1.4GHZ 55AW-1 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 頻率-過渡: 1.2GHz ~ 1.4GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 7.8dB ~ 8.9dB 功率-最大: 125W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 1A, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 5A 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: 55AW-1 供應商設備包裝: 55AW-1	庫存8,028
1214-370M Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 75V 1.4GHZ 55ST 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 75V 頻率-過渡: 1.2GHz ~ 1.4GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 8.7dB ~ 9dB 功率-最大: 600W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 5A, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 25A 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: 55ST 供應商設備包裝: 55ST	庫存2,754
1214-55 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 50V 1.4GHZ 55AW 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 頻率-過渡: 1.2GHz ~ 1.4GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 7dB 功率-最大: 175W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 1A, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: 55AW 供應商設備包裝: 55AW	庫存4,068
1517-110M Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 70V 1.65GHZ 55AW-1 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 70V 頻率-過渡: 1.48GHz ~ 1.65GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 7.3dB ~ 8.6dB 功率-最大: 350W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 1A, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 9A 工作溫度: - 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: 55AW-1 供應商設備包裝: 55AW-1	庫存6,498
1517-20M Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 65V 1.65GHZ 55LV-1 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 65V 頻率-過渡: 1.48GHz ~ 1.65GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 7.6dB ~ 9.3dB 功率-最大: 175W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 500mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A 工作溫度: - 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: 55LV-1 供應商設備包裝: 55LV-1	庫存2,178
15GN01CA-TB-E ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 8V 1.5GHZ 3CP 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 8V 頻率-過渡: 1.5GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: 200mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 10mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: 3-CP	庫存5,544
15GN01MA-TL-E ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 8V 1.5GHZ 3MCP 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 8V 頻率-過渡: 1.5GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: 400mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 10mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 3-SMD, Gull Wing 供應商設備包裝: 3-MCP	庫存3,420
15GN03CA-TB-E ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 10V 1.5GHZ 3CP 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 10V 頻率-過渡: 1.5GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.6dB @ 0.4GHz 增益: 13dB @ 0.4GHz 功率-最大: 200mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 70mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: 3-CP	庫存24,696
15GN03FA-TL-H ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF TRANS NPN VHF-UHF 70A 10V SSFP 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 3-SMD, Flat Leads 供應商設備包裝: 3-SSFP	庫存6,642
15GN03MA-TL-E ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 10V 1.5GHZ 3MCP 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 10V 頻率-過渡: 1.5GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.6dB @ 0.4GHz 增益: 13dB @ 0.4GHz 功率-最大: 400mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 70mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-70, SOT-323 供應商設備包裝: 3-MCP	庫存22,272
2001 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 50V 2GHZ 55BT 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 頻率-過渡: 2GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 9.5dB 功率-最大: 5W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 100mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 250mA 工作溫度: - 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: 55BT 供應商設備包裝: 55BT	庫存8,082
2003 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 50V 2GHZ 55BT-1 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 頻率-過渡: 2GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 8.5dB 功率-最大: 12W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 100mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: 55BT-1 供應商設備包裝: 55BT-1	庫存6,786
2223-1.7 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF POWER TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存2,952
2224-12LP Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF POWER TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存2,016
2224-6L Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 40V 2.4GHZ 55LV 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V 頻率-過渡: 2.2GHz ~ 2.4GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 7dB 功率-最大: 22W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 1A, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1.25A 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: 55LV 供應商設備包裝: 55LV	庫存6,066

1014-6A

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 50V 1.4GHZ 55LV

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
頻率-過渡: 1GHz ~ 1.4GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 7dB ~ 7.5dB
功率-最大: 19W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: 55LV
供應商設備包裝: 55LV

庫存4,590

1015MP

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ 55FW

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 65V
頻率-過渡: 1.025GHz ~ 1.15GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 10dB ~ 11dB
功率-最大: 50W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 100mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: 55FW
供應商設備包裝: 55FW

庫存6,354

1035MP

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ 55FW-1

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 65V
頻率-過渡: 1.025GHz ~ 1.15GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 10dB ~ 10.5dB
功率-最大: 125W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 100mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 2.5A
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: 55FW-1
供應商設備包裝: 55FW-1

庫存4,644

10502

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 65V 55SM

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 65V
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 8.5dB
功率-最大: 1458W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 5A, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 40A
工作溫度: 230°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: 55SM
供應商設備包裝: 55SM

庫存7,686

1075MP

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ 55FW-1

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 65V
頻率-過渡: 1.025GHz ~ 1.15GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 7.6dB ~ 8.5dB
功率-最大: 250W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 100mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 6.5A
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: 55FW-1
供應商設備包裝: 55FW-1

庫存6,714

1090MP

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ 55FW-1

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 65V
頻率-過渡: 1.025GHz ~ 1.15GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 8.08dB ~ 8.5dB
功率-最大: 250W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 15 @ 500mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 6.5A
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: 55FW-1
供應商設備包裝: 55FW-1

庫存7,344

10A015

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 24V 2.7GHZ 55FT

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 24V
頻率-過渡: 2.7GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 9dB ~ 9.5dB
功率-最大: 6W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 100mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 750mA
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Stud Mount
包裝/箱: 55FT
供應商設備包裝: 55FT

庫存4,842

10A030

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 24V 2.5GHZ 55FT

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 24V
頻率-過渡: 2.5GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 7.8dB ~ 8.5dB
功率-最大: 13W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 200mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1.5A
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Stud Mount
包裝/箱: 55FT
供應商設備包裝: 55FT

庫存6,426

10A060

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 24V 1GHZ 55FT

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 24V
頻率-過渡: 1GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 8dB ~ 8.5dB
功率-最大: 21W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 400mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Stud Mount
包裝/箱: 55FT
供應商設備包裝: 55FT

庫存3,222

1214-110M

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 75V 1.4GHZ 55KT

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 75V
頻率-過渡: 1.2GHz ~ 1.4GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 7.4dB
功率-最大: 270W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: 55KT
供應商設備包裝: 55KT

庫存7,470

1214-150L

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 65V 1.4GHZ 55ST-1

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 65V
頻率-過渡: 1.2GHz ~ 1.4GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 7.15dB ~ 8.7dB
功率-最大: 320W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 1A, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 15A
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: 55ST-1
供應商設備包裝: 55ST-1

庫存3,096

1214-220M

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 70V 1.4GHZ 55ST

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 70V
頻率-過渡: 1.2GHz ~ 1.4GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 7.4dB
功率-最大: 700W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 1A, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 20A
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: 55ST
供應商設備包裝: 55ST

庫存7,884

1214-30

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 50V 1.4GHZ 55AW

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
頻率-過渡: 1.2GHz ~ 1.4GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 7dB
功率-最大: 88W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 500mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: 55AW
供應商設備包裝: 55AW

庫存4,914

1214-300

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 50V 1.4GHZ 55KT

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
頻率-過渡: 1.2GHz ~ 1.4GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 7dB
功率-最大: 88W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 500mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: 55KT
供應商設備包裝: 55KT

庫存5,616

1214-300M

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 50V 1.4GHZ 55ST

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
頻率-過渡: 1.2GHz ~ 1.4GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 7dB
功率-最大: 88W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 500mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: 55ST
供應商設備包裝: 55ST

庫存7,074

1214-32L

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 50V 1.4GHZ 55AW-1

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
頻率-過渡: 1.2GHz ~ 1.4GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 7.8dB ~ 8.9dB
功率-最大: 125W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 1A, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 5A
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: 55AW-1
供應商設備包裝: 55AW-1

庫存8,028

1214-370M

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 75V 1.4GHZ 55ST

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 75V
頻率-過渡: 1.2GHz ~ 1.4GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 8.7dB ~ 9dB
功率-最大: 600W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 5A, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 25A
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: 55ST
供應商設備包裝: 55ST

庫存2,754

1214-55

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 50V 1.4GHZ 55AW

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
頻率-過渡: 1.2GHz ~ 1.4GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 7dB
功率-最大: 175W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 1A, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: 55AW
供應商設備包裝: 55AW

庫存4,068

1517-110M

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 70V 1.65GHZ 55AW-1

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 70V
頻率-過渡: 1.48GHz ~ 1.65GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 7.3dB ~ 8.6dB
功率-最大: 350W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 1A, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 9A
工作溫度: -
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: 55AW-1
供應商設備包裝: 55AW-1

庫存6,498

1517-20M

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 65V 1.65GHZ 55LV-1

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 65V
頻率-過渡: 1.48GHz ~ 1.65GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 7.6dB ~ 9.3dB
功率-最大: 175W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 500mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
工作溫度: -
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: 55LV-1
供應商設備包裝: 55LV-1

庫存2,178

15GN01CA-TB-E

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 8V 1.5GHZ 3CP

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 8V
頻率-過渡: 1.5GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: 200mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 10mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: 3-CP

庫存5,544

15GN01MA-TL-E

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 8V 1.5GHZ 3MCP

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 8V
頻率-過渡: 1.5GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: 400mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 10mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 3-SMD, Gull Wing
供應商設備包裝: 3-MCP

庫存3,420

15GN03CA-TB-E

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 10V 1.5GHZ 3CP

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 10V
頻率-過渡: 1.5GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.6dB @ 0.4GHz
增益: 13dB @ 0.4GHz
功率-最大: 200mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 70mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: 3-CP

庫存24,696

15GN03FA-TL-H

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

TRANS NPN VHF-UHF 70A 10V SSFP

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 3-SMD, Flat Leads
供應商設備包裝: 3-SSFP

庫存6,642

15GN03MA-TL-E

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 10V 1.5GHZ 3MCP

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 10V
頻率-過渡: 1.5GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.6dB @ 0.4GHz
增益: 13dB @ 0.4GHz
功率-最大: 400mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 70mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-70, SOT-323
供應商設備包裝: 3-MCP

庫存22,272

2001

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 50V 2GHZ 55BT

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
頻率-過渡: 2GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 9.5dB
功率-最大: 5W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 100mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 250mA
工作溫度: -
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: 55BT
供應商設備包裝: 55BT

庫存8,082

2003

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 50V 2GHZ 55BT-1

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
頻率-過渡: 2GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 8.5dB
功率-最大: 12W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 100mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: 55BT-1
供應商設備包裝: 55BT-1

庫存6,786

2223-1.7

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF POWER TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存2,952

2224-12LP

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF POWER TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存2,016

2224-6L

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 40V 2.4GHZ 55LV

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
頻率-過渡: 2.2GHz ~ 2.4GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 7dB
功率-最大: 22W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 1A, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1.25A
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: 55LV
供應商設備包裝: 55LV

庫存6,066

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