晶體管

型號	描述	庫存
2224-6P Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF POWER TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存7,434
2225-4L Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 40V 2.5GHZ 55LV 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V 頻率-過渡: 2.2GHz ~ 2.5GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 8.5dB 功率-最大: 10W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 200mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: 55LV 供應商設備包裝: 55LV	庫存4,734
2301 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 45V 2.3GHZ 55BT 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V 頻率-過渡: 2.3GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 8dB 功率-最大: 5.6W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 100mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 300mA 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: 55BT 供應商設備包裝: 55BT	庫存8,244
2304 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 45V 2.3GHZ 55BT 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V 頻率-過渡: 2.3GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 8dB 功率-最大: 10.2W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 300mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: 55BT 供應商設備包裝: 55BT	庫存14,108
2307 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 42V 2.3GHZ 55BT 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 42V 頻率-過渡: 2.3GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 8dB 功率-最大: 20.5W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 500mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: 55BT 供應商設備包裝: 55BT	庫存6,012
2324-20 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS 40V 2.4GHZ 55AW 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V 頻率-過渡: 2.3GHz ~ 2.4GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 7dB 功率-最大: 58W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 160mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A 工作溫度: 200°C 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: 55AW 供應商設備包裝: 55AW	庫存4,644
23A005 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 22V 4.3GHZ 55BT 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 22V 頻率-過渡: 4.3GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 8.5dB ~ 9.5dB 功率-最大: 3W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 100mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 400mA 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: 55BT 供應商設備包裝: 55BT	庫存4,374
23A008 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 22V 3.7GHZ 55BT 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 22V 頻率-過渡: 3.7GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 8.5dB ~ 9.5dB 功率-最大: 5W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 100mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 400mA 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: 55BT 供應商設備包裝: 55BT	庫存4,896
23A025 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 22V 3.7GHZ 55BT 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 22V 頻率-過渡: 3.7GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 6dB ~ 6.3dB 功率-最大: 9W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 420mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1.2A 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: 55BT 供應商設備包裝: 55BT	庫存2,700
2731-200P Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS 3.1GHZ MODULE 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 頻率-過渡: 2.7GHz ~ 3.1GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 8.7dB 功率-最大: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: Module 供應商設備包裝: Module	庫存3,598
2A5 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 22V 3.7GHZ 55ET 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 22V 頻率-過渡: 3.4GHz ~ 3.7GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 7dB ~ 9dB 功率-最大: 5.3W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 100mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3mA 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Stud Mount 包裝/箱: 55ET 供應商設備包裝: 55ET	庫存2,844
2A8 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 21V 2GHZ 55EU 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 21V 頻率-過渡: 2GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 7dB ~ 9dB 功率-最大: 5.3W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 100mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 300mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: 55EU 供應商設備包裝: 55EU	庫存5,076
2N2857 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 15V 500MHZ TO72 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V 頻率-過渡: 500MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 4.5dB @ 450MHz 增益: 12.5dB ~ 21dB @ 450MHz 功率-最大: 200mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 3mA, 1V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 40mA 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can 供應商設備包裝: TO-72	庫存4,140
2N2857 MICROSS/On Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF DIE RF TRANS NPN 15V 制造商: MICROSS/On Semiconductor 系列: * 晶體管類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存4,266
2N2857 Central Semiconductor Corp	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 15V 1.9GHZ TO72 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V 頻率-過渡: 1.9GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 4.5dB @ 450MHz 增益: - 功率-最大: 200mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 3mA, 1V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 40mA 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can 供應商設備包裝: TO-72	庫存23,202
2N2857UB Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 15V 0.04A UB 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: 4.5dB @ 450MHz 增益: 21dB 功率-最大: 200mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 3mA, 1V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 40mA 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 3-SMD, No Lead 供應商設備包裝: UB	庫存7,776
2N3663 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 12V 2.1GHZ TO92-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V 頻率-過渡: 2.1GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 6.5dB @ 60MHz 增益: 1.5dB 功率-最大: 350mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 8mA, 10V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存5,346
2N3866 Central Semiconductor Corp	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 30V 500MHZ TO39 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V 頻率-過渡: 500MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: 5W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 50mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 400mA 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-39	庫存6,894
2N3866A Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 30V 400MHZ TO39 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V 頻率-過渡: 400MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: 1W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 25 @ 50mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 400mA 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-39	庫存8,046
2N4427 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 40V 500MHZ TO39 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V 頻率-過渡: 500MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 10dB @ 175MHz 功率-最大: 1W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 100mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 400mA 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-39	庫存5,760
2N4427 Central Semiconductor Corp	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 20V 500MHZ TO39 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V 頻率-過渡: 500MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 10dB 功率-最大: 1W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 100mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 400mA 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-39	庫存22,332
2N4957 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS PNP 30V 30MA TO72 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: PNP 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: 3.5dB @ 450MHz 增益: 25dB 功率-最大: 200mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 5mA, 10V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 30mA 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-72-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-72	庫存651
2N4957UB Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS PNP 30V 30MA UB 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: PNP 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: 3.5dB @ 450MHz 增益: 25dB 功率-最大: 200mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 5mA, 10V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 30mA 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 3-SMD, No Lead 供應商設備包裝: UB	庫存7,326
2N5031 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 10V 400MHZ TO72 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 10V 頻率-過渡: 400MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 12dB @ 400MHz 功率-最大: 200mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 25 @ 1mA, 6V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 20mA 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can 供應商設備包裝: TO-72	庫存6,282
2N5109 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 20V 1.2GHZ TO39 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V 頻率-過渡: 1.2GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 12dB 功率-最大: 2.5W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 50mA, 15V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 400mA 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-39	庫存3,960
2N5109 Central Semiconductor Corp	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 20V 1.2GHZ TO39 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V 頻率-過渡: 1.2GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 3dB @ 200MHz 增益: - 功率-最大: 1W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 50mA, 15V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 400mA 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-39	庫存25,038
2N5179 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 12V 200MHZ TO72 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V 頻率-過渡: 200MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 4.5dB @ 200MHz 增益: 20dB 功率-最大: 300mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 25 @ 3mA, 1V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can 供應商設備包裝: TO-72	庫存7,254
2N5179 Central Semiconductor Corp	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 12V 2GHZ TO72 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V 頻率-過渡: 2GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 4.5dB @ 200MHz 增益: 15dB 功率-最大: 200mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 25 @ 3mA, 1V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can 供應商設備包裝: TO-72	庫存8,232
2N5770 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 15V TO92-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: 6dB @ 60MHz 增益: 15dB 功率-最大: 350mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 8mA, 10V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存7,902
2N5770 Central Semiconductor Corp	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 15V 900MHZ TO92 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V 頻率-過渡: 900MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 6dB @ 60MHz 增益: - 功率-最大: 625mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 8mA, 1V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92	庫存37,794

2224-6P

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF POWER TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存7,434

2225-4L

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 40V 2.5GHZ 55LV

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
頻率-過渡: 2.2GHz ~ 2.5GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 8.5dB
功率-最大: 10W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 200mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: 55LV
供應商設備包裝: 55LV

庫存4,734

2301

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 45V 2.3GHZ 55BT

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V
頻率-過渡: 2.3GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 8dB
功率-最大: 5.6W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 100mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 300mA
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: 55BT
供應商設備包裝: 55BT

庫存8,244

2304

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 45V 2.3GHZ 55BT

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V
頻率-過渡: 2.3GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 8dB
功率-最大: 10.2W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 300mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: 55BT
供應商設備包裝: 55BT

庫存14,108

2307

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 42V 2.3GHZ 55BT

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 42V
頻率-過渡: 2.3GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 8dB
功率-最大: 20.5W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 500mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: 55BT
供應商設備包裝: 55BT

庫存6,012

2324-20

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS 40V 2.4GHZ 55AW

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
頻率-過渡: 2.3GHz ~ 2.4GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 7dB
功率-最大: 58W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 160mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
工作溫度: 200°C
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: 55AW
供應商設備包裝: 55AW

庫存4,644

23A005

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 22V 4.3GHZ 55BT

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 22V
頻率-過渡: 4.3GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 8.5dB ~ 9.5dB
功率-最大: 3W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 100mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 400mA
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: 55BT
供應商設備包裝: 55BT

庫存4,374

23A008

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 22V 3.7GHZ 55BT

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 22V
頻率-過渡: 3.7GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 8.5dB ~ 9.5dB
功率-最大: 5W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 100mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 400mA
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: 55BT
供應商設備包裝: 55BT

庫存4,896

23A025

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 22V 3.7GHZ 55BT

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 22V
頻率-過渡: 3.7GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 6dB ~ 6.3dB
功率-最大: 9W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 420mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1.2A
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: 55BT
供應商設備包裝: 55BT

庫存2,700

2731-200P

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS 3.1GHZ MODULE

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
頻率-過渡: 2.7GHz ~ 3.1GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 8.7dB
功率-最大: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: Module
供應商設備包裝: Module

庫存3,598

2A5

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 22V 3.7GHZ 55ET

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 22V
頻率-過渡: 3.4GHz ~ 3.7GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 7dB ~ 9dB
功率-最大: 5.3W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 100mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 3mA
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Stud Mount
包裝/箱: 55ET
供應商設備包裝: 55ET

庫存2,844

2A8

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 21V 2GHZ 55EU

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 21V
頻率-過渡: 2GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 7dB ~ 9dB
功率-最大: 5.3W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 100mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 300mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: 55EU
供應商設備包裝: 55EU

庫存5,076

2N2857

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 15V 500MHZ TO72

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V
頻率-過渡: 500MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 4.5dB @ 450MHz
增益: 12.5dB ~ 21dB @ 450MHz
功率-最大: 200mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 3mA, 1V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 40mA
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
供應商設備包裝: TO-72

庫存4,140

2N2857

MICROSS/On Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

DIE RF TRANS NPN 15V

制造商: MICROSS/On Semiconductor
系列: *
晶體管類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存4,266

2N2857

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 15V 1.9GHZ TO72

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V
頻率-過渡: 1.9GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 4.5dB @ 450MHz
增益: -
功率-最大: 200mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 3mA, 1V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 40mA
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
供應商設備包裝: TO-72

庫存23,202

2N2857UB

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 15V 0.04A UB

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: 4.5dB @ 450MHz
增益: 21dB
功率-最大: 200mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 3mA, 1V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 40mA
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 3-SMD, No Lead
供應商設備包裝: UB

庫存7,776

2N3663

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 12V 2.1GHZ TO92-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V
頻率-過渡: 2.1GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 6.5dB @ 60MHz
增益: 1.5dB
功率-最大: 350mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 8mA, 10V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存5,346

2N3866

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 30V 500MHZ TO39

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
頻率-過渡: 500MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: 5W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 50mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 400mA
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-39

庫存6,894

2N3866A

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 30V 400MHZ TO39

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
頻率-過渡: 400MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: 1W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 25 @ 50mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 400mA
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-39

庫存8,046

2N4427

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 40V 500MHZ TO39

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
頻率-過渡: 500MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 10dB @ 175MHz
功率-最大: 1W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 100mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 400mA
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-39

庫存5,760

2N4427

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 20V 500MHZ TO39

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
頻率-過渡: 500MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 10dB
功率-最大: 1W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 100mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 400mA
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-39

庫存22,332

2N4957

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS PNP 30V 30MA TO72

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: PNP
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: 3.5dB @ 450MHz
增益: 25dB
功率-最大: 200mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 5mA, 10V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 30mA
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-72-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-72

庫存651

2N4957UB

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS PNP 30V 30MA UB

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: PNP
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: 3.5dB @ 450MHz
增益: 25dB
功率-最大: 200mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 5mA, 10V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 30mA
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 3-SMD, No Lead
供應商設備包裝: UB

庫存7,326

2N5031

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 10V 400MHZ TO72

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 10V
頻率-過渡: 400MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 12dB @ 400MHz
功率-最大: 200mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 25 @ 1mA, 6V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 20mA
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
供應商設備包裝: TO-72

庫存6,282

2N5109

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 20V 1.2GHZ TO39

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
頻率-過渡: 1.2GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 12dB
功率-最大: 2.5W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 50mA, 15V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 400mA
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-39

庫存3,960

2N5109

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 20V 1.2GHZ TO39

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
頻率-過渡: 1.2GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 3dB @ 200MHz
增益: -
功率-最大: 1W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 50mA, 15V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 400mA
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-39

庫存25,038

2N5179

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 12V 200MHZ TO72

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V
頻率-過渡: 200MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 4.5dB @ 200MHz
增益: 20dB
功率-最大: 300mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 25 @ 3mA, 1V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
供應商設備包裝: TO-72

庫存7,254

2N5179

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 12V 2GHZ TO72

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V
頻率-過渡: 2GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 4.5dB @ 200MHz
增益: 15dB
功率-最大: 200mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 25 @ 3mA, 1V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
供應商設備包裝: TO-72

庫存8,232

2N5770

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 15V TO92-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: 6dB @ 60MHz
增益: 15dB
功率-最大: 350mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 8mA, 10V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存7,902

2N5770

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 15V 900MHZ TO92

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V
頻率-過渡: 900MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 6dB @ 60MHz
增益: -
功率-最大: 625mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 8mA, 1V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92

庫存37,794

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