晶體管

型號	描述	庫存
APTM10SKM02G Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 495A SP6 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 495A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.5mOhm @ 200A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 10mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1360nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 40000pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1250W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: SP6 包裝/箱: SP6	庫存5,364
APTM10SKM05TG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 278A SP4 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 278A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5mOhm @ 125A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 700nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 20000pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 780W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: SP4 包裝/箱: SP4	庫存8,334
APTM10UM01FAG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 860A SP6 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 860A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.6mOhm @ 275A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 12mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2100nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 60000pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2500W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: SP6 包裝/箱: SP6	庫存177
APTM10UM02FAG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 570A SP6 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 570A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.5mOhm @ 200A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 10mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1360nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 40000pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1660W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: SP6 包裝/箱: SP6	庫存7,254
APTM120DA15G Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1200V 60A SP6 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 60A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 175mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 10mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 748nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 20600pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1250W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: SP6 包裝/箱: SP6	庫存6,372
APTM120DA29TG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1200V 34A SP4 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 34A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 348mOhm @ 17A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 374nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10300pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 780W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: SP4 包裝/箱: SP4	庫存7,344
APTM120DA30CT1G Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1200V 31A SP1 制造商: Microsemi Corporation 系列: POWER MOS 8™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 31A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 360mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 560nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14560pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 657W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: SP1 包裝/箱: SP1	庫存4,338
APTM120DA30T1G Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1200V 31A SP1 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 31A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 360mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 560nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14560pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 657W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: SP1 包裝/箱: SP1	庫存7,470
APTM120DA56T1G Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1200V 18A SP1 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 672mOhm @ 14A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 300nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7736pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 390W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: SP1 包裝/箱: SP1	庫存3,186
APTM120DA68T1G Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1200V 15A SP1 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 816mOhm @ 12A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 260nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6696pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 357W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: SP1 包裝/箱: SP1	庫存7,722
APTM120SK15G Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1200V 60A SP6 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 60A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 175mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 10mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 748nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 20600pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1250W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: SP6 包裝/箱: SP6	庫存2,214
APTM120SK29TG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1200V 34A SP4 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 34A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 348mOhm @ 17A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 374nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10300pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 780W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: SP4 包裝/箱: SP4	庫存4,482
APTM120SK56T1G Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1200V 18A SP1 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 672mOhm @ 14A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 300nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7736pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 390W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: SP1 包裝/箱: SP1	庫存8,838
APTM120SK68T1G Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1200V 15A SP1 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 816mOhm @ 12A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 260nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6696pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 357W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: SP1 包裝/箱: SP1	庫存7,668
APTM120U10DAG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1200V 116A SP6 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 160A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 120mOhm @ 58A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 20mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1100nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 28900pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3290W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: SP6 包裝/箱: SP6	庫存6,696
APTM120U10SAG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1200V 116A SP6 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 116A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 120mOhm @ 58A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 20mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1100nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 28900pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3290W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: SP6 包裝/箱: SP6	庫存5,796
APTM120U10SCAVG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1200V 116A SP6 制造商: Microsemi Corporation 系列: POWER MOS 7® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 116A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 120mOhm @ 58A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 20mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1100nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 28900pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3290W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: SP6 包裝/箱: SP6	庫存7,686
APTM120UM70DAG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1200V 171A SP6 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 171A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 80mOhm @ 85.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 30mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1650nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 43500pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 5000W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: SP6 包裝/箱: SP6	庫存7,092
APTM120UM70FAG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1200V 171A SP6 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 171A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 80mOhm @ 85.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 30mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1650nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 43500pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 5000W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: SP6 包裝/箱: SP6	庫存3,006
APTM120UM95FAG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1200V 103A SP6 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 103A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 114mOhm @ 51.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 15mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1122nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 30900pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2272W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: SP6 包裝/箱: SP6	庫存6,642
APTM20DAM04G Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 372A SP6 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 372A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5mOhm @ 186A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 10mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 560nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 28900pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1250W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: SP6 包裝/箱: SP6	庫存4,968
APTM20DAM05G Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 317A SP6 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 317A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6mOhm @ 158.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 10mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 448nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 27400pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1136W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: SP6 包裝/箱: SP6	庫存6,840
APTM20DAM08TG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 208A SP4 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 208A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10mOhm @ 104A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 280nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14400pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 781W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: SP4 包裝/箱: SP4	庫存3,114
APTM20DAM10TG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 175A SP4 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 175A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12mOhm @ 87.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 224nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13700pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 694W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: SP4 包裝/箱: SP4	庫存2,628
APTM20SKM04G Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 372A SP6 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 372A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5mOhm @ 186A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 10mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 560nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 28900pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1250W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: SP6 包裝/箱: SP6	庫存3,492
APTM20SKM05G Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 317A SP6 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 317A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6mOhm @ 158.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 10mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 448nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 27400pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1136W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: SP6 包裝/箱: SP6	庫存2,808
APTM20SKM08TG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 208A SP4 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 208A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10mOhm @ 104A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 280nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14400pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 781W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: SP4 包裝/箱: SP4	庫存8,550
APTM20SKM10TG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 175A SP4 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 175A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12mOhm @ 87.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 224nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13700pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 694W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: SP4 包裝/箱: SP4	庫存8,766
APTM20UM03FAG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 580A SP6 制造商: Microsemi Corporation 系列: POWER MOS 7® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 580A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.6mOhm @ 290A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 15mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 840nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 43300pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2270W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: SP6 包裝/箱: SP6	庫存7,128
APTM20UM04SAG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 417A SP6 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 417A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5mOhm @ 208.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 10mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 560nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 28800pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1560W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: SP6 包裝/箱: SP6	庫存3,006

APTM10SKM02G

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 495A SP6

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 495A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.5mOhm @ 200A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 10mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1360nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 40000pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1250W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: SP6
包裝/箱: SP6

庫存5,364

APTM10SKM05TG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 278A SP4

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 278A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5mOhm @ 125A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 700nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 20000pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 780W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: SP4
包裝/箱: SP4

庫存8,334

APTM10UM01FAG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 860A SP6

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 860A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.6mOhm @ 275A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 12mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2100nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 60000pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2500W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: SP6
包裝/箱: SP6

庫存177

APTM10UM02FAG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 570A SP6

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 570A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.5mOhm @ 200A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 10mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1360nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 40000pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1660W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: SP6
包裝/箱: SP6

庫存7,254

APTM120DA15G

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1200V 60A SP6

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 60A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 175mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 10mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 748nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 20600pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1250W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: SP6
包裝/箱: SP6

庫存6,372

APTM120DA29TG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1200V 34A SP4

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 34A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 348mOhm @ 17A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 374nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10300pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 780W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: SP4
包裝/箱: SP4

庫存7,344

APTM120DA30CT1G

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1200V 31A SP1

制造商: Microsemi Corporation
系列: POWER MOS 8™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 31A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 360mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 560nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14560pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 657W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: SP1
包裝/箱: SP1

庫存4,338

APTM120DA30T1G

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1200V 31A SP1

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 31A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 360mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 560nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14560pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 657W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: SP1
包裝/箱: SP1

庫存7,470

APTM120DA56T1G

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1200V 18A SP1

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 672mOhm @ 14A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 300nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7736pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 390W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: SP1
包裝/箱: SP1

庫存3,186

APTM120DA68T1G

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1200V 15A SP1

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 816mOhm @ 12A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 260nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6696pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 357W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: SP1
包裝/箱: SP1

庫存7,722

APTM120SK15G

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1200V 60A SP6

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 60A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 175mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 10mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 748nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 20600pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1250W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: SP6
包裝/箱: SP6

庫存2,214

APTM120SK29TG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1200V 34A SP4

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 34A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 348mOhm @ 17A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 374nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10300pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 780W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: SP4
包裝/箱: SP4

庫存4,482

APTM120SK56T1G

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1200V 18A SP1

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 672mOhm @ 14A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 300nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7736pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 390W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: SP1
包裝/箱: SP1

庫存8,838

APTM120SK68T1G

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1200V 15A SP1

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 816mOhm @ 12A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 260nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6696pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 357W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: SP1
包裝/箱: SP1

庫存7,668

APTM120U10DAG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1200V 116A SP6

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 160A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 120mOhm @ 58A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 20mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1100nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 28900pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3290W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: SP6
包裝/箱: SP6

庫存6,696

APTM120U10SAG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1200V 116A SP6

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 116A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 120mOhm @ 58A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 20mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1100nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 28900pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3290W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: SP6
包裝/箱: SP6

庫存5,796

APTM120U10SCAVG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1200V 116A SP6

制造商: Microsemi Corporation
系列: POWER MOS 7®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 116A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 120mOhm @ 58A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 20mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1100nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 28900pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3290W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: SP6
包裝/箱: SP6

庫存7,686

APTM120UM70DAG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1200V 171A SP6

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 171A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 80mOhm @ 85.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 30mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1650nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 43500pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 5000W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: SP6
包裝/箱: SP6

庫存7,092

APTM120UM70FAG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1200V 171A SP6

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 171A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 80mOhm @ 85.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 30mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1650nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 43500pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 5000W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: SP6
包裝/箱: SP6

庫存3,006

APTM120UM95FAG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1200V 103A SP6

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 103A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 114mOhm @ 51.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 15mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1122nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 30900pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2272W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: SP6
包裝/箱: SP6

庫存6,642

APTM20DAM04G

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 372A SP6

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 372A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5mOhm @ 186A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 10mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 560nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 28900pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1250W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: SP6
包裝/箱: SP6

庫存4,968

APTM20DAM05G

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 317A SP6

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 317A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6mOhm @ 158.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 10mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 448nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 27400pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1136W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: SP6
包裝/箱: SP6

庫存6,840

APTM20DAM08TG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 208A SP4

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 208A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10mOhm @ 104A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 280nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14400pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 781W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: SP4
包裝/箱: SP4

庫存3,114

APTM20DAM10TG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 175A SP4

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 175A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12mOhm @ 87.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 224nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13700pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 694W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: SP4
包裝/箱: SP4

庫存2,628

APTM20SKM04G

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 372A SP6

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 372A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5mOhm @ 186A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 10mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 560nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 28900pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1250W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: SP6
包裝/箱: SP6

庫存3,492

APTM20SKM05G

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 317A SP6

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 317A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6mOhm @ 158.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 10mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 448nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 27400pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1136W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: SP6
包裝/箱: SP6

庫存2,808

APTM20SKM08TG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 208A SP4

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 208A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10mOhm @ 104A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 280nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14400pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 781W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: SP4
包裝/箱: SP4

庫存8,550

APTM20SKM10TG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 175A SP4

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 175A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12mOhm @ 87.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 224nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13700pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 694W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: SP4
包裝/箱: SP4

庫存8,766

APTM20UM03FAG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 580A SP6

制造商: Microsemi Corporation
系列: POWER MOS 7®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 580A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.6mOhm @ 290A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 15mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 840nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 43300pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2270W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: SP6
包裝/箱: SP6

庫存7,128

APTM20UM04SAG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 417A SP6

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 417A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5mOhm @ 208.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 10mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 560nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 28800pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1560W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: SP6
包裝/箱: SP6

庫存3,006

Send Message

Certifications

資源

支持

Social Media

Need Help?
Send Message