晶體管

型號	描述	庫存
APTC60DAM24T1G Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 95A SP1 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 95A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 24mOhm @ 47.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 300nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14400pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 462W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: SP1 包裝/箱: SP1	庫存8,010
APTC60DAM35T1G Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 72A SP1 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 72A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 72A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 5.4mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 518nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14000pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 416W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: SP1 包裝/箱: SP1	庫存6,984
APTC60SKM24CT1G Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 95A SP1 制造商: Microsemi Corporation 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 95A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 24mOhm @ 47.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 300nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14400pF @ 25V FET功能: Super Junction 功耗（最大值）: 462W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: SP1 包裝/箱: SP1	庫存3,186
APTC60SKM24T1G Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 95A SP1 制造商: Microsemi Corporation 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 95A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 24mOhm @ 47.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 300nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14400pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 462W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: SP1 包裝/箱: SP1	庫存5,184
APTC60SKM35T1G Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 72A SP1 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 72A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 72A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 5.4mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 518nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14000pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 416W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: SP1 包裝/箱: SP1	庫存3,924
APTC80DA15T1G Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 800V 28A SP1 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 28A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 150mOhm @ 14A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 2mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 180nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4507pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 277W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: SP1 包裝/箱: SP1	庫存2,916
APTC80SK15T1G Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 800V 28A SP1 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 28A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 150mOhm @ 14A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 2mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 180nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4507pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 277W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: SP1 包裝/箱: SP1	庫存4,356
APTC90DAM60CT1G Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 900V 59A SP1 制造商: Microsemi Corporation 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 900V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 59A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 60mOhm @ 52A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 6mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 540nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13600pF @ 100V FET功能: Super Junction 功耗（最大值）: 462W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: SP1 包裝/箱: SP1	庫存2,124
APTC90DAM60T1G Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 900V 59A SP1 制造商: Microsemi Corporation 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 900V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 59A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 60mOhm @ 52A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 6mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 540nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13600pF @ 100V FET功能: Super Junction 功耗（最大值）: 462W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: SP1 包裝/箱: SP1	庫存6,156
APTC90SKM60CT1G Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 900V 59A SP1 制造商: Microsemi Corporation 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 900V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 59A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 60mOhm @ 52A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 6mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 540nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13600pF @ 100V FET功能: Super Junction 功耗（最大值）: 462W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: SP1 包裝/箱: SP1	庫存7,776
APTC90SKM60T1G Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 900V 59A SP1 制造商: Microsemi Corporation 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 900V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 59A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 60mOhm @ 52A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 6mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 540nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13600pF @ 100V FET功能: Super Junction 功耗（最大值）: 462W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: SP1 包裝/箱: SP1	庫存5,706
APTM100DA18CT1G Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1000V 40A SP1 制造商: Microsemi Corporation 系列: POWER MOS 8™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 216mOhm @ 33A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 570nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14800pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 657W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: SP1 包裝/箱: SP1	庫存8,784
APTM100DA18T1G Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1000V 40A SP1 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 216mOhm @ 33A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 570nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14800pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 657W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: SP1 包裝/箱: SP1	庫存3,672
APTM100DA18TG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1000V 43A SP4 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 43A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 210mOhm @ 21.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 372nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10400pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 780W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: SP4 包裝/箱: SP4	庫存3,276
APTM100DA33T1G Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1000V 23A SP1 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 23A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 396mOhm @ 18A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 305nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7868pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 390W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: SP1 包裝/箱: SP1	庫存4,392
APTM100DA40T1G Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1000V 20A SP1 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 480mOhm @ 16A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 260nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6800pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 357W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: SP1 包裝/箱: SP1	庫存5,112
APTM100DAM90G Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1000V 78A SP6 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 78A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 105mOhm @ 39A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 10mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 744nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 20700pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1250W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: SP6 包裝/箱: SP6	庫存3,060
APTM100SK18TG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1000V 43A SP4 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 43A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 210mOhm @ 21.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 372nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10400pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 780W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: SP4 包裝/箱: SP4	庫存5,382
APTM100SK33T1G Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1000V 23A SP1 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 23A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 396mOhm @ 18A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 305nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7868pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 390W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: SP1 包裝/箱: SP1	庫存4,698
APTM100SK40T1G Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1000V 20A SP1 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 480mOhm @ 16A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 260nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6800pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 357W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: SP1 包裝/箱: SP1	庫存4,284
APTM100SKM90G Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1000V 78A SP6 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 78A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 105mOhm @ 39A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 10mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 744nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 20700pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1250W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: SP6 包裝/箱: SP6	庫存3,456
APTM100U13SG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1000V 65A J3 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 65A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 145mOhm @ 32.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 10mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2000nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 31600pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1250W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: Module 包裝/箱: J3 Module	庫存8,784
APTM100UM45DAG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1000V 215A SP6 制造商: Microsemi Corporation 系列: POWER MOS 7® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 215A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 52mOhm @ 107.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 30mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1602nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 42700pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 5000W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: SP6 包裝/箱: SP6	庫存7,974
APTM100UM45FAG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1000V 215A SP6 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 215A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 52mOhm @ 107.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 30mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1602nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 42700pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 5000W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: SP6 包裝/箱: SP6	庫存2,124
APTM100UM60FAG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1000V 129A SP6 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 129A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 70mOhm @ 64.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 15mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1116nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 31100pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2272W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: SP6 包裝/箱: SP6	庫存8,100
APTM100UM65DAG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1000V 145A SP6 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 145A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 78mOhm @ 72.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 20mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1068nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 28500pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3250W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: SP6 包裝/箱: SP6	庫存5,868
APTM100UM65SAG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1000V 145A SP6 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 145A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 78mOhm @ 72.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 20mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1068nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 28500pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3250W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: SP6 包裝/箱: SP6	庫存5,130
APTM100UM65SCAVG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1000V 145A SP6 制造商: Microsemi Corporation 系列: POWER MOS 7® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 145A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 78mOhm @ 72.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 20mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1068nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 28500pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3250W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: SP6 包裝/箱: Module	庫存8,190
APTM10DAM02G Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 495A SP6 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 495A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.5mOhm @ 200A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 10mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1360nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 40000pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1250W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: SP6 包裝/箱: SP6	庫存2,970
APTM10DAM05TG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 278A SP4 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 278A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5mOhm @ 125A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 700nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 20000pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 780W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: SP4 包裝/箱: SP4	庫存6,840

APTC60DAM24T1G

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 95A SP1

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 95A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 24mOhm @ 47.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 300nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14400pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 462W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: SP1
包裝/箱: SP1

庫存8,010

APTC60DAM35T1G

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 72A SP1

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 72A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 72A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 5.4mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 518nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14000pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 416W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: SP1
包裝/箱: SP1

庫存6,984

APTC60SKM24CT1G

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 95A SP1

制造商: Microsemi Corporation
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 95A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 24mOhm @ 47.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 300nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14400pF @ 25V
FET功能: Super Junction
功耗（最大值）: 462W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: SP1
包裝/箱: SP1

庫存3,186

APTC60SKM24T1G

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 95A SP1

制造商: Microsemi Corporation
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 95A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 24mOhm @ 47.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 300nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14400pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 462W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: SP1
包裝/箱: SP1

庫存5,184

APTC60SKM35T1G

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 72A SP1

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 72A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 72A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 5.4mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 518nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14000pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 416W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: SP1
包裝/箱: SP1

庫存3,924

APTC80DA15T1G

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 28A SP1

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 28A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 150mOhm @ 14A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 2mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 180nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4507pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 277W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: SP1
包裝/箱: SP1

庫存2,916

APTC80SK15T1G

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 28A SP1

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 28A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 150mOhm @ 14A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 2mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 180nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4507pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 277W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: SP1
包裝/箱: SP1

庫存4,356

APTC90DAM60CT1G

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 900V 59A SP1

制造商: Microsemi Corporation
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 900V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 59A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 60mOhm @ 52A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 6mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 540nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13600pF @ 100V
FET功能: Super Junction
功耗（最大值）: 462W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: SP1
包裝/箱: SP1

庫存2,124

APTC90DAM60T1G

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 900V 59A SP1

制造商: Microsemi Corporation
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 900V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 59A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 60mOhm @ 52A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 6mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 540nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13600pF @ 100V
FET功能: Super Junction
功耗（最大值）: 462W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: SP1
包裝/箱: SP1

庫存6,156

APTC90SKM60CT1G

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 900V 59A SP1

制造商: Microsemi Corporation
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 900V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 59A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 60mOhm @ 52A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 6mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 540nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13600pF @ 100V
FET功能: Super Junction
功耗（最大值）: 462W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: SP1
包裝/箱: SP1

庫存7,776

APTC90SKM60T1G

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 900V 59A SP1

制造商: Microsemi Corporation
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 900V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 59A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 60mOhm @ 52A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 6mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 540nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13600pF @ 100V
FET功能: Super Junction
功耗（最大值）: 462W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: SP1
包裝/箱: SP1

庫存5,706

APTM100DA18CT1G

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1000V 40A SP1

制造商: Microsemi Corporation
系列: POWER MOS 8™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 216mOhm @ 33A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 570nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14800pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 657W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: SP1
包裝/箱: SP1

庫存8,784

APTM100DA18T1G

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1000V 40A SP1

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 216mOhm @ 33A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 570nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14800pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 657W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: SP1
包裝/箱: SP1

庫存3,672

APTM100DA18TG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1000V 43A SP4

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 43A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 210mOhm @ 21.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 372nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10400pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 780W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: SP4
包裝/箱: SP4

庫存3,276

APTM100DA33T1G

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1000V 23A SP1

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 23A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 396mOhm @ 18A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 305nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7868pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 390W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: SP1
包裝/箱: SP1

庫存4,392

APTM100DA40T1G

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1000V 20A SP1

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 480mOhm @ 16A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 260nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6800pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 357W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: SP1
包裝/箱: SP1

庫存5,112

APTM100DAM90G

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1000V 78A SP6

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 78A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 105mOhm @ 39A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 10mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 744nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 20700pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1250W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: SP6
包裝/箱: SP6

庫存3,060

APTM100SK18TG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1000V 43A SP4

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 43A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 210mOhm @ 21.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 372nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10400pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 780W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: SP4
包裝/箱: SP4

庫存5,382

APTM100SK33T1G

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1000V 23A SP1

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 23A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 396mOhm @ 18A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 305nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7868pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 390W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: SP1
包裝/箱: SP1

庫存4,698

APTM100SK40T1G

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1000V 20A SP1

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 480mOhm @ 16A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 260nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6800pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 357W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: SP1
包裝/箱: SP1

庫存4,284

APTM100SKM90G

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1000V 78A SP6

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 78A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 105mOhm @ 39A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 10mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 744nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 20700pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1250W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: SP6
包裝/箱: SP6

庫存3,456

APTM100U13SG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1000V 65A J3

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 65A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 145mOhm @ 32.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 10mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2000nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 31600pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1250W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: Module
包裝/箱: J3 Module

庫存8,784

APTM100UM45DAG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1000V 215A SP6

制造商: Microsemi Corporation
系列: POWER MOS 7®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 215A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 52mOhm @ 107.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 30mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1602nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 42700pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 5000W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: SP6
包裝/箱: SP6

庫存7,974

APTM100UM45FAG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1000V 215A SP6

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 215A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 52mOhm @ 107.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 30mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1602nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 42700pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 5000W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: SP6
包裝/箱: SP6

庫存2,124

APTM100UM60FAG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1000V 129A SP6

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 129A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 70mOhm @ 64.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 15mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1116nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 31100pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2272W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: SP6
包裝/箱: SP6

庫存8,100

APTM100UM65DAG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1000V 145A SP6

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 145A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 78mOhm @ 72.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 20mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1068nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 28500pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3250W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: SP6
包裝/箱: SP6

庫存5,868

APTM100UM65SAG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1000V 145A SP6

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 145A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 78mOhm @ 72.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 20mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1068nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 28500pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3250W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: SP6
包裝/箱: SP6

庫存5,130

APTM100UM65SCAVG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1000V 145A SP6

制造商: Microsemi Corporation
系列: POWER MOS 7®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 145A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 78mOhm @ 72.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 20mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1068nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 28500pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3250W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: SP6
包裝/箱: Module

庫存8,190

APTM10DAM02G

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 495A SP6

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 495A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.5mOhm @ 200A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 10mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1360nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 40000pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1250W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: SP6
包裝/箱: SP6

庫存2,970

APTM10DAM05TG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 278A SP4

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 278A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5mOhm @ 125A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 700nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 20000pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 780W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: SP4
包裝/箱: SP4

庫存6,840

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