晶體管

型號	描述	庫存
BSC036NE7NS3GATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 75V 100A TDSON-8 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 75V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.6mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.8V @ 110µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 63.4nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4400pF @ 37.5V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 156W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-7 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存76,056
BSC037N025S G Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 21A (Ta), 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.7mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 50µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 29nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3660pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 69W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-1 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存3,834
BSC037N08NS5ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 80V 100A 8TDSON 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.7mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.8V @ 72µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 58nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4200pF @ 40V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 114W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-7 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存4,068
BSC039N06NSATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 19A TDSON-8 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 19A (Ta), 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.8V @ 36µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 27nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2000pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 69W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-6 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存6,516
BSC040N08NS5ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 80V 100A 8TDSON 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.8V @ 67µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 54nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3900pF @ 40V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 104W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-7 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存7,470
BSC040N10NS5ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 100A 8TDSON 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.8V @ 95µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 72nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5300pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 139W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-7 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存189,852
BSC042N03LSGATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 93A TDSON-8 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Ta), 93A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 42nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3500pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 57W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-5 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存37,914
BSC042N03MSGATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 93A TDSON-8 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A (Ta), 93A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 55nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4300pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 57W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-5 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存4,608
BSC042N03S G Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 95A TDSON-8 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Ta), 95A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 50µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 28nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3660pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 62.5W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-5 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存4,482
BSC042N03ST Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 50A TDSON-8 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Ta), 50A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 50µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 28nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3660pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-5 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存3,436
BSC042NE7NS3GATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 75V 100A TDSON-8 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 75V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 19A (Ta), 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.8V @ 91µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 69nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4800pF @ 37.5V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 125W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-1 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存5,976
BSC046N02KSGAUMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 80A TDSON-8 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 19A (Ta), 80A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.6mOhm @ 50A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 110µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 27.6nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4100pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 48W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-1 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存8,478
BSC046N10NS3GATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 100A TDSON-8 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A (Ta), 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.6mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 120µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 63nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4500pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 156W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-7 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存5,274
BSC047N08NS3GATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 80V 100A TDSON-8 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A (Ta), 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.7mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 90µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 69nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4800pF @ 40V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 125W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-1 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存4,842
BSC048N025S G Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 25V 89A TDSON-8 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 19A (Ta), 89A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.8mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 35µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 21nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2670pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 63W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-1 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存7,200
BSC0500NSIATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 35A TDSON-8 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Ta), 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 52nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3300pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 69W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-6 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存7,956
BSC0501NSIATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 29A 8TDSON 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 29A (Ta), 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.9mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 33nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2200pF @ 15V FET功能: Schottky Diode (Body) 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 50W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-6 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存4,626
BSC0502NSIATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 26A TDSON-8 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 26A (Ta), 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.3mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 26nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1600pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 43W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-6 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存47,742
BSC0503NSIATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 22A TDSON-8 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 22A (Ta), 88A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1300pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 36W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-6 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存3,544
BSC0504NSIATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 21A TDSON-8 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 21A (Ta), 72A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.7mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 960pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 30W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-6 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存6,408
BSC050N03LSGATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 80A TDSON-8 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A (Ta), 80A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2800pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 50W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-5 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存263,916
BSC050N03MSGATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 80A TDSON-8 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Ta), 80A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 46nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3600pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 50W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-5 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存2,286
BSC050N04LSGATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 85A TDSON-8 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A (Ta), 85A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 27µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 47nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3700pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 57W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-5 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存680,022
BSC050N10NS5ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 TRENCH >=100V 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ 5 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Ta), 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.8V @ 72µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 61nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4300pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 3W (Ta), 136W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-7 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存7,470
BSC050NE2LSATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 25V 39A TDSON-8 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 39A (Ta), 58A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.4nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 760pF @ 12V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 28W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-5 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存256,812
BSC052N03LSATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 17A TDSON-8 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A (Ta), 57A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.2mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 770pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 28W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-6 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存75,984
BSC052N03S G Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 80A TDSON-8 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A (Ta), 80A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.2mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 40µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2820pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 54W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-6 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存7,128
BSC052N08NS5ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 80V 95A 8TDSON 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 95A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.2mOhm @ 47.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.8V @ 49µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 40nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2900pF @ 40V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 83W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-7 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存7,272
BSC054N04NSGATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 81A TDSON-8 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A (Ta), 81A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.4mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 27µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 34nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2800pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 57W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-5 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存257,694
BSC057N03LSGATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 71A TDSON-8 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A (Ta), 71A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.7mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2400pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 45W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-5 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存2,754

BSC036NE7NS3GATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 75V 100A TDSON-8

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 75V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.6mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.8V @ 110µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 63.4nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4400pF @ 37.5V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 156W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-7
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存76,056

BSC037N025S G

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 21A (Ta), 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.7mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 50µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 29nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3660pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 69W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-1
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存3,834

BSC037N08NS5ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 80V 100A 8TDSON

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.7mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.8V @ 72µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 58nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4200pF @ 40V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 114W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-7
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存4,068

BSC039N06NSATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 19A TDSON-8

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 19A (Ta), 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.8V @ 36µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2000pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 69W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-6
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存6,516

BSC040N08NS5ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 80V 100A 8TDSON

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.8V @ 67µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 54nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3900pF @ 40V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 104W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-7
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存7,470

BSC040N10NS5ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 100A 8TDSON

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.8V @ 95µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 72nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5300pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 139W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-7
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存189,852

BSC042N03LSGATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 93A TDSON-8

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Ta), 93A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 42nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3500pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 57W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-5
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存37,914

BSC042N03MSGATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 93A TDSON-8

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A (Ta), 93A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 55nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4300pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 57W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-5
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存4,608

BSC042N03S G

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 95A TDSON-8

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Ta), 95A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 50µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 28nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3660pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 62.5W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-5
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存4,482

BSC042N03ST

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 50A TDSON-8

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Ta), 50A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 50µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 28nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3660pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-5
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存3,436

BSC042NE7NS3GATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 75V 100A TDSON-8

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 75V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 19A (Ta), 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.8V @ 91µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 69nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4800pF @ 37.5V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 125W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-1
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存5,976

BSC046N02KSGAUMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 80A TDSON-8

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 19A (Ta), 80A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.6mOhm @ 50A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 110µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 27.6nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4100pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 48W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-1
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存8,478

BSC046N10NS3GATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 100A TDSON-8

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A (Ta), 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.6mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 120µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 63nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4500pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 156W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-7
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存5,274

BSC047N08NS3GATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 80V 100A TDSON-8

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A (Ta), 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.7mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 90µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 69nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4800pF @ 40V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 125W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-1
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存4,842

BSC048N025S G

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 25V 89A TDSON-8

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 19A (Ta), 89A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.8mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 35µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 21nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2670pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 63W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-1
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存7,200

BSC0500NSIATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 35A TDSON-8

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Ta), 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 52nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3300pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 69W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-6
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存7,956

BSC0501NSIATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 29A 8TDSON

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 29A (Ta), 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.9mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2200pF @ 15V
FET功能: Schottky Diode (Body)
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 50W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-6
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存4,626

BSC0502NSIATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 26A TDSON-8

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 26A (Ta), 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.3mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 26nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1600pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 43W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-6
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存47,742

BSC0503NSIATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 22A TDSON-8

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 22A (Ta), 88A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1300pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 36W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-6
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存3,544

BSC0504NSIATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 21A TDSON-8

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 21A (Ta), 72A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.7mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 960pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 30W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-6
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存6,408

BSC050N03LSGATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 80A TDSON-8

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A (Ta), 80A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2800pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 50W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-5
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存263,916

BSC050N03MSGATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 80A TDSON-8

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Ta), 80A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 46nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3600pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 50W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-5
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存2,286

BSC050N04LSGATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 85A TDSON-8

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A (Ta), 85A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 27µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 47nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3700pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 57W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-5
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存680,022

BSC050N10NS5ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

TRENCH >=100V

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™ 5
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Ta), 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.8V @ 72µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 61nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4300pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3W (Ta), 136W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-7
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存7,470

BSC050NE2LSATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 25V 39A TDSON-8

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 39A (Ta), 58A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.4nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 760pF @ 12V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 28W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-5
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存256,812

BSC052N03LSATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 17A TDSON-8

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A (Ta), 57A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.2mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 770pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 28W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-6
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存75,984

BSC052N03S G

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 80A TDSON-8

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A (Ta), 80A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.2mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 40µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2820pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 54W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-6
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存7,128

BSC052N08NS5ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 80V 95A 8TDSON

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 95A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.2mOhm @ 47.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.8V @ 49µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 40nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2900pF @ 40V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 83W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-7
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存7,272

BSC054N04NSGATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 81A TDSON-8

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A (Ta), 81A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.4mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 27µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 34nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2800pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 57W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-5
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存257,694

BSC057N03LSGATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 71A TDSON-8

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A (Ta), 71A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.7mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2400pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 45W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-5
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存2,754

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