晶體管

型號	描述	庫存
BSC014N04LSATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 32A TDSON-8 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 32A (Ta), 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 61nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4300pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 96W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SuperSO8 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存38,280
BSC014N04LSIATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 31A (Ta), 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.45mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 55nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4000pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 96W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TDSON-8 FL 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存47,886
BSC014N04LSTATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 DIFFERENTIATED MOSFETS 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 33A (Ta), 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 85nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6020pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 3W (Ta), 115W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TDSON-8 FL 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存51,804
BSC014N06NSATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 30A TDSON-8 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Ta), 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.45mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.8V @ 120µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 89nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6500pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 156W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-17 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存211,200
BSC014N06NSTATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 DIFFERENTIATED MOSFETS 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.45mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.3V @ 120µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 104nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8125pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 3W (Ta), 188W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TDSON-8 FL 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存44,664
BSC014NE2LSIATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 25V 33A TDSON-8 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 33A (Ta), 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 39nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2700pF @ 12V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 74W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-7 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存297,756
BSC015NE2LS5IATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 25V 33A TDSON-8 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 33A (Ta), 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 10V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2000pF @ 12V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 50W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-6 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存4,644
BSC016N03LSGATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 100A TDSON8 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 32A (Ta), 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 131nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10000pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 125W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-1 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存5,202
BSC016N03MSGATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 28A (Ta), 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 173nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13000pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 125W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-1 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存5,112
BSC016N04LSGATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 31A (Ta), 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 85µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 150nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12000pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 139W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-1 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存7,290
BSC016N06NSATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 30A TDSON-8 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Ta), 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.8V @ 95µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 71nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5200pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 139W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TDSON-8 FL 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存4,752
BSC016N06NSTATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 DIFFERENTIATED MOSFETS 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 31A (Ta), 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.3V @ 95µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 95nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6500pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 3W (Ta), 167W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TDSON-8 FL 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存40,146
BSC017N04NSGATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Ta), 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.7mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 85µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 108nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8800pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 139W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-1 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存38,490
BSC018N04LSGATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Ta), 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.8mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 85µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 150nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12000pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 125W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-1 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存3,834
BSC018NE2LSATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 29A (Ta), 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 39nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2800pF @ 12V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 69W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-1 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存3,942
BSC018NE2LSIATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 25V 29A TDSON-8 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 29A (Ta), 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 36nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2500pF @ 12V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 69W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-6 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存5,256
BSC019N02KSGAUMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 100A TDSON-8 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Ta), 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.95mOhm @ 50A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 350µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 85nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13000pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 104W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-1 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存4,716
BSC019N04LSATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 27A 8TDSON 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 27A (Ta), 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 41nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2900pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 78W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-1 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存6,372
BSC019N04LSTATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 DIFFERENTIATED MOSFETS 制造商: Infineon Technologies 系列: - FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存6,120
BSC019N04NSGATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Ta), 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 85µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 108nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8800pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 125W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-1 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存3,472
BSC019N06NSATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 DIFFERENTIATED MOSFETS 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.95mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.3V @ 74µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 77nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5.25nF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 136W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TDSON-8 FL 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存2,070
BSC020N025S G Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Ta), 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 110µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 66nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8290pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 104W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-1 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存3,006
BSC020N03LSGATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 28A (Ta), 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 93nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7200pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 96W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-1 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存612,744
BSC020N03LSGATMA2 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 LV POWER MOS 制造商: Infineon Technologies 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存7,776
BSC020N03MSGATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A (Ta), 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 124nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9600pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 96W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-1 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存45,042
BSC021N08NS5ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 TRENCH 40<-<100V 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™, StrongIRFET™ FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TSON-8-3 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存4,716
BSC022N03S Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 50A TDSON-8 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 28A (Ta), 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 58nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7490pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 104W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-1 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存7,362
BSC022N03SG Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 28A (Ta), 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 110µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 64nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8290pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 104W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-1 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存7,236
BSC022N04LS6ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 TRENCH <= 40V 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 27A (Ta), 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 28nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1900pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 3W (Ta), 79W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-1 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存3,042
BSC022N04LSATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 37nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2600pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 69W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-6 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存7,074

BSC014N04LSATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 32A TDSON-8

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 32A (Ta), 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 61nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4300pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 96W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SuperSO8
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存38,280

BSC014N04LSIATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 31A (Ta), 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.45mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 55nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4000pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 96W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TDSON-8 FL
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存47,886

BSC014N04LSTATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

DIFFERENTIATED MOSFETS

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 33A (Ta), 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 85nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6020pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3W (Ta), 115W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TDSON-8 FL
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存51,804

BSC014N06NSATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 30A TDSON-8

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Ta), 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.45mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.8V @ 120µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 89nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6500pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 156W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-17
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存211,200

BSC014N06NSTATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

DIFFERENTIATED MOSFETS

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.45mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.3V @ 120µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 104nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8125pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3W (Ta), 188W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TDSON-8 FL
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存44,664

BSC014NE2LSIATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 25V 33A TDSON-8

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 33A (Ta), 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 39nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2700pF @ 12V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 74W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-7
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存297,756

BSC015NE2LS5IATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 25V 33A TDSON-8

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 33A (Ta), 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2000pF @ 12V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 50W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-6
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存4,644

BSC016N03LSGATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 100A TDSON8

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 32A (Ta), 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 131nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10000pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 125W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-1
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存5,202

BSC016N03MSGATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 28A (Ta), 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 173nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13000pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 125W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-1
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存5,112

BSC016N04LSGATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 31A (Ta), 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 85µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 150nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12000pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 139W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-1
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存7,290

BSC016N06NSATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 30A TDSON-8

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Ta), 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.8V @ 95µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 71nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5200pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 139W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TDSON-8 FL
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存4,752

BSC016N06NSTATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

DIFFERENTIATED MOSFETS

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 31A (Ta), 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.3V @ 95µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 95nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6500pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3W (Ta), 167W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TDSON-8 FL
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存40,146

BSC017N04NSGATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Ta), 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.7mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 85µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 108nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8800pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 139W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-1
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存38,490

BSC018N04LSGATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Ta), 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.8mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 85µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 150nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12000pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 125W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-1
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存3,834

BSC018NE2LSATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 29A (Ta), 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 39nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2800pF @ 12V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 69W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-1
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存3,942

BSC018NE2LSIATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 25V 29A TDSON-8

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 29A (Ta), 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2500pF @ 12V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 69W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-6
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存5,256

BSC019N02KSGAUMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 100A TDSON-8

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Ta), 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.95mOhm @ 50A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 350µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 85nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13000pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 104W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-1
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存4,716

BSC019N04LSATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 27A 8TDSON

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 27A (Ta), 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 41nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2900pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 78W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-1
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存6,372

BSC019N04LSTATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

DIFFERENTIATED MOSFETS

制造商: Infineon Technologies
系列: -
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存6,120

BSC019N04NSGATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Ta), 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 85µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 108nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8800pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 125W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-1
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存3,472

BSC019N06NSATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

DIFFERENTIATED MOSFETS

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.95mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.3V @ 74µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 77nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5.25nF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 136W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TDSON-8 FL
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存2,070

BSC020N025S G

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Ta), 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 110µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 66nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8290pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 104W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-1
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存3,006

BSC020N03LSGATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 28A (Ta), 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 93nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7200pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 96W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-1
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存612,744

BSC020N03LSGATMA2

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

LV POWER MOS

制造商: Infineon Technologies
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存7,776

BSC020N03MSGATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A (Ta), 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 124nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9600pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 96W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-1
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存45,042

BSC021N08NS5ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

TRENCH 40<-<100V

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™, StrongIRFET™
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TSON-8-3
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存4,716

BSC022N03S

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 50A TDSON-8

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 28A (Ta), 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 58nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7490pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 104W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-1
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存7,362

BSC022N03SG

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 28A (Ta), 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 110µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 64nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8290pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 104W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-1
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存7,236

BSC022N04LS6ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

TRENCH <= 40V

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 27A (Ta), 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 28nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1900pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3W (Ta), 79W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-1
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存3,042

BSC022N04LSATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 37nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2600pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 69W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-6
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存7,074

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